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公开(公告)号：CN105750741B
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201511008904.X
申请日：2015-12-29
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供晶片的生成方法，从锭高效地生成晶片。从六方晶单晶锭生成晶片的晶片的生成方法具有：分离起点形成步骤，将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距锭的正面相当于要生成的晶片的厚度的深度，并且使该聚光点与该六方晶单晶锭相对地移动而对锭的正面照射激光束，形成与正面平行的改质层和从该改质层沿着c面伸长的裂痕而形成分离起点；以及晶片剥离步骤，将形成有分离起点的六方晶单晶锭浸渍到水中并且赋予超声波振动，而将板状物从六方晶单晶锭剥离。
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公开(公告)号：CN106041329B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201610192785.6
申请日：2016-03-30
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: H01L21/02005 , B23K26/0006 , B23K26/032 , B23K26/046 , B23K26/0622 , B23K26/082 , B23K26/0823 , B23K26/0853 , B23K26/38 , B23K26/53 , B23K26/702 , B23K37/00 , B23K2101/40 , B28D1/221 , C30B29/36 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B33/06 , H01L21/304
Abstract: 提供晶片的生成方法，能够从锭高效地生成晶片。晶片的生成方法包含改质层形成步骤，将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距正面相当于要生成的晶片厚度的深度，并且使聚光点与六方晶单晶锭相对地移动而对正面照射激光束，形成与正面平行的改质层和从改质层起伸长的裂痕。在改质层形成步骤中，以激光束的聚光点从锭的内周朝向外周相对地移动的方式照射激光束。
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公开(公告)号：CN106041328B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201610191139.8
申请日：2016-03-30
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供晶片的生成方法，从锭高效地生成晶片。晶片的生成方法包含分离起点形成步骤，照射对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束聚光点，形成与锭的正面平行的改质层和从改质层伸长的裂痕而形成分离起点。分离起点形成步骤包含改质层形成步骤，c轴相对于正面的垂线倾斜偏离角，使激光束的聚光点沿着与在正面和c面之间形成偏离角的方向垂直的方向相对地移动而形成直线状的改质层。在改质层形成步骤中，使激光束的偏光面与加工方向相符而照射激光束。
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公开(公告)号：CN110047746A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910007502.X
申请日：2019-01-04
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 平田和也
IPC: H01L21/304 , H01L21/67 , H01L21/66
Abstract: 提供平坦化方法，能够避免SiC锭的剥离面的过量磨削从而缩短磨削时间。平坦化方法包含如下的工序：磨削工序，将SiC锭(2)的与剥离面(58)相反的一侧保持于可旋转的卡盘工作台(62)，使具有呈环状配设的多个磨削磨具(74)的磨轮(72)进行旋转而对保持于卡盘工作台(62)的SiC锭(2)的剥离面(58)进行磨削；以及平坦度检测工序，向从磨轮(72)露出的SiC锭(2)的剥离面(58)照射光并对反射光进行检测，从而检测平坦的程度。在通过平坦度检测工序检测为SiC锭(2)的剥离面(58)平坦时，结束磨削工序。
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公开(公告)号：CN107717248A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710646236.6
申请日：2017-08-01
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 平田和也
IPC: B23K26/53
Abstract: 提供SiC晶片的生成方法，实现生产性的提高。一种SiC晶片的生成方法，从单晶SiC锭生成SiC晶片，其中，该SiC晶片的生成方法包含如下工序：剥离面生成工序，在SiC锭的内部形成多个由改质层和从改质层起沿着c面延伸的裂纹构成的分离层而生成剥离面；以及晶片生成工序，以剥离面为界面将锭的一部分剥离而生成SiC晶片。在剥离面生成工序中，脉冲激光光线的能量密度被设定为如下的能量密度：重叠照射在之前形成的分离层上的脉冲激光光线不会因在分离层上反射而在分离层的上方形成损伤层，或者不会因透过分离层而在分离层的下方形成损伤层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107262945A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710216651.8
申请日：2017-04-05
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 平田和也
IPC: B23K26/53
Abstract: 提供晶片的生成方法，能够从锭高效地生成晶片。晶片的生成方法从SiC锭生成晶片，该晶片的生成方法包含第1改质层形成步骤和第2改质层形成步骤。在第1改质层形成步骤中，对锭照射具有第1功率的第1激光束而在锭的第1深度散在地形成第1改质层。在第2改质层形成步骤中，将具有比第1功率大的第2功率的第2激光束定位成使其聚光点位于比第1深度深的位置，进而将第2激光束定位成与第1改质层重叠，对晶片照射第2激光束而在第1深度的位置连续地形成第2改质层和从第2改质层沿着c面延伸的裂痕。
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公开(公告)号：CN107030905A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611224048.6
申请日：2016-12-27
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 平田和也
IPC: B28D5/02 , H01L21/268
Abstract: 本发明提供晶片的生成方法，能够从钽酸锂锭高效率地生成晶片并减少被舍弃的锭的量。一种晶片生成方法，从钽酸锂锭生成晶片，该晶片生成方法包含从具有与Y轴平行地形成的定向平面的42°旋转Y切锭即钽酸锂锭的端面将对于钽酸锂具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在锭内部而进行照射并一边对锭进行加工进给一边在锭内部形成改质层的工序、以及对锭施加外力而将板状物从锭剥离从而生成晶片的工序。在形成改质层的工序中，在与定向平面平行或垂直的方向上对锭进行相对地加工进给。
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公开(公告)号：CN106346619A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610512179.8
申请日：2016-06-30
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 平田和也
Abstract: 提供晶片的生成方法，能够从锭高效地生成晶片。从六方晶单晶锭生成晶片的晶片的生成方法包含改质层形成步骤，c轴相对于锭正面的垂线倾斜偏离角，在正面与c面之间在与形成有偏离角的方向垂直的方向上使激光束的聚光点相对地移动而形成直线状的改质层。在改质层形成步骤中，在激光束的光斑面积全部与锭的上表面交叠之前以从未达到相当于晶片的厚度的深度的位置起描绘抛物线的方式定位激光束的聚光点，在光斑面积全部与上表面交叠的时刻将聚光点定位在相当于晶片的厚度的深度。
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公开(公告)号：CN106239751A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610391111.9
申请日：2016-06-03
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 平田和也
CPC classification number: B23K26/0006 , B23K26/53 , B23K2103/56 , B24B7/228 , B28D5/0011 , C30B29/36 , C30B29/406 , C30B33/06 , B28D5/0082 , B28D5/04
Abstract: 提供晶片的生成方法，经济性地生成晶片。晶片的生成方法从c面露出于上表面且具有与c面垂直的c轴的六方晶单晶锭生成具有α的偏离角的晶片，具有如下的步骤：支承步骤，隔着楔角度为α的楔状部件利用支承工作台对六方晶单晶锭进行支承而使上表面相对于水平面倾斜偏离角α；改质层形成步骤，将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距上表面的第1深度，在与形成有偏离角α的第2方向垂直的第1方向上使聚光点和六方晶单晶锭相对地移动而对上表面照射激光束，在六方晶单晶锭的内部形成直线状的第1改质层和从第1改质层沿着c面延伸的第1裂纹；和转位步骤，使聚光点在第2方向上相对地移动而转位进给规定的量。
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公开(公告)号：CN106041328A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610191139.8
申请日：2016-03-30
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供晶片的生成方法，从锭高效地生成晶片。晶片的生成方法包含分离起点形成步骤，照射对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束聚光点，形成与锭的正面平行的改质层和从改质层伸长的裂痕而形成分离起点。分离起点形成步骤包含改质层形成步骤，c轴相对于正面的垂线倾斜偏离角，使激光束的聚光点沿着与在正面和c面之间形成偏离角的方向垂直的方向相对地移动而形成直线状的改质层。在改质层形成步骤中，使激光束的偏光面与加工方向相符而照射激光束。
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