公开(公告)号：CN104078506B

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201410113786.8

申请日：2014-03-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 下村彰宏 ,  秋山豊 ,  下村纱矢 ,  中柴康隆

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及半导体器件。在漂移层中形成第二导电类型的掩埋层和第二导电类型的下层。在第二导电类型的掩埋层的侧部和漂移层之间的边界中形成边界绝缘膜。第二导电类型的下层与第二导电类型的掩埋层的下端和边界绝缘膜的下端相接触。第二导电类型的掩埋层与源电极电连接。在第二导电类型的掩埋层的表面层中形成第二导电类型的高浓度层。

公开(公告)号：CN104078506A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410113786.8

申请日：2014-03-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 下村彰宏 ,  秋山豊 ,  下村纱矢 ,  中柴康隆

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8083

Abstract: 本发明涉及半导体器件。在漂移层中形成第二导电类型的掩埋层和第二导电类型的下层。在第二导电类型的掩埋层的侧部和漂移层之间的边界中形成边界绝缘膜。第二导电类型的下层与第二导电类型的掩埋层的下端和边界绝缘膜的下端相接触。第二导电类型的掩埋层与源电极电连接。在第二导电类型的掩埋层的表面层中形成第二导电类型的高浓度层。