一种等离子体处理制备金属氧化物薄膜阻变存储器的方法

    公开(公告)号:CN106098937B

    公开(公告)日:2018-08-21

    申请号:CN201610704333.1

    申请日:2016-08-22

    Abstract: 本发明提供一种等离子体处理制备金属氧化物薄膜阻变存储器的方法,属于电子薄膜与元器件技术领域。存储器件结构包括:基片、下电极、掺氟金属氧化物以及上电极。该器件利用一种较为新颖的等离子体处理方法,方便可控的制备出缺陷分布均匀的金属氧化物阻变功能层。该层在电场作用下能够方便快速的实现导电通道的形成和断开切换,即器件的低阻状态和高阻状态。同时,具有超低的工作电压。上电极通过掩膜的方法制备,可以极大地缩小器件尺寸,提高集成密度。经过测试发现,用此方法制备出的器件,性能优异。综上所述,在本发明中,我们实现了一种简单、可控、高效切低成本的制备高性能、小尺寸的阻变型存储器的方法。且性能一致性较好,为将来的大面积阻变阵列生产提供了一个可行方法,有极大地应用前景。

    一种新型薄膜体声波谐振器及其制备方法

    公开(公告)号:CN106209002A

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201610494499.5

    申请日:2016-06-29

    CPC classification number: H03H3/02 H03H9/02039 H03H9/02086 H03H2003/023

    Abstract: 本发明涉及微电子器件领域,具体提供一种新型薄膜体声波谐振器及其制备方法,该薄膜体声波谐振器包括Si衬底,于Si衬底上相键合的Si键合层,于Si键合层上设置单晶铌酸锂薄片,所述Si键合层上表面开设空腔,对应设置于空腔内的下电极附着于单晶铌酸锂薄片下表面,于单晶铌酸锂薄片上表面设置上电极,所述上电极与下电极对应设置。本发明谐振器采用单晶铌酸锂薄片作为压电层,能够便捷精确的控制压电层晶格取向,显著提升谐振器的谐振频率和机电耦合系数等性能,同时,利用单晶铌酸锂薄片作为器件支撑结构,有效避免电极支撑带来的性能损害,进一步提升器件性能;并且本发明谐振器结构简单,加工重复性好,能够获得一致性良好的大规模线列和阵列。

    一种多层结构的SAW器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN105978520A

    公开(公告)日:2016-09-28

    申请号:CN201610311205.0

    申请日:2016-05-12

    CPC classification number: H03H3/08 H03H9/02574

    Abstract: 本发明涉及声表波器件制造领域,特别涉及一种多层结构的SAW器件及其制备方法。该多层结构的SAW器件,从上至下依次包括叉指换能器、压电单晶薄片和Diamond薄膜。压电单晶薄片厚度1‑10nm粗糙度1‑10nm,其上制备有叉指换能器。叉指换能器厚度1‑10nm。Diamond薄膜厚度1‑10μm,粗糙度5‑10nm,制备于硅基上。本发明通过降低压电晶体的厚度,使其只是激发和接收声表面波,而声表面波的传播在金刚石内,在相同的叉指换能器指宽的情况下,能够显著提高器件的工作频率。可满足高频、高机电耦合系数、小体积的声表面波的器件应用领域的需求。

    一种大视场阵列红外探测器

    公开(公告)号:CN105509891A

    公开(公告)日:2016-04-20

    申请号:CN201510846774.0

    申请日:2015-11-27

    CPC classification number: G01J5/0025 G01J5/10 G01J2005/106

    Abstract: 本发明属于电子材料与元器件技术领域,涉及基于柔性基板的以复合膜为敏感单元的大视场阵(线)列红外探测器,用于克服现有探测器视场小的缺点。本发明大视场阵列红外探测器,包括:封装底座、穿过底座设置的引脚、安装在封装底座上的PCB板、PCB板上连接设置的敏感电路、以及封装冒,其特征在于,所述封装冒为球形封装冒,球形封装冒开设曲面窗口、曲面窗口内镶嵌球面滤光片;所述敏感电路为曲面敏感电路,所述曲面敏感电路呈与曲面窗口对应的曲面状。本发明提供大视场阵(线)列红外探测器能够实现阵列红外探测器的大视场,且探测器红外视场可调节;同时,本发明红外探测器性能优越、结构简单,生产成本低、应用范围广。

    一种窄带高抑制声表面波滤波器的电路结构及滤波器

    公开(公告)号:CN118399921A

    公开(公告)日:2024-07-26

    申请号:CN202410468874.3

    申请日:2024-04-18

    Inventor: 杨子毅 帅垚

    Abstract: 本发明公开了一种用于窄带高抑制声表面波滤波器的电路结构及滤波器,包括串联电路,所述串联电路的输入端和输出端之间设置串联谐振器,相邻所述串联谐振器之间均设置至少一并联电路,所述串联电路与输出端间也设置至少一并联电路,所述并联电路均设置至少一并联谐振器,所述并联谐振器一端与串联电路连接,所述并联谐振器另一端接地。所述并联电路上串连至少一个串联限点谐振器X,或所述串联电路上并联至少一个并联限点谐振器Y。其通过在电路构建至少一个所述限点谐振器X或Y,以在原滤波器的通带或高低侧过渡带的位置附近增加限点,缩窄滤波器通带带宽,提高过渡带的陡降,同时,可通过进一步调节各谐振器结构参数达到更优性能。

    一种兰姆波谐振器
    68.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118100851A

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202410286231.7

    申请日:2024-03-13

    Abstract: 本发明属于射频微机电系统技术领域,具体涉及一种兰姆波谐振器。本发明首先在兰姆波谐振器底部设置布拉格反射层,用以反射谐振器底部泄露的能量,同时提高谐振器机械稳定性与功率容量;其次将电极与压电层分开悬空设置,悬空电极不与压电薄膜直接接触,仅起到为谐振器提供电学激励的作用,可以减小压电薄膜质量负载与机械损耗,同时增加谐振器的Q值;最后采用介电嵌入活塞结构通过在电极末端投影区域的压电薄膜上刻槽并填充介电材料,形成自由振动边界,从而抑制谐振器的横向杂散模态。最终本发明实现了高频下抑制杂散模态效果良好、能量泄露少并且谐振器品质因素Q值高的优点。

    一种忆阻器神经网络权重训练方法

    公开(公告)号:CN117131917A

    公开(公告)日:2023-11-28

    申请号:CN202311095235.9

    申请日:2023-08-28

    Abstract: 本发明属于忆阻器神经网络计算领域,具体涉及一种忆阻器神经网络权重训练方法。本发明将神经网络权重参数写入到忆阻器阵列后,通过对忆阻器施加正向脉冲使得该忆阻器的电导值增大ΔG1,若修改后推理过程的损失值相比于修改前降低了,则保存本次修改;若忆阻器电导值增大后推理过程产生的损失值相比于修改前增大了,则对该忆阻器施加反向脉冲,使得该忆阻器的电导值降低2ΔG2;如此循环使得本发明对目标忆阻器训练得到的权重精度逐次逼近的方式趋近于理想值。本发明有效解决了现有技术中神经网络以离线训练的方式移植到忆阻器上后,神经网络性能下降的缺陷,且本发明中提出的忆阻器神经网络权重训练规则简单,易于实现自动化。

    一种基于双波段热释电器件的温度识别分类方法

    公开(公告)号:CN114239654B

    公开(公告)日:2023-05-12

    申请号:CN202111548498.1

    申请日:2021-12-17

    Abstract: 本发明涉及热释电检测的温度识别分类领域,具体为一种基于双波段热释电器件的温度识别分类方法。本发明根据双波段热释电器件输出的双波段特性,利用目标黑体不同温度可映射不同双波段比值的特点,将双波段比值作为该信号的主要特征,再额外加上时域和频域的一部分特征作为该信号的特征集,从而对信号的主要特征提取完毕;并与机器学习相结合,进而达到良好的温度识别分类效果。本发明易于实现且能达到良好的分类效果,有效解决了现有的温度识别分类方法受限于各自类别使得普适性较低的问题,且可以应用于其他领域,为其他领域的发展提供新的思路。

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