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公开(公告)号：CN1851906A
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200610085010.5
申请日：2006-05-30
Applicant: 广辉电子股份有限公司
IPC: H01L21/84 , H01L21/311 , G02F1/136
Abstract: 本发明公开了一种可改善半导体层及绝缘层刻蚀倾斜角的液晶显示器用基板的制作方法，主要利用一含有氟硫化合物的刻蚀气体刻蚀绝缘层，使绝缘层形成良好的刻蚀倾斜角，并且使半导体层有一侧向刻蚀的效果，以提高后续制程的阶梯覆盖性。本发明亦可制作含有阻障层、半导体层、及绝缘层等多层结构的薄膜晶体管，且不会发生因膜层过多而造成膜层剥离、断线、崩毁等现象。此外，本发明制作方法还可整合各膜层制程以减少光罩数目，而达到简化制程与降低制作成本的目的。
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