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公开(公告)号：CN109964304A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201680090915.3
申请日：2016-11-16
Applicant: V科技股份有限公司 , 堺显示器制品株式会社
IPC: H01L21/20
Abstract: 依赖于激光的能量密度的偏差，玻璃基板所包含的多个薄膜晶体管的特性产生偏差，从而在将玻璃基板用于液晶显示装置的液晶时，会产生显示不均这样的问题。本发明的一个实施方式中的激光照射装置的特征在于，具有：光源，其产生激光；投影透镜，其对分别粘附于玻璃基板上的多个薄膜晶体管的非晶硅薄膜的规定的区域照射该激光；投影掩模图案，其设于该投影透镜上，以对于该多个薄膜晶体管分别照射该激光的方式设有多个开口部，该投影透镜经由该投影掩模图案，对于沿规定的方向移动的该玻璃基板上的该多个薄膜晶体管照射该激光，该投影掩模图案设置为，该开口部在与该移动的方向正交的一列上不连续。
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公开(公告)号：CN107209456A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680007695.3
申请日：2016-02-03
Applicant: 堺显示器制品株式会社 , AZ电子材料(卢森堡)有限公司
IPC: G03F7/023 , G02F1/1333 , G02F1/1368 , G03F7/075
CPC classification number: G03F7/075 , C08G73/08 , C08G77/04 , C08G77/80 , C08L83/04 , G02F1/1333 , G02F1/1368 , G03F7/023 , C08L83/00
Abstract: 本发明提供一种正型感光性硅氧烷组合物，其形成的膜具有高耐热性、高强度以及高耐裂纹性；一种有源矩阵基板，不产生副产物，不良的产生被加以抑制，容易以低价形成层间绝缘膜，透射率良好；具备该有源矩阵基板的显示装置以及该有源矩阵基板的制造方法。有源矩阵基板(30)具备：在绝缘基板(10)上相互平行地延伸地设置的多条栅极布线(11)、和在与各栅极布线(11)交叉的方向相互平行地延伸地设置的多条源极布线(12)。在源极布线(12)的下侧且包含栅极布线(11)与源极布线(12)的交叉部分的部分，夹杂层间绝缘膜(14)及栅极绝缘膜(15)。层间绝缘膜(14)使用正型感光性硅氧烷组合物而形成，不使用光阻。
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公开(公告)号：CN105247408A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201480030254.6
申请日：2014-05-29
Applicant: 堺显示器制品株式会社
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/133345 , G02F1/1339 , G02F2001/133388 , G02F2201/501 , H01L27/1262 , H01L29/41733
Abstract: 本发明提供一种液晶面板和绝缘膜的槽部形成方法，其能够防止污染成分从外部通过在基板上形成的绝缘膜进入液晶层。在第一玻璃基板(1)和第二玻璃基板(2)之间的第二玻璃基板(2)侧设有液晶层(4)，在第一玻璃基板(1)的液晶层(4)侧的表面上依次形成有第一绝缘膜(11)和第二绝缘膜(19)，液晶层(4)的外缘部由密封材料(3)包围，多个TFT由于第一绝缘膜(11)和第二绝缘膜(19)而彼此绝缘。第二绝缘膜(19)所包含的栅极绝缘膜(12)对气体和/或液体的阻挡性高于第一绝缘膜(11)，在比第二绝缘膜(19)与密封材料(3)重叠的位置靠内侧的第二绝缘膜(19)的周缘部的一部分或全部，设有具有底部(19b)的槽部(19a)，该底部(19b)由与形成TFT的材料的一部分相同的材料形成。
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公开(公告)号：CN108028201B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201580083197.2
申请日：2015-09-17
Applicant: 堺显示器制品株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供通过调整多晶硅的结晶性从而适当地对特性进行了调整的薄膜晶体管和薄膜晶体管的制造方法。TFT的沟道层中所含的硅层14包含非晶部141、第1多晶部142和结晶性更低的第2多晶部143。通过经过掩模2将激光照射于硅层14，该掩模2包含将激光(能量束)遮蔽的遮蔽部21、使激光透过的第1透过部22和激光的透过率更低的第2遮蔽部22，从而形成第1多晶部142和第2多晶部143。通过存在第2多晶部143，与多晶的部分的结晶性为一种的TFT相比，更为适当地调整迁移率等TFT的特性。另外，通过调整掩模2的构成，从而能够简便地调整TFT的特性。
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公开(公告)号：CN107533979B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201580078999.4
申请日：2015-04-20
Applicant: 堺显示器制品株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/20 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供薄膜晶体管的制造方法、薄膜晶体管和显示面板。在基板的表面形成栅极，在形成了栅极的基板的表面形成绝缘膜。在形成了绝缘膜的基板的表面形成第一非晶硅层。对第一非晶硅层的分隔开的多个所需部位照射能量束，使所述所需部位变化为多晶硅层。所需部位分别位于栅极的上侧，是源极和漏极间的沟道区域。此时，对所述第一非晶硅层的与所述多个所需部位关联的其它部位也照射能量束，使其烧蚀，在该其它部位形成所需形状的除去部。以后，在形成用作源极和漏极的金属层时，在该金属层形成与所述除去部的形状相仿的呈凹部的凹坑。因此，利用该凹坑作为对准标记，在沟道区域的上侧的适当位置形成源极和漏极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108028030A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201580083060.7
申请日：2015-09-10
Applicant: 堺显示器制品株式会社
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/13454 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F2201/123 , G02F2202/103 , H01L27/1222 , H01L27/1229 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/4908 , H01L29/78672 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供显示装置和该显示装置的制造方法，该显示装置具有：具有第1薄膜晶体管的像素；具有第2薄膜晶体管、驱动上述像素的驱动电路，通过以上述第1薄膜晶体管涉及的第1沟道区域和上述第2薄膜晶体管涉及的第2沟道区域的电特性(例如电子迁移率)不同的方式构成该显示装置，从而第1薄膜晶体管和第2薄膜晶体管能够适于各自职能地工作。
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公开(公告)号：CN106663697A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580040872.3
申请日：2015-03-27
Applicant: 堺显示器制品株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1222 , H01L29/66765 , H01L29/7866 , H01L29/78669 , H01L29/78696
Abstract: 提供一种能够降低截止电流的薄膜晶体管以及具有该薄膜晶体管的显示面板。薄膜晶体管，包括：栅极电极，形成于基板的表面；多晶硅层，形成于上述栅极电极的上侧；非晶硅层，形成为覆盖上述多晶硅层；n+硅层，形成于上述非晶硅层的上侧；以及源极电极和漏极电极，形成于上述n+硅层上；将上述多晶硅层、源极电极及漏极电极投影在上述基板表面的投影状态下，上述多晶硅层的一部分分别与上述源极电极和漏极电极的一部分重叠，且在上述投影状态下位于上述源极电极和漏极电极之间的上述多晶硅层中，与上述源极电极和漏极电极之间的长度方向正交的宽度方向上的最小尺寸小于上述源极电极和漏极电极的上述宽度方向上的尺寸。
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公开(公告)号：CN110660868B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN201910559222.X
申请日：2019-06-26
Applicant: 堺显示器制品株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明的一个实施方式的薄膜晶体管包括：栅极，由基板支撑；栅极绝缘层，覆盖栅极；硅半导体层，设置在栅极绝缘层上且具有结晶硅区域，结晶硅区域包括第一区域、第二区域和位于第一区域及第二区域之间的沟道区域，沟道区域、第一区域及第二区域隔着栅极绝缘层与栅极重叠；保护绝缘层,以覆盖信道区域并露出第一区域及第二区域的方式配置在硅半导体层之上；源极,与第一区域电连接；以及漏极,与第二区域电连接，沟道区域的结晶性低于第一区域及第二区域的结晶性。
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公开(公告)号：CN110660867B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN201910538954.0
申请日：2019-06-20
Applicant: 堺显示器制品株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明的一个实施方式的薄膜晶体管包括：基板；被基板支撑的栅极；覆盖栅极的栅极绝缘层；以及设置在栅极绝缘层上且具有结晶硅区域的硅半导体层，上述结晶硅区域包括第一区域、第二区域和位于第一区域及第二区域之间的沟道区域，沟道区域、第一区域及第二区域经由栅极绝缘层与栅极重叠；保护绝缘层，以覆盖沟道区域，且露出第一区域及第二区域的方式配置在硅半导体层上；源极，与第一区域电连接；漏极，与第二区域电连接，沟道区域的结晶性高于第一区域及第二区域的结晶性。
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公开(公告)号：CN110660867A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910538954.0
申请日：2019-06-20
Applicant: 堺显示器制品株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明的一个实施方式的薄膜晶体管包括：基板；被基板支撑的栅极；覆盖栅极的栅极绝缘层；以及设置在栅极绝缘层上且具有结晶硅区域的硅半导体层，上述结晶硅区域包括第一区域、第二区域和位于第一区域及第二区域之间的沟道区域，沟道区域、第一区域及第二区域经由栅极绝缘层与栅极重叠；保护绝缘层，以覆盖沟道区域，且露出第一区域及第二区域的方式配置在硅半导体层上；源极，与第一区域电连接；漏极，与第二区域电连接，沟道区域的结晶性高于第一区域及第二区域的结晶性。
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