公开(公告)号：CN104272477A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201380023054.3

申请日：2013-10-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 谷善彦 ,  竹冈忠士 ,  栗栖彰宏 ,  花本哲也 ,  马修.先尼

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/0025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件，其包含多重量子阱发光层，该多重量子阱发光层从接近p型氮化物半导体层的一侧起，具备第二发光层、第三势垒层、第一发光层，第一发光层具备多个第一量子阱层和设于多个第一量子阱层之间的第一势垒层，第二发光层具备多个第二量子阱层和设于多个第二量子阱层之间的第二势垒层，第二量子阱层比第一量子阱层厚。

公开(公告)号：CN104272477B

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201380023054.3

申请日：2013-10-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 谷善彦 ,  竹冈忠士 ,  栗栖彰宏 ,  花本哲也 ,  马修.先尼

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/0025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件，其包含多重量子阱发光层，该多重量子阱发光层从接近p型氮化物半导体层的一侧起，具备第二发光层、第三势垒层、第一发光层，第一发光层具备多个第一量子阱层和设于多个第一量子阱层之间的第一势垒层，第二发光层具备多个第二量子阱层和设于多个第二量子阱层之间的第二势垒层，第二量子阱层比第一量子阱层厚。