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公开(公告)号：CN100392929C
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200510070180.1
申请日：2005-05-10
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明公开一种半导体器件及其制造方法。在具有形成于其上的作为凹陷部分的刻槽区域的已处理衬底上，布置氮化物半导体薄膜。填充所述凹陷部分的所述氮化物半导体薄膜占据的截面面积为所述凹陷部分的截面面积的0.8倍或更低。从而防止了裂纹的产生。而且，通过抑制由形成氮化物半导体薄膜的原材料原子和分子从隆脊表面上的顶面生长部分迁移或移动至刻槽区域而导致的氮化物半导体薄膜的形成的方法，形成了具有良好表面平坦度的氮化物半导体生长层，从而消除了电流泄漏通道和损坏。
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公开(公告)号：CN1983748A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610171711.0
申请日：2006-12-15
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/44 , H01S5/028 , H01S5/2036 , H01S5/22
Abstract: 在光射出部形成涂膜的氮化物半导体发光元件，是一种光射出部由氮化物半导体构成、与光射出部相接的涂膜由氧氮化物构成的氮化物半导体发光元件。还有一种氮化物半导体激光元件的制造方法，是制造在共振器端面形成涂膜的氮化物半导体激光元件的方法，包括通过解理形成共振器端面的工序和在共振器端面形成由氧氮化物构成的涂膜的工序。
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公开(公告)号：CN1921243A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610121688.4
申请日：2006-08-28
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 对具有氮化物半导体层的衬底解理，以形成谐振器端面，在所述谐振器端面上形成涂覆膜，从而制成氮化物半导体激光棒。将其划分为氮化物半导体激光元件。在谐振器端面形成涂覆膜之前，将谐振器端面暴露于由含有氮气的气体生成的等离子体气氛中。当以“a”表示所述暴露之前所述谐振器端面的表面内的氮镓比率，以“b”表示在所述暴露之前自所述谐振器端面的表面起的内部的氮镓比率的平均值，以“d”表示在暴露于所述等离子体气氛之后所述谐振器端面的表面内的氮镓比率，以“e”表示在所述暴露之后自所述谐振器端面的表面起的内部的氮镓比率的平均值时，将由g＝(b·d)/(a·e)表示的值“g”设为满足g≥0.8的值。
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公开(公告)号：CN1805230A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200510136195.3
申请日：2005-12-20
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件及其制造方法。六方晶系结晶的粘合层设置在具有氮化物基III－V族化合物半导体层的氮化物激光棒的光谐振器端面上，并且端面涂膜设置在粘合层上。这样，就得到了端面涂膜设置在粘合层上的结构。本发明增加了光谐振器端面和端面涂膜之间的粘合力，从而就不需要通过控制薄膜厚度来防止pn结短路和光吸收。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1638220A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200510003967.6
申请日：2005-01-05
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/3202 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01S5/0207 , H01S5/32341 , H01S2304/12
Abstract: 公开了一种氮化物半导体发光器件及其制造方法，该发光器件包括：其至少部分表面由氮化物半导体构成的氮化物半导体基板；及叠置于氮化物半导体基板表面上的氮化物膜半导体生长层，其中在氮化物半导体基板表面上形成具有106cm－2或更小缺陷密度的低缺陷区域及呈现凹部形状的挖入区域，而且，在凹部的截面图中测量的凹部的侧面部分与其底面部分的延长线之间的角度即刻蚀角θ在75°≤θ≤140°的范围内。这防止了裂纹的产生，并减少自挖入区域的底部生长部分的蠕升生长，因而减小侧部生长部分的膜厚。这使得可以高合格率地制造出具有良好表面平坦度的氮化物半导体生长层的氮化物半导体激光器件。
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公开(公告)号：CN1581610A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN200410055604.2
申请日：2004-07-30
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L33/007 , H01S5/0213 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/34333 , H01S2304/04 , H01S2304/12
Abstract: 一种氮化物半导体激光器件，其使用低缺陷密度的基板，在氮化物半导体膜内含有很小的应变，从而使其具有令人满意的长的使用寿命，在缺陷密度为106cm－2或更低的GaN基板(10)上通过蚀刻形成条形凹陷部分(16)。在该基板(10)上生长氮化物半导体膜(11)，在远离凹陷部分(16)上方的区域中形成激光条(12)。使用这样的结构时，激光条(12)中没有应变，半导体激光器件具有长的使用寿命。另外，氮化物半导体膜(11)形成的裂隙很少，从而能够大幅提高产率。
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公开(公告)号：CN103907211B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201280053485.X
申请日：2012-09-14
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 神川刚
IPC: H01L33/60 , F21S2/00 , F21V29/00 , H01L33/64 , F21Y115/10
CPC classification number: F21V13/08 , F21K9/90 , F21V7/0066 , F21V7/22 , F21Y2115/10 , H01L24/45 , H01L25/0753 , H01L33/60 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45169 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047 , H01L2924/181 , H01L2933/0091 , Y10T29/4913 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种发光装置、照明装置以及发光装置的制造方法。该发光装置(50)具有：发光元件(60)；具有搭载发光元件(60)的搭载面(70a)及位于与搭载面(70a)相反一侧且不搭载发光元件(60)的面即非搭载面(70b)的陶瓷基板(90)。该金属反射膜(90)对透过陶瓷基板(70)的、来自发光元件(60)的光进行反射。(70)；形成于非搭载面(70b)上的金属反射膜
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公开(公告)号：CN103918093B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201380003789.X
申请日：2013-05-29
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 神川刚
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L33/502 , H01L24/29 , H01L33/483 , H01L33/507 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L33/641 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体发光装置(50)，其包含：包含透明基板(110)的半导体发光元件(100)；搭载有半导体发光元件(100)的反射基板(60)；具有透光性的粘接层(70)，其包含荧光体(72)，且将半导体发光元件(100)固定在反射基板(60)上；密封部件(80)，其包含荧光体(82)，且密封半导体发光元件(100)。在该半导体发光装置(50)中，粘接层(70)具有密封部件(80)所包含的荧光体(82)的平均粒径以下的厚度。
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公开(公告)号：CN104247053A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201380012484.5
申请日：2013-03-07
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/10
CPC classification number: H01L33/58 , H01L21/268 , H01L21/78 , H01L33/005 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/42 , H01L33/64 , H01L33/641 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , H01L2933/0058 , H01L2933/0091 , H01L33/10 , H01L33/46 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 半导体发光元件(100)具有：透明基板(110)，其对该半导体发光元件(100)所发出的光具有透光性；多层结构体(150)，其形成在所述透明基板(110)上。多层结构体(150)包含由n型层(120)、MQW发光层(130)及p型层(140)构成的半导体多层膜。透明基板(110)包括光散射结构(200)，所述散射结构(200)形成在该透明基板(110)中，用于使入射到基板中的光散射。
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