公开(公告)号：CN107924966B

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN201580046876.2

申请日：2015-08-31

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 谷善彦 ,  花本哲也 ,  渡边昌规 ,  栗栖彰宏 ,  井口胜次 ,  柏原博之 ,  井上知也 ,  浅井俊晶 ,  渡边浩崇

IPC: H01L33/32 ,  H01L21/205

Abstract: 氮化物半导体发光元件(1)至少具备n型氮化物半导体层(8)、发光层(14)、p型氮化物半导体层(16)。n型氮化物半导体层(8)和发光层(14)之间，设置有具有1组以上的第一半导体层(121)和第二半导体层(122)的层叠结构的多层结构体。第二半导体层(122)的带隙能量比第一半导体层(121)的带隙能量大。第一半导体层(121)和第二半导体层(122)的各自的厚度大于10nm而在30nm以下。或者，在重视室温下的发光效率的用途中，第一半导体层(121)的厚度大于10nm而在30nm以下，第二半导体层(122)的厚度大于10nm而在40nm以下，发光层上形成有在其剖视时为V字形的凹部。

公开(公告)号：CN104272477A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201380023054.3

申请日：2013-10-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 谷善彦 ,  竹冈忠士 ,  栗栖彰宏 ,  花本哲也 ,  马修.先尼

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/0025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件，其包含多重量子阱发光层，该多重量子阱发光层从接近p型氮化物半导体层的一侧起，具备第二发光层、第三势垒层、第一发光层，第一发光层具备多个第一量子阱层和设于多个第一量子阱层之间的第一势垒层，第二发光层具备多个第二量子阱层和设于多个第二量子阱层之间的第二势垒层，第二量子阱层比第一量子阱层厚。

公开(公告)号：CN104272477B

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201380023054.3

申请日：2013-10-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 谷善彦 ,  竹冈忠士 ,  栗栖彰宏 ,  花本哲也 ,  马修.先尼

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/0025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件，其包含多重量子阱发光层，该多重量子阱发光层从接近p型氮化物半导体层的一侧起，具备第二发光层、第三势垒层、第一发光层，第一发光层具备多个第一量子阱层和设于多个第一量子阱层之间的第一势垒层，第二发光层具备多个第二量子阱层和设于多个第二量子阱层之间的第二势垒层，第二量子阱层比第一量子阱层厚。

公开(公告)号：CN107924966A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201580046876.2

申请日：2015-08-31

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 谷善彦 ,  花本哲也 ,  渡边昌规 ,  栗栖彰宏 ,  井口胜次 ,  柏原博之 ,  井上知也 ,  浅井俊晶 ,  渡边浩崇

IPC: H01L33/32 ,  H01L21/205

Abstract: 氮化物半导体发光元件(1)至少具备n型氮化物半导体层(8)、发光层(14)、p型氮化物半导体层(16)。n型氮化物半导体层(8)和发光层(14)之间，设置有具有1组以上的第一半导体层(121)和第二半导体层(122)的层叠结构的多层结构体。第二半导体层(122)的带隙能量比第一半导体层(121)的带隙能量大。第一半导体层(121)和第二半导体层(122)的各自的厚度大于10nm而在30nm以下。或者，在重视室温下的发光效率的用途中，第一半导体层(121)的厚度大于10nm而在30nm以下，第二半导体层(122)的厚度大于10nm而在40nm以下，发光层上形成有在其剖视时为V字形的凹部。