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公开(公告)号:CN1365275A
公开(公告)日:2002-08-21
申请号:CN00808678.8
申请日:2000-06-06
申请人: 南诺斯菲尔股份有限公司
发明人: J·D·塔尔顿
CPC分类号: C23C14/223 , A61K9/5089 , C23C14/28
摘要: 本发明提供包被芯材的方法,该方法包括:提供靶材和芯材;将靶材烧蚀成粒子状靶材;以所述粒子状靶材包被芯材;所述方法在约10乇或以上压力条件下进行。本发明还提供在大气压下用空气流化法以纳米级厚度的涂层包被颗粒的方法。
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公开(公告)号:CN107723654A
公开(公告)日:2018-02-23
申请号:CN201710713882.X
申请日:2017-08-18
申请人: 中北大学
CPC分类号: C23C8/68 , C23C14/165 , C23C14/223 , C23C14/35
摘要: 本发明公开了一种粒状渗硼剂的再生方法及其装置,属于材料表面改性材料的回收再利用领域;技术方案为将预处理好的基体放在磁控溅射装备的阳极板上方,采用平面对靶的方式将高纯硅靶放置在阴极的铜背板上;通入氩气到真空室,对真空室和预处理好的基体进行清洗;之后调节电源电压、电流密度以及真空气压进行;本发明使再生后渗硼剂的渗硼效果达到原渗剂的渗层深度;是原来渗硼剂使用次数的3-5倍;镀膜后的渗剂与原材料的渗剂效果大致相同,渗层深度在120-130mm左右;节约了材料,达到循环绿色的经济效益。
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公开(公告)号:CN106929808A
公开(公告)日:2017-07-07
申请号:CN201511007623.2
申请日:2015-12-29
申请人: 上海朗亿功能材料有限公司
IPC分类号: C23C14/35
CPC分类号: C23C14/223 , C23C14/35
摘要: 本发明涉及一种超细粉体磁控溅射镀膜设备,包括投料口(1)、储料仓(2)、转动下粉装置(3)、振动盘(4)、超声波换能振动装置(5)、振动系统壳体(6)、镀膜机壳体(7)、旋振装置(8)、出料仓(9)、粉体传送管路(10)、屏蔽保护装置(11)、出料口(12)、旋转圆柱靶(13)、振动系统顶部防尘盖(14)、视窗口(15)和靶材支撑管(16)。该发明可以有效实现在不同粒径粉体表面获得均匀平整镀膜效果的目的,所制得的镀膜粉体具有优异的外观效果,并兼具催化、导电、导热等特性,在塑料、装饰漆、光催化等领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号:CN106637083A
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:CN201610906341.4
申请日:2016-10-18
申请人: 南京大学
CPC分类号: C23C14/18 , B22F1/025 , C23C14/20 , C23C14/223
摘要: 本发明公开了介质/金属‑核/壳表面等离激元晶体的制备方法,包括以下步骤:在水和空气的界面上排列亚微米或者微米的聚苯乙烯或二氧化硅微球,获得二维六角密堆的胶体微球阵列;将界面处形成的胶体微球阵列转移至带有通孔的衬底之上,在通孔的区域获得悬空的胶体微球阵列;利用上述具有悬空特点的二维胶体晶体作为模板,在微球阵列的上表面和下表面都物理沉积一层金属膜,即在衬底的通孔区域形成完整的介质球/金属‑核/壳表面等离激元晶体。本发明方法工艺简单并可对其中的金属壳层的厚度进行精确地控制,此方法可以非常容易地拓展到制备更复杂的多层核/壳等离激元“洋葱”结构。
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公开(公告)号:CN104582848B
公开(公告)日:2017-03-22
申请号:CN201380044675.X
申请日:2013-08-21
申请人: 日立化成株式会社
IPC分类号: B01J37/02 , B01J23/745 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C23C14/34
CPC分类号: C23C14/223 , B01J23/745 , B01J37/0223 , B01J37/347 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/16 , C01B32/162 , C23C14/0036 , C23C14/14 , C23C14/34
摘要: 本发明提供一种碳纳米管合成用催化剂的制造方法,其能够合成单层碳纳米管,并且提高碳纳米管的生产效率。该制造方法具有向滚筒内供给粒状载体的供给工序(S11)、一边使滚筒上的一侧端部与另一侧端部在上下相对调换的方式使滚筒摆动而进行溅射的催化剂承载用溅射工序(S12)、以及通过使滚筒倾斜而从滚筒排出粒状载体从而回收粒状载体的回收工序(S13)。(10)绕轴线旋转一边以使滚筒(10)的轴线方向
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公开(公告)号:CN106119800A
公开(公告)日:2016-11-16
申请号:CN201610773101.1
申请日:2016-08-30
申请人: 北京泰科诺科技有限公司
CPC分类号: C23C14/3464 , C23C14/223 , C23C14/352 , C23C14/56
摘要: 本发明公开了一种镀膜机,包括装料机构、真空炉、传动输送机构、溅射靶组、真空抽吸组及控制中心,装料机构设置于真空炉顶端靠近边缘处,装料机构的底部与真空炉连通;溅射靶组位于真空炉顶端且与装料机构相邻处;传动输送机构设置于真空炉内且与溅射靶组对应,传动输送机构的底端与真空炉的底部内侧可拆卸连接;真空抽吸组位于真空炉的外侧并通过管道与真空炉相通;装料机构内侧壁上设置有一加热系统;传动输送机构、溅射靶组、真空抽吸组及加热系统均与控制中心电连接。本发明中的镀膜机分三个阶段抽真空,保证抽真空时不产生明显压差,避免粉末飞起;传动输送机构一体设置便于拆卸替换或清理,还可根据粉体颗粒的大小进行合适的振动源的调节。
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公开(公告)号:CN105886849A
公开(公告)日:2016-08-24
申请号:CN201610457841.4
申请日:2016-06-22
申请人: 哈尔滨工业大学
CPC分类号: C22C21/00 , B22D23/04 , C22C1/101 , C22C1/1036 , C22C26/00 , C22C2001/1073 , C23C14/185 , C23C14/223 , C23C14/35
摘要: 镀W金刚石/铝复合材料的制备方法,它涉及一种金属基复合材料的制备方法。本发明为了解决金刚石与铝发生反应,生成Al4C3,所得复合材料界面结合差、热导率低的技术问题。本方法如下:一、金刚石颗粒表面镀W;二、预热;三、加压浸渗:用炉内压力机施加10~15MPa压力,使熔融铝浸渗入镀W金刚石颗粒中,然后以100℃/h的降温速率降温到300℃以下,卸载压力,关闭真空炉,脱膜,得到镀W金刚石/铝复合材料;金刚石的体积分数为55~65%,致密度≧98%,热导率高达622W/(m·K),热膨胀系数低至7.08×10?6/K,弯曲强度高达304MPa。本发明属于复合材料的制备领域。
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公开(公告)号:CN105506559A
公开(公告)日:2016-04-20
申请号:CN201510931331.1
申请日:2015-12-15
申请人: 龙岩学院
CPC分类号: C23C14/223 , C23C14/14 , C23C14/26 , C23C14/30 , C23C14/35 , G01N21/658
摘要: 本发明公开一种物理方法实现厚银薄膜作为表面增强拉曼散射衬底的装置,在物理方法镀膜设备上安装遮挡板代替模板,遮挡板垂直放置在蒸发源的正上方,遮挡板开设孔洞,基片平行放置在遮挡板的正上方;还公开对应方法。本发明不需要制备AAO模板,也不要改进通常的PVD设备,只在最通常的PVD设备上作简单改动,就可直接利用纯银原料制备出更高性能的SERS衬底银,技术更方便,增强效果也很强,对R6G的增强能力可到10-13M。
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公开(公告)号:CN104582848A
公开(公告)日:2015-04-29
申请号:CN201380044675.X
申请日:2013-08-21
申请人: 日立化成株式会社
IPC分类号: B01J37/02 , B01J23/745 , B82Y40/00 , C01B31/02 , C23C14/34
CPC分类号: C23C14/223 , B01J23/745 , B01J37/0223 , B01J37/347 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/16 , C01B32/162 , C23C14/0036 , C23C14/14 , C23C14/34
摘要: 本发明提供一种碳纳米管合成用催化剂的制造方法,其能够合成单层碳纳米管,并且提高碳纳米管的生产效率。该制造方法具有向滚筒内供给粒状载体的供给工序(S11)、一边使滚筒(10)绕轴线旋转一边以使滚筒(10)的轴线方向上的一侧端部与另一侧端部在上下相对调换的方式使滚筒摆动而进行溅射的催化剂承载用溅射工序(S12)、以及通过使滚筒倾斜而从滚筒排出粒状载体从而回收粒状载体的回收工序(S13)。
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公开(公告)号:CN104480440A
公开(公告)日:2015-04-01
申请号:CN201410612086.3
申请日:2014-11-05
申请人: 烟台首钢磁性材料股份有限公司
CPC分类号: C23C14/32 , C23C14/021 , C23C14/16 , C23C14/223 , C23C14/35 , C23C14/50 , H01F41/026 , C23C14/165
摘要: 本发明公开了一种小尺寸钕铁硼磁体表面真空镀膜方法及专用镀膜设备,将小尺寸钕铁硼磁体试样与钢珠一起放入专用真空镀膜设备的滚筒中,抽真空至6-9×10-3pa,开启滚筒转动并继续抽真空至3-6×10-3pa后,通入氩气至真空度为3-6×10-1pa后,开启靶源,开始真空镀膜;专用镀膜设备炉体结构为卧式,真空炉体内装有网状滚筒,滚筒的一端固定在后炉壁上并由转轴带动,靶源分别设定在炉体两侧,靶面对准滚筒;此种镀膜方法的特点是无污染,对磁体无损伤,专用镀膜设备结构简单,对试样形状限定小,镀膜效率高;主要用于小尺寸钕铁硼磁体表面金属防腐膜层的制备。
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