氮化物半导体发光元件

    公开(公告)号:CN107924966B

    公开(公告)日:2020-12-22

    申请号:CN201580046876.2

    申请日:2015-08-31

    Abstract: 氮化物半导体发光元件(1)至少具备n型氮化物半导体层(8)、发光层(14)、p型氮化物半导体层(16)。n型氮化物半导体层(8)和发光层(14)之间,设置有具有1组以上的第一半导体层(121)和第二半导体层(122)的层叠结构的多层结构体。第二半导体层(122)的带隙能量比第一半导体层(121)的带隙能量大。第一半导体层(121)和第二半导体层(122)的各自的厚度大于10nm而在30nm以下。或者,在重视室温下的发光效率的用途中,第一半导体层(121)的厚度大于10nm而在30nm以下,第二半导体层(122)的厚度大于10nm而在40nm以下,发光层上形成有在其剖视时为V字形的凹部。

    氮化物半导体发光元件

    公开(公告)号:CN107924966A

    公开(公告)日:2018-04-17

    申请号:CN201580046876.2

    申请日:2015-08-31

    Abstract: 氮化物半导体发光元件(1)至少具备n型氮化物半导体层(8)、发光层(14)、p型氮化物半导体层(16)。n型氮化物半导体层(8)和发光层(14)之间,设置有具有1组以上的第一半导体层(121)和第二半导体层(122)的层叠结构的多层结构体。第二半导体层(122)的带隙能量比第一半导体层(121)的带隙能量大。第一半导体层(121)和第二半导体层(122)的各自的厚度大于10nm而在30nm以下。或者,在重视室温下的发光效率的用途中,第一半导体层(121)的厚度大于10nm而在30nm以下,第二半导体层(122)的厚度大于10nm而在40nm以下,发光层上形成有在其剖视时为V字形的凹部。

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