公开(公告)号：CN101599456A

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200910148966.9

申请日：2005-06-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 鹤目卓也 ,  大力浩二

IPC: H01L21/77 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1214 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68368

Abstract: 本发明的目的是防止薄膜集成电路在转移到基底材料的工艺期间脱落。通过本发明的制造方法，在衬底表面上选择性地形成分离层；由此，形成提供分离层的第一区和不提供分离层的第二区。在分离层之上形成薄膜集成电路。然后，形成用于暴露分离层的开口部分，将蚀刻剂引入到开口部分中以去除分离层。因此，在提供有分离层的区域中产生间隔，而在没有分离层的区域中不产生间隔。因此，通过之后提供不产生间隔的区域，即使在去除了分离层之后也能防止薄膜集成电路脱落。

公开(公告)号：CN101369540A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200810210492.1

申请日：2008-08-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  手塚祐朗 ,  鸟海聪志 ,  古野诚 ,  神保安弘 ,  大力浩二 ,  桑原秀明

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20

CPC classification number: C23C16/515 ,  C23C16/509 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/04 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的目的在于提供一种在大面积衬底上形成品质良好的微晶半导体膜的方法。本发明的技术要点如下：在栅电极上形成栅极绝缘膜之后，为了提高在成膜初期中形成的微晶半导体膜的品质，通过提供具有不同频率的高频电力产生辉光放电等离子体，在成膜速度低而品质良好的第一成膜条件下形成栅极绝缘膜界面附近的膜的下部，然后在成膜速度高的第二成膜条件下堆积膜的上部。接触微晶半导体膜上地层叠缓冲层。

公开(公告)号：CN101019237A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200580028239.9

申请日：2005-08-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大力浩二 ,  丸山纯矢 ,  田村友子 ,  杉山荣二 ,  道前芳隆

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/1255 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627 ,  H01L29/78648

Abstract: 本发明的一个目的是降低无线芯片的成本，进一步，通过实现大量生产无线芯片而降低无线芯片的成本，并且更进一步，提供小型化和较轻的无线芯片。根据本发明提供一种无线芯片，其中从玻璃衬底或石英衬底上剥离下来的薄膜集成电路形成在第一基底材料和第二基底材料之间。与由硅衬底形成的无线芯片对比，根据本发明的无线芯片实现了小、薄和轻。根据本发明的无线芯片中包含的薄膜集成电路至少包含：具有LDD(轻掺杂漏极)结构的n－型薄膜晶体管，具有单个漏极结构的p－型薄膜晶体管，以及作为天线的导电层。

公开(公告)号：CN1976010A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610163786.4

申请日：2006-12-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田村友子 ,  青木智幸 ,  鹤目卓也 ,  大力浩二

IPC: H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1214

Abstract: 用于制造半导体器件的方法，第一半导体集成电路和第二半导体集成电路，其被设置在第一衬底之上使得第二半导体集成电路中的每一个与第一半导体集成电路中的一个相邻，通过多个转移操作被转移到另外的衬底。在形成在第一衬底之上的第一半导体集成电路和第二半导体集成电路被分别转移到另外的衬底(第四衬底和第五衬底)之后，这些电路被分成对应于每一个半导体集成电路的半导体器件。在第四衬底之上第一半导体集成电路被设置同时使彼此保持距离，以及在第五衬底之上第二半导体集成电路被设置同时使彼此保持距离。因此，可以获得第四衬底和第五衬底中的每一个的大的分割边限。

公开(公告)号：CN1922721A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200580005460.2

申请日：2005-02-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大力浩二

IPC: H01L21/336 ,  G06K19/07 ,  G06K19/077 ,  G06K19/10 ,  G11C17/12 ,  H01L21/20 ,  H01L27/10 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02683 ,  G11C17/12 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/13 ,  H01L29/04

Abstract: 本发明旨在提供一种达到高机械强度而不缩小电路规模并且能够在降低成本的同时防止数据被伪造和非法更改的半导体器件。本发明公开了一种以从包括具有高结晶度的第一区和结晶度低于第一区的第二区的半导体薄膜形成的ID芯片为代表的半导体器件。具体地，通过使用第一区形成要求高速操作的电路的TFT(薄膜晶体管)，并通过使用第二区形成用于识别ROM的存储元件。

公开(公告)号：CN1893033A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610100198.6

申请日：2006-06-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大力浩二 ,  楠本直人 ,  鹤目卓也

IPC: H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292

Abstract: 本发明的一个目的在于提供制造半导体器件的方法，该方法消除了在将半导体元件形成在基片上后基片变薄或者除去基片的情形中，由于杂质元素或者水分等从外界进入而对半导体元件产生的影响。其一个特征是通过对基片进行表面处理在基片的至少一个侧面上形成起防护膜作用的绝缘薄膜，将半导体元件(比如薄膜晶体管)形成在所述绝缘薄膜上，和薄化所述基片。作为表面处理，对基片进行杂质元素的加入或者等离子处理。作为薄化基片的方法，通过对基片另一侧面进行研磨处理或者抛光处理等可以使基片被部分除去。

公开(公告)号：CN1832151A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200610004003.8

申请日：2006-01-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 青木智幸 ,  大力浩二

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L23/49894 ,  C03C17/3649 ,  G02F1/13439 ,  H01L21/4867 ,  H01L21/6835 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3281 ,  H01L27/3297 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/524 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种具有图案的衬底的制造方法，该方法能够控制邻近薄膜图案之间的距离，还提供了具有窄宽度和厚度的图案的衬底的制造方法，该方法能够控制薄膜图案之间的宽度。本发明提供了一种具有用作具有在电感方面变化较小并具有大电动势的天线的导电膜的衬底的制造方法，以及提供一种具有高产量的半导体器件的制造方法。在衬底、绝缘膜、或导电膜上方形成其中硅与氧结合并且非活性基团与硅结合的薄膜之后，在其上通过印刷法印刷组合物，并烘烤以形成薄膜图案。

公开(公告)号：CN1767179A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200510109909.1

申请日：2005-09-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 鹤目卓也 ,  大力浩二 ,  楠本直人

IPC: H01L23/18 ,  H01L21/54

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L23/20 ,  H01L23/22 ,  H01L23/58 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2224/29075 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种无需固定到产品上便可使用的新型无线芯片。明确地说，无线芯片可通过密封步骤而具有新功能。根据本发明的无线芯片的一个特征是具有一种结构，在这种结构中，薄膜集成电路通过薄膜来密封。具体来说，密封集成电路的薄膜具有空心结构；因此无线芯片可具有新功能。

公开(公告)号：CN1716575A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200510078881.X

申请日：2005-03-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 丸山纯矢 ,  矶部敦生 ,  冈崎奖 ,  田中幸一郎 ,  山本良明 ,  大力浩二 ,  田村友子

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/83 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是提供一种制造半导体器件的方法，其能够防止在完成半导体元件之前的阶段中剥离层从衬底上被剥离并能快速剥离半导体元件。据认为是因为由衬底和剥离层之间的热膨胀系数差异引起在剥离层上施加一应力，或者因为由于剥离层结晶化热处理引起剥离层的体积减小并因此在其上施加一应力，从而剥离层趋于从衬底上被剥离。因此，根据本发明的一个特征，通过在衬底上形成剥离层之前在衬底和剥离层之间形成用于释放剥离层上的应力的绝缘膜，增强了衬底和剥离层的粘接。