公开(公告)号：CN104422811B

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201410450007.3

申请日：2014-09-05

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 根本敬继 ,  中柴康隆 ,  桥本隆介 ,  内田慎一

IPC: G01R19/00 ,  G01R15/18

Abstract: 本发明提供了一种传感器装置，其能够降低成本。该传感器装置包括印刷电路板、第一端子、第二端子、互连线和半导体装置。第一端子和第二端子设置在印刷电路板上并且耦接到电力线。第二端子耦接到电力线的相对于第一端子的下游部分。互连线设置在印刷电路板上以将所述第一端子和所述第二端子彼此耦接。换句话讲，互连线与电力线并联耦接。半导体装置安装在印刷电路板上并且包括互连层和形成在互连层中的电感器。

公开(公告)号：CN110031931A

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201811504759.8

申请日：2018-12-10

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中柴康隆 ,  绵贯真一

IPC: G02B6/12

Abstract: 本申请涉及半导体器件。在具有在第一半导体层上方堆叠第二半导体层且插入有电介质层的配置的SIS型光波导部分中，第一半导体层在没有堆叠第二半导体层的第一引出部分处电耦合到第一电极。此外，第二半导体层在不与第一半导体层重叠的第二引出部分处电耦合到第二电极。结果，当通过干法刻蚀形成用于形成第二电极的接触孔时，第一半导体层和第二半导体层之间的电介质层不会被损坏或破坏，并且因此可以防止第一半导体层和第二半导体层之间的短路故障。因此，可以提高光波导部分的可靠性。

公开(公告)号：CN104078506B

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201410113786.8

申请日：2014-03-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 下村彰宏 ,  秋山豊 ,  下村纱矢 ,  中柴康隆

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及半导体器件。在漂移层中形成第二导电类型的掩埋层和第二导电类型的下层。在第二导电类型的掩埋层的侧部和漂移层之间的边界中形成边界绝缘膜。第二导电类型的下层与第二导电类型的掩埋层的下端和边界绝缘膜的下端相接触。第二导电类型的掩埋层与源电极电连接。在第二导电类型的掩埋层的表面层中形成第二导电类型的高浓度层。

公开(公告)号：CN104915708B

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201510232362.8

申请日：2010-10-15

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中柴康隆 ,  大窪宏明 ,  冈田光司 ,  中田茂治 ,  香川修一

IPC: G06K19/077 ,  G11C16/22

CPC classification number: G06K19/073 ,  G11C7/24 ,  H03K19/017509

Abstract: 本发明涉及接口IC和包括接口IC的存储卡。本发明的示例性方面是存储卡，包括：存储器，该存储器存储数据；驱动器，该驱动器调制被存储在存储器中的数据；发射机，该发射机将通过驱动器调制的数据发射到被设置在外部主单元中的接收机；以及IC芯片，该IC芯片具有被形成在其中的驱动器和发射机。

公开(公告)号：CN103972209B

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201410015626.X

申请日：2014-01-14

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 内田慎一 ,  中柴康隆

IPC: H01L23/522

CPC classification number: H01F21/12 ,  H01F21/10 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/645 ,  H01L28/10 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及电感器装置和半导体装置。该电感器装置包括绝缘层、电感器、固定电极、以及可移动电极。电感器被形成在绝缘层上。固定电极被设置在平面图中不与电感器交迭的位置中。可移动电极在平面图中与电感器和固定电极交迭，并且与电感器和固定电极分离。此外，可移动电极包括第一开口。

公开(公告)号：CN104422819A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410452684.9

申请日：2014-09-05

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 根本敬继 ,  中柴康隆 ,  桥本隆介 ,  内田慎一 ,  吴一宪 ,  大江宽 ,  吉川法子

IPC: G01R19/25 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/5227 ,  G01R15/181 ,  G01R21/00 ,  G01R31/2607 ,  G01R33/06 ,  H01F21/00 ,  H01F27/2804 ,  H01F2017/0073 ,  H01L23/5286 ,  H01L28/10

Abstract: 本发明涉及一种传感器设备。所述传感器设备包括电力线和半导体器件。半导体器件包括电感器。电感器使用互连层(如后续使用图3描述)形成。当从垂直于半导体器件的方向观察时，电力线和半导体器件彼此重叠。半导体器件包括两个电感器。当从垂直于半导体器件的方向观察时，电力线在两个电感器之间延伸。

公开(公告)号：CN104253101A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201410409959.0

申请日：2010-12-15

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中柴康隆 ,  小川健太

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L25/16

CPC classification number: H01L28/10 ,  G11C5/005 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49855 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/562 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/97 ,  H01L27/0688 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/15183 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H05K1/117 ,  H05K3/0052 ,  H05K3/284 ,  H05K2201/0949 ,  H05K2201/09845 ,  H05K2203/0228 ,  H05K2203/1316 ,  H05K2203/1572 ,  Y10T29/4902 ,  Y10T29/4913 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明涉及外部存储装置。该外部存储装置包括：互连基板；提供在互连基板中的接触型外部端子；设置在互连基板的第一表面上方的半导体芯片；以及形成在互连基板的第一表面上方的密封树脂层。密封树脂层密封半导体芯片并且没有覆盖外部端子。半导体芯片包括：存储元件、电连接到存储元件的多个电感器、驱动多个电感器的电路以及互连层。互连层形成在半导体芯片的下述表面上方，并且包括多个电感器，所述表面是与半导体芯片的面对互连基板的第一表面的表面不同的表面，电感器的每一个通过互连层连接到电路，并且电路根据预定的规则改变电路的电感器驱动。

公开(公告)号：CN101009294B

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN200710008163.4

申请日：2007-01-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中柴康隆

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14678 ,  G06K9/0004 ,  H01L27/1464

Abstract: 一种背面入射型的固态摄像装置，其具有半导体衬底、半导体层、和光接收部分。半导体衬底具有电阻率ρ1。半导体层位于半导体衬底的表面上。半导体层具有电阻率ρ2。其中，ρ2＜ρ1。光接收部分位于半导体层中。在该固态摄像装置中，在半导体衬底的内部或者半导体层的内部对从摄像对象到半导体衬底的背面上的入射光进行光电转换，并且光接收部分对通过光电转换产生的信号电荷进行接收，从而对摄像对象进行摄像。

公开(公告)号：CN103022002A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210382395.7

申请日：2009-06-05

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中柴康隆

IPC: H01L23/522

CPC classification number: H01L27/0617 ,  H01L23/5227 ,  H01L27/1203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。在衬底（10）上形成多层布线层（400）、第一电感器（310）和第二电感器（320）。通过交替地依次堆叠绝缘层和布线层t次或更多次而形成多层布线层，其中t≥3。将第一电感器（310）设置在多层布线层（400）中的第n布线层中。第二电感器（320）被设置在多层布线层（400）中的第m布线层中并位于第一电感器（310）上方，其中t≥m≥n+2。在位于第n布线层与第m布线层之间的任何一个布线层中不设置位于第一电感器（310）上方的任何电感器。第一电感器（310）和第二电感器（320）组成在两个方向中的任何一个方向上传输电信号的信号传输器件（300）。

公开(公告)号：CN102931163A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201210407537.0

申请日：2007-07-03

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中柴康隆

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L2224/16 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及具有电感器的半导体装置。该半导体装置包括半导体芯片。该半导体芯片具有半导体衬底、互连层、电感器和导电焊盘（第一焊盘）。互连层位于半导体衬底上。该互连层包括电感器。该焊盘位于互连层上。该焊盘位于半导体芯片的电路形成区域内的不与电感器重叠的区域中。