公开(公告)号：CN105097907B

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201510470426.8

申请日：2015-05-12

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·巴布尔斯克 ,  M·戴内塞 ,  J·G·拉文 ,  P·莱希纳 ,  H-J·舒尔策

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明涉及半导体器件和有隔离源区的反向导电绝缘栅双极晶体管。一种半导体器件，包括半导体台面，其具有与源区形成第一pn结并且与漂移区形成第二pn结的至少一个本体区。在与至少一个本体区相对的漂移区的一侧处的基底层包括至少一个本体区的导电类型的第一区、以及漂移区的导电类型的第二区。电极结构在半导体台面的相对侧上。电极结构中的至少一个包括控制了流过至少一个本体区的电荷载流子的栅电极。在源区中的两个源区之间的分离区域中，(i)栅电极与半导体台面之间的电容耦合或者(ii)漂移区的多数电荷载流子的导电率低于分离区域的外侧。

公开(公告)号：CN105097906B

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201510469220.3

申请日：2015-05-12

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·巴布尔斯克 ,  M·戴内塞 ,  J·G·拉文 ,  P·莱希纳 ,  H-J·舒尔策

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/423 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明涉及半导体器件和有形成在半导体台面源区绝缘栅双极晶体管。一种半导体器件，包括：半导体台面，其包括与源区形成第一pn结并且与漂移区形成第二pn结的至少一个本体区。电极结构在半导体台面的相对侧上。电极结构的至少一个包括配置用于控制流过至少一个本体区的电荷载流子的栅电极。在沿着半导体台面的延伸方向布置的源区之间的分离区域中，半导体台面包括至少一个部分或完整的收缩。

公开(公告)号：CN105047714B

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201510178778.6

申请日：2015-04-15

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： C·魏斯 ,  F·J·涅德诺斯塞德 ,  M·普法芬莱纳 ,  H-J·舒尔策 ,  H·舒尔策 ,  F·翁巴赫

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/40 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331

Abstract: 一种垂直半导体器件，包括半导体主体，其包括第一表面、相对于第一表面的第二表面、以及在基本上垂直于第一表面的垂直方向上延伸的边缘、有源区域、在有源区域和边缘之间在基本平行于第一表面的水平方向上布置的外围区域，以及与第一表面相邻地布置并从有源区域延伸至外围区域的pn结。在外围区域中，半导体器件还包括布置与第一表面相邻的第一导电区域，与第一表面相邻地布置并在水平方向上布置在第一导电区域和边缘之间的第二导电区域、以及钝化结构，其在垂直截面中包括至少部分地覆盖第一导电区域的第一部分，至少部分地覆盖第二导电区域的第二部分。第一部分具有与第二部分不同的层组成和/或不同于第二部分的第二厚度的第一厚度。

公开(公告)号：CN108281487A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201810182957.0

申请日：2014-09-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·G·拉文 ,  H-J·舒尔策 ,  R·巴布斯克

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/0623 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7397

Abstract: 一种半导体器件包括绝缘栅极双极晶体管(IGBT)设置。IGBT设置包括侧向设置在单元区域与敏感区域之间的载流子限制减小区域。配置或形成IGBT设置以使得单元区域在IGBT设置的导通状态下具有自由电荷载流子的第一平均密度，载流子限制减小区域在IGBT设置的导通状态下具有自由电荷载流子的第二平均密度，以及敏感区域在IGBT设置的导通状态下具有自由电荷载流子的第三平均密度。自由电荷载流子的第一平均密度大于自由电荷载流子的第二平均密度，并且自由电荷载流子的第二平均密度大于自由电荷载流子的第三平均密度。

公开(公告)号：CN108091610A

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201711146870.X

申请日：2017-11-17

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： O·黑尔蒙德 ,  I·莫德 ,  I·穆里 ,  H-J·舒尔策

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/683 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/265 ,  H01L21/32051 ,  H01L23/14

Abstract: 公开了一种用于制造半导体裸片的方法。所述方法包括：提供包括切割区域的晶片衬底，在所述切割区域外提供第一刻蚀停止材料，以及将晶片衬底向下朝着所述第一刻蚀停止材料刻蚀。还公开了一种半导体装置芯片。所述半导体装置芯片包括具有半导体装置的装置层和支撑所述装置层的金属支撑层。所述金属支撑层提供所述装置层的金属侧壁保护结构。

公开(公告)号：CN107870156A

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201710891166.0

申请日：2017-09-27

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： N·G·加纳戈纳 ,  M·耶利内克 ,  H·厄夫内尔 ,  H-J·舒尔策 ,  W·舒斯特雷德尔

IPC: G01N21/3563

CPC classification number: G01N21/3563 ,  G01N2021/3568 ,  G01N2021/3572 ,  G01N2021/3595

Abstract: 本发明涉及一种用于确定硅样品中的碳含量的方法，该方法可以包括：在硅样品内部产生电活性的多原子络合物。每个多原子络合物可以包括至少一个碳原子。该方法还可以包括：确定表明在硅样品中产生的多原子络合物的含量的量值并由所确定的量值来确定硅样品中的碳含量。

公开(公告)号：CN107680905A

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201710652352.9

申请日：2017-08-02

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·布雷梅塞尔 ,  H-J·舒尔策 ,  H·舒尔策 ,  W·舒斯特雷德尔

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/22 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/0638 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/167 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/8611 ,  H01L21/22 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/861

Abstract: 晶格空位在半导体层(700)的与工艺表面(701)直接邻接的预处理区(710)中生成。掺杂剂至少注入到所述预处理区(710)中。通过用激光束(850)照射所述工艺表面(701)，来加热所述半导体层(700)的熔化区(712)，激活至少在所述熔化区(712)中的注入的掺杂剂。

公开(公告)号：CN104518016B

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201410508511.4

申请日：2014-09-28

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·G·拉文 ,  H-J·舒尔策 ,  R·巴布斯克

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7396

Abstract: 本发明的实施例涉及半导体器件和用于形成半导体器件的方法。一种半导体器件包括绝缘栅双极型晶体管(IGBT)装置。该IGBT装置包括发射极侧绝缘栅双极型晶体管结构的第一构造区段和发射极侧绝缘栅双极型晶体管结构的第二构造区段。第一构造区段和第二构造区段被布置在半导体器件的半导体衬底的主表面处。此外，IGBT装置包括集电极层和漂移层。集电极层被布置在半导体衬底的背面表面处，并且漂移层被布置在集电极层与第一构造区段和第二构造区段的发射极侧IGBT结构之间。另外，集电极层至少包括与第二掺杂区段横向地邻近的第一掺杂区段。第一掺杂区段和第二掺杂区段包括不同的电荷载流子寿命、不同的导电性类型或不同的掺杂浓度。

公开(公告)号：CN107424928A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201710365051.8

申请日：2017-05-22

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 谢佩珊 ,  H-J·舒尔策

IPC: H01L21/331 ,  H01L23/552 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/0634 ,  H01L21/0465 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L23/552 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/7398

Abstract: 本公开的实施例涉及具有充电平衡设计的功率半导体器件。形成具有竖直间隔开的第一表面和第二表面的半导体本体。形成从半导体本体的第一表面向第二表面竖直延伸的栅极沟槽。在栅极沟槽中形成栅极电极和栅极电介质。栅极电介质将栅极电极与相邻的半导体材料电绝缘。形成从栅极沟槽的底部向半导体本体的第二表面竖直延伸的掺杂超结区域。掺杂超结区域包括从第一半导体层的第一表面竖直延伸并且彼此直接邻接的第一掺杂柱区、第二掺杂柱区和第三掺杂柱区。第二柱区在横向方向上居于第一柱区与第三柱区中间并且具有与第一和第三柱区相反的传导类型。

公开(公告)号：CN106816407A

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201611065064.5

申请日：2016-11-28

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： I·莫德 ,  J·鲍姆加特尔 ,  M·恩格尔哈特 ,  O·赫尔蒙德 ,  I·穆里 ,  H-J·舒尔策

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76267 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02258 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/7621 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/76248 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76272 ,  H01L21/76281 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/76286 ,  H01L21/76289 ,  H01L21/76297

Abstract: 本发明涉及具有掩埋隔离层的衬底及其形成方法。一种用于制造半导体器件的方法包括在第一横向外延过生长区域中形成开口以暴露在开口内的半导体衬底的表面。该方法还包括在开口内的半导体衬底的暴露的表面处形成绝缘层以及使用横向外延生长工艺，使用第二半导体材料填充开口以形成第二横向外延过生长区域。