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公开(公告)号：CN111417042A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN202010187382.9
申请日：2020-03-17
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种兼具实时耳温监测功能的无线耳机系统，属于电子医疗器械领域，包括无线耳机、耳温计，所述无线耳机为骨传导方式，所述耳温计连接在无线耳机的USB接口并可热插拔，佩戴时所述无线耳机佩戴在耳朵外部，所述耳温计塞入耳道，耳温计的测温结果通过无线耳机传输至智能终端；还通过智能终端连接云平台记录数据并进行异常提问提醒。本发明可有效解决非居家且需要重点跟踪人员的体温实时测量和监控的技术难题。相比于常用的耳温枪、额温枪、皮肤体温计等手动式体温测量装置，本发明可以实现自动的、连续的、实时的测量，同时还可以把测量结果实时传输到云端，便于云端的实时分析和监控。
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公开(公告)号：CN110504307A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910803499.2
申请日：2019-08-28
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种具有栅控集电极的SA-LIGBT器件，属于电子器件领域。该器件从左至右包括设置的发射极、栅极、N型漂移区、栅控集电极区域。栅控集电极区域从左至右包括N-buffer Ⅰ缓冲层、P-collector、N-buffer Ⅱ缓冲层、P型电子阻挡层P-base和N-collector。P型电子阻挡层P-base和N-collector下方为横向的槽型栅。正向导通时，P型电子阻挡层P-base可以阻挡电子流向N-collector，增加集电极短路电阻。通过调节P型电子阻挡层P-base的长度和浓度，可以调节集电极短路电阻，消除snapback效应。关断时，P型电子阻挡层会在栅控电压下反型成N型，形成电子通道，提高载流子抽取效率从而有效减少器件的关断时间。
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公开(公告)号：CN119480814A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411653438.X
申请日：2024-11-19
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/473
Abstract: 本发明属于半导体功率模块技术领域，涉及一种半导体功率模块散热结构，包括散热基板，所述散热基板具有流体容腔，所述流体容腔内形成有流体通道，并在所述散热基板上还设有沿流体容腔中的流体流动方向，并位于所述散热基板两端的基板进液口和基板出液口，且所述基板进液口和所述基板出液口分别与所述流体通道的两端连通。本发明使位于半导体功率模块中心的芯片可以得到良好的冷却效果，使整体芯片温度更加均匀，同时解决了传统散热结构在靠近出口处，芯片温度较高的问题。
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公开(公告)号：CN119384128A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411501930.5
申请日：2024-10-25
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H10H20/84 , H10H20/855 , G02B6/12 , G02B6/122
Abstract: 本发明涉及一种基于超表面的氮化硅波导与氮化镓可见光光源耦合结构，属于光电子集成技术领域。该结构从下自上包括硅衬底、二氧化硅包层、氮化硅波导层/超表面结构、BCB键合层、P型氮化镓层、氮化镓多量子阱层、N型氮化镓层和P/N型电极。本发明通过设计氮化硅波导的尺寸匹配可见光单模传输条件与氮化镓发光波长范围，在氮化硅波导层刻蚀制备周期性超表面结构调控氮化镓可见光的振幅、相位和偏振，实现可见光与氮化硅波导的高效率耦合，同时通过BCB键合层实现两种不同材料体系的集成。该设计可有效实现氮化硅光子集成芯片可见光源集成，解决氮化硅波导与可见光激光器耦合损耗较大、对准精度要求高等难题，为芯片级生物医疗检测和光谱分析提供光源实现方案。
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公开(公告)号：CN119384028A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411501935.8
申请日：2024-10-25
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种半导体功率模块，属于器件封装技术领域。该模块包括散热底板、绝缘基板、金属层、功率端子、信号端子、芯片和感温电阻。绝缘基板设置在散热底板表面，金属层设置在绝缘基板表面，功率端子、信号端子、芯片和感温电阻均设置在绝缘基板上且与金属层电连接。部分芯片在绝缘基板中间区域形成下桥，另一部分芯片在下桥两侧形成上桥，上、下桥芯片数量相等。功率端子、上桥芯片和下桥芯片共同在功率模块中形成大小相等、方向相反的功率回路。本发明可解决因电流分配不均匀导致个别芯片温度过高以及因寄生参数过大产生的电磁干扰问题。
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公开(公告)号：CN118763115A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411099128.8
申请日：2024-08-12
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种集成沟道积累型二极管的SiC MOSFET器件，属于功率半导体器件技术领域。该器件包括源极、N+接触区、P‑body区、CSL层、CSL层两侧的P‑shield区、多晶硅栅介质、连接栅极的多晶硅栅、连接源极的多晶硅栅、N型外延层、N型衬底以及漏极。本发明在器件体内形成沟道积累型二极管，其中沟道积累型二极管由右侧的N+接触区、N+接触区下面的CSL层、N+接触区左右两侧的多晶硅栅介质和连接源极的多晶硅栅组成。本发明可以提升第三象限性能，实现低反向导通电压和反向恢复电荷且避免双极退化问题；在提升第三象限性能的同时减少了开关损耗，降低了栅源电容，增强了高频工作性能。
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公开(公告)号：CN115148806B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202210926822.7
申请日：2022-08-03
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种集成钳位二极管的超结4H‑SiC IGBT器件，属于功率半导体器件领域。该器件包括P+发射区、N+发射区、P‑body区、NCEL层、N‑drift区、N‑buffer区、P+集电区、P‑pillar区、P+shield区、金属集电极、金属浮空电极、栅极氧化层、多晶硅栅极、P+区、N+区和金属发射极。本发明引入P‑pillar区改善了漂移区内电场分布；注入P+shield区能够屏蔽栅极氧化层高电场；引入NCEL层作为空穴势垒层，具有载流子注入增强效应；器件顶部集成4H‑SiC PN二极管，既保证导通压降不增大，也减小了饱和电流密度，同时在器件关断时提供了一条空穴的快速抽取路径。
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公开(公告)号：CN118380464A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410528567.X
申请日：2024-04-29
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及一种具有台阶P型GaN半包围MIS栅的高电子迁移率晶体管及制备方法，属于功率半导体器件领域。该晶体管包括源极、栅极、台阶P‑GaN区、钝化层、漏极、AlGaN势垒层、GaN沟道层、缓冲层和衬底。针对目前普通的高电子迁移率晶体管存在的动态导通电阻退化的问题，本发明提出台阶P型GaN结构，其位于栅极下方，各个P型GaN台阶沿栅极到漏极方向呈台阶依次减薄，该结构可以屏蔽器件表面陷阱电荷，改善动态导通电阻退化现象，并且该结构可以调制栅极边缘电场，提升器件耐压。本发明还引入半包围MIS栅结构，将栅极金属与钝化层呈半包围状围绕其下的P‑GaN区，其可以降低导通电阻，增大漏极电流密度以及击穿电压。
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