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公开(公告)号：CN102296361A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110260289.7
申请日：2011-09-05
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种单晶石墨烯的制备方法，属于功能薄膜材料技术领域。本发明将碳氢化合物包袱于金属箔片内，在真空环境或氢气和惰性气体的混合气氛环境下进行热分解处理；然后在真空环境或氢气和惰性气体的混合气氛环境下降温至室温，得到位于金属箔片外侧表面的单晶石墨烯(包括本征或掺杂单晶石墨烯)；其中所述热分解处理的温度高于所述碳氢化合物的分解温度但低于并接近所述金属箔片的熔融温度。本发明具有方法简单、成本低廉、无污染的特点，可制备大面积、高质量和高电子迁移率的石墨烯。本发明可应用于基于石墨烯的电子器件领域，对石墨烯本身的研究具有一定的促进作用。
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公开(公告)号：CN101599364A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910059863.5
申请日：2009-07-01
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种c轴取向钡铁氧体薄膜的制备方法，属于材料技术领域，涉及钡铁氧体薄膜，尤其是c轴取向钡铁氧体薄膜的制备方法。首先将硝酸铁、硝酸钡溶于水和乙二醇的混合溶剂中，得到混合溶液A；然后取一定体积L的混合溶液A，并按0.05~0.20g/ml的比例加入PVP，溶解得到溶胶B；再将步骤2溶胶B旋涂于(001)晶向的蓝宝石基片上，形成薄膜C；再薄膜C进行干燥和热处理，即得到c轴取向钡铁氧体薄膜。本发明具有工艺流程简单、成本低，对生产设备要求不高的特点；并且可实现薄膜的成分的方便调节和膜层厚度的控制。本发明所制备的c轴取向钡铁氧体薄膜具有结构和性能上的各向异性，可用于磁记录介质材料、微波铁氧体器件中。
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公开(公告)号：CN1269168C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200310111073.X
申请日：2003-12-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01H59/00
Abstract: 本发明提供的一种微波/射频微机械开关，它包括：锚位(1)，基底(2)，第一信号线(5)，悬臂梁(6)，接触金属层(7)，第二信号线(8)，其特征是它还包括外加磁场导线(9)、磁致伸缩层(10)；在基底(2)上锚位(1)、外加磁场导线(9)以及第一信号线(5)和第二信号线(8)平行排列；悬臂梁(6)的固定端在锚位(1)上，悬空部分位于外加磁场导线(9)以及第一信号线(5)和第二信号线(8)正上方；悬臂梁(6)上为磁致伸缩层(10)；接触金属层(7)位于悬臂梁(6)悬空部分的正下方。本发明的磁致伸缩型微波/射频微机械开关具有驱动电压低、响应时间短的特点。
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公开(公告)号：CN1790542A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200410081513.6
申请日：2004-12-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种菱形的磁性随机存储器存储单元，它包括：自由层(4)、绝缘层(5)、钉扎层(6)；其特征是所述的磁性随机存储器存储单元的俯视图形状是菱形，所述菱形的长轴a与短轴b之比(以下简称长宽比)大于等于2，即a/b＞＝2。由本发明提供的菱形的磁性随机存储器存储单元构成的磁性随机存储器具有信息记录准确、读写过程稳定及信息记录密度高等特点。
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公开(公告)号：CN120017068A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510086336.2
申请日：2025-01-20
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: H03M5/04 , H03K19/0175 , H03K19/20
Abstract: 本发明涉及模拟集成电路技术领域，特别涉及一种磁隔离编解码电路，包括发射端电路、隔离变压器和接收端电路，发射端电路包括逻辑控制电路、振荡器、脉冲产生电路、驱动电路，接收端电路包括脉冲滤除电路、带隙基准电路、比较器电路、反相器和D触发器；本发明通过加入幅度变化，使高脉冲信号进一步上拉，低脉冲信号接地下拉，再将共模信号滤除，并额外再加入刷新脉冲帮助实时监控信号，极大提升了信号传输的抗干扰度和可靠性，有效保护了功率开关器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN120017019A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510092525.0
申请日：2025-01-21
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: H03K5/04 , H03K5/1252 , H03K5/24 , H03K3/356
Abstract: 本发明属于模拟集成电路技术领域，涉及一种RST/EN电路，包括：迟滞比较器和脉冲宽度检测电路；迟滞比较器的输入端接RST/EN信号、输出端接脉冲宽度检测电路的输入端，脉冲宽度检测电路的输出端输出RST/EN_OUT信号；其中，RST/EN为复位/使能，RST/EN_OUT为复位/使能输出；本发明的迟滞比较器抗干扰能力强，脉冲宽度检测电路可以滤除毛刺，结合迟滞比较器和脉冲宽度检测电路，使得RST/EN电路输出的RST/EN_OUT信号的完整性好、质量高，避免由于噪声或失真导致的误差，从而能够有效提高驱动芯片的抗噪能力和减少外部干扰的影响，从而增强驱动芯片在复杂环境中的稳定性。
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公开(公告)号：CN115605026B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202211288678.5
申请日：2022-10-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电子器件领域，具体涉及一种可直接实现权重差分的无源忆阻交叉阵列器件。本发明基于缺陷分布对阻变方向进行调控，发明了一种新的无源忆阻交叉阵列器件，通过对忆阻交叉阵列中相邻两行忆阻单元输入相反极性的读电压直接进行权重差分。本发明大幅降低了外围电路的复杂度，不再需要依赖减法电路进行权重差分；同时，也不再依赖三极管进行多阻态设置，通过不同的外部电压脉冲刺激，可分别在相反的读电压下读取多个稳定且可区分的电阻状态，进一步降低了外围电路的复杂度，这使得整个系统的能耗将进一步降低。本发明大幅降低了整个神经网络计算过程的能耗，可直接用于后续基于忆阻器的神经网络计算中。
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公开(公告)号：CN118524766A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410566705.3
申请日：2024-05-08
Applicant: 电子科技大学
IPC: H10N30/01 , H10N30/093 , H10N30/00
Abstract: 本发明提供一种柔性单晶压电薄膜结构制备方法，可应用于柔性压电器件的开发。制备方法包括以下步骤:将单晶压电材料与单晶硅采用等离子体活化后进行亲水性键合；采用机械减薄方式将键合后的单晶压电材料减薄；使用电化学沉积法在减薄后的单晶压电材料一侧沉积一层金属作为单晶压电薄膜材料的支撑衬底；利用碱溶液去除硅衬底；利用氢氟酸去除硅与单晶压电薄膜界面处的二氧化硅，最终获得柔性金属作为衬底的柔性单晶压电薄膜结构。本发明制备的柔性单晶压电薄膜由于衬底为柔性金属，可以耐受高温，采用的制备工艺成本低，易于规模化制备。本发明的方案为柔性压电传感器提供衬底支持。
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公开(公告)号：CN118248768A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410365861.3
申请日：2024-03-28
Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: H01L31/113 , H01L31/032 , H01L31/0376 , H01L31/20
Abstract: 本发明属于半导体光电探测器领域，涉及高灵敏全日盲非晶氧化铟镓基光电晶体管及其制备方法，包括：栅极、栅介质层、晶体管有源层、源极以及漏极，晶体管有源层为非晶氧化铟镓薄膜，非晶氧化铟镓薄膜的禁带宽度大于等于4.43eV，吸收带边小于等于280nm；非晶氧化铟镓薄膜的生长气氛和退火气氛均为贫氧气氛；本发明通过控制非晶氧化铟镓薄膜生长时的溅射参数，进而控制In掺入的剂量，保证了非晶氧化铟镓薄膜的日盲紫外响应特性；本发明采用贫氧气氛作为氧化铟镓薄膜生长和热退火处理时的环境气氛，使薄膜内部的氧空位含量大幅增加，进而产生光电导增益并强化了薄膜中载流子的渗流传导，使晶体管具备较高的迁移率和优异的探测灵敏度。
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公开(公告)号：CN118157622A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410366776.9
申请日：2024-03-28
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
Abstract: 本发明属于半导体器件领域，具体涉及一种嵌入式的声表面波谐振器；该谐振器包括：衬底、压电材料、第一叉指电极、第二叉指电极和声反射器；压电材料设置在衬底上，第一叉指电极、第二叉指电极和声反射器设置在压电材料表面或部分嵌入压电材料中，声反射器均设置在压电材料上；压电材料上表面为一斜坡；本发明可提升声表面波谐振器的功率耐受程度，降低叉指电极带来的质量负载效应程度，同时能一定程度提升机电耦合系数、品质因数，具有良好的应用前景。
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