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公开(公告)号：CN104773752A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201510154811.1
申请日：2015-04-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 氯化钠辅助合成CdS光催化材料的方法，它涉及一种光催化材料的合成方法。本发明是为了解决现有方法合成的CdS形状单一的技术问题。本方法如下：称取原料；将食盐水溶液作为溶剂加入烧杯中搅拌溶解，得混合液；将混合液转移到高压反应釜中，密封，在140℃-160℃下反应12个小时；反应釜内的获得的产物经去离子水洗涤4-6次、无水乙醇洗涤3-5次，干燥，得到CdS光催化材料。本发明采用氯化钠辅助法合成花状CdS，合成工艺简单，制备出的样品纯度高，结晶度好，而且形貌独特。本发明属于光催化材料的制备领域。
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公开(公告)号：CN104449483A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410630899.5
申请日：2014-11-11
Applicant: 哈尔滨工业大学无锡新材料研究院 , 无锡海特新材料研究院有限公司
IPC: C09J133/04 , C09J9/02 , C09J7/02 , C09J11/06 , C08F220/18 , C08F220/14 , C08F220/28 , C08F220/22 , C08F220/06 , C08F218/08 , C08F222/02 , C08F222/06 , C08F220/44 , C08F212/08
Abstract: 本发明公开了一种含氟导电压敏胶及其制备方法，该含氟导电压敏胶包括粘性单体60~80份，内聚单体0~20份，交联单体1~10份，含氟单体2.5~20份，引发剂0.1~1份，交联剂0.05~1份，改性石墨烯1~50份，溶剂50~150份。其制备方法：将粘性单体、内聚单体、交联单体、第一部分引发剂和第一部分溶剂混合，加入容器中作为底料，搅拌并快速升温，恒温反应；滴加含氟单体、第二部分引发剂和第二部分溶剂的混合溶液，滴加完毕后，继续保温反应；待温度降至60℃以下，加入改性石墨烯溶液，冷却至室温，出料，与交联剂溶液进行混合。本发明能够解决航空航天、电子电气及惰性材料粘接等特殊领域出现的粘接问题。
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公开(公告)号：CN103523816B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201310520235.9
申请日：2013-10-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种具有锯齿状颗粒形貌的氯化银材料及其固气相界面法自组装合成方法。涉及一种具有锯齿状形貌的氯化银材料及其制备方法。本发明的目的是解决现有技术不能通过不加入稳定剂的方法控制氯化银形成特殊形貌的问题，本发明通过低浓度硝酸银在高浓度盐酸中在一定温度条件下发生利用挥发到气相中的氯化氢与硝酸银在固气相界面发生层层自组装反应生成具有锯齿状颗粒形貌的氯化银。本发明制备的锯齿状氯化银用作制备高效的光催化材料Ag@AgCl的前驱体。
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公开(公告)号：CN103247675A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310193217.4
申请日：2013-05-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L29/737 , H01L31/11
Abstract: 具备光电转换和放大功能的异质结三极管，属于红外探测技术领域。所述异质结三极管包括N+型GaAs衬底，在衬底表面依次生长的P型GaAS层、N型InSb或N型InAs/GaSb超晶格层，以及设置在N型InSb或N型InAs/GaSb超晶格层之上的透明电极层，在衬底的底部和透明电极层的上部分别设置有金属引线。本发明的红外探测用异质结晶体三极管，可采用分子束外延设备来生产，该设备通过提供极高的真空度，保证了器件制备过程的无污染，从而获得优异的半导体器件性能。使用本发明的异质结三极管，则红外光探测和电信号的初级放大就由一个器件来完成，避免了弱信号的传输，从而使得躁声降低，这对于提高器件的光电响应性能是十分有利的。
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公开(公告)号：CN102230979B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201110175231.2
申请日：2011-06-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G02B3/08
Abstract: 批量制备具有连续浮雕结构的二元光学元件的方法，它涉及一种批量制备二元光学元件的方法。本发明为了解决现有光学加工技术在连续浮雕结构的二元光学元件的批量制备中存在高成本、低精度、低效率的问题。本发明采用金刚石刀具对非铁基材料的工件表面进行车削预加工处理；将经过车削预处理的非铁基材料的工件进行金刚石超精密车削加工，完成二元光学元件压模的制备；将压模采用微热压印成型技术压印到聚合物上；采用刻蚀技术或者剥离技术将聚合物上的连续浮雕结构转移至石英材料上，最终获得材料为石英的光学元件；重复上述步骤即可完成对具有连续浮雕结构的二元光学元件的批量制备。本发明适用于二元光学元件的批量制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119805818A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510203198.1
申请日：2025-02-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1333 , G02F1/1337 , G02F1/1339 , G03F7/00 , G03F7/16 , G03F7/38 , G03F7/42
Abstract: 一种基于电控液晶的拓扑荷可调太赫兹涡旋光束产生器件及其制备方法，属于可调太赫兹涡旋光束技术领域。为解决对产生的涡旋光束进行广泛精确调节，本发明从上到下依次设置有第一基底层、旋转扭曲电极层、第一聚酰亚胺取向层、电控液晶层、第二聚酰亚胺取向层，均匀透明电极层、第二基底层；旋转扭曲电极层由一系列分立的瓣状电极组成，每个瓣状电极分别通过电极连接线连接多通道控制电源；一系列分立的瓣状电极是经过一系列同心扇形旋转扭曲形成，用于产生电场分布激发电控液晶层产生涡旋光束相位。本发明实现了采用较为简单的结构实现了涡旋光束的产生并可以调节拓扑荷，效果明显，能够简化相关光学系统。
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公开(公告)号：CN117351042B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202311287762.X
申请日：2023-10-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于高斯和滤波的任意步时延目标跟踪方法，涉及目标跟踪领域，将存在多步随机时延的跟踪系统中的似然函数建模为高斯混合的形式，并使用高斯和容积卡尔曼滤波实现对状态的估计，以此完成量测数据存在任意步时延目标的跟踪定位。本发明解决了在非线性跟踪系统中由于存在任意步随机量测数据时延导致的跟踪精度下降甚至发散的问题，提高目标跟踪的准确性。
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公开(公告)号：CN117406590B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311289134.5
申请日：2023-10-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G05B13/04
Abstract: 本发明公开了一种基于平滑变结构滤波的鲁棒机动目标跟踪方法及系统，该方法包括以下步骤：基于被跟踪目标构建非线性目标跟踪模型，包括：状态方程和量测方程；利用平滑变结构滤波器对所述非线性目标跟踪模型进行估计处理；根据获得平滑变结构滤波的估计结果，利用贝叶斯方法对所述估计结果进行修正，实现对机动目标跟踪。该方法将平滑变结构滤波器应用于机动目标跟踪中，同时为实现利用平滑变结构滤波对速度和加速度的准确跟踪，与贝叶斯理论相结合，通过状态误差协方差实现对低维状态向量的有效估计；可以实现对机动目标的准确跟踪。
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公开(公告)号：CN117170123A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311150644.4
申请日：2023-09-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G02F1/05 , C30B33/02 , H04B10/11 , H04B10/548
Abstract: 一种基于电光谐振效应的可调谐信号滤波及加密方法，涉及信号调制技术领域。本发明是为了满足自由空间光通信中信号滤波与加密需求。本发明通过外加偏压改变KTN晶体铁电畴单畴结构从而改变电光谐振频率，可实现对输入信号的可调谐滤波。由于晶体电光谐振频率处信号增强，信号抑制比达20dB～30dB，可以达成滤波与强度调制的作用。此外由于谐振频率的晶体独立性，采用同一晶体实现信号调制与解调，可以实现一种物理信号加密效果。本发明通过精细的铁电畴调控来实现对滤波频率的精确的调谐。
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公开(公告)号：CN116491656A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310514729.X
申请日：2023-05-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: A23L33/135 , A23L29/00 , A23L29/30 , A23P10/30
Abstract: 一种副干酪乳杆菌包埋产品及其制备方法，属于包埋壁材研究的技术领域。具体方案如下：一种副干酪乳杆菌包埋产品，包括副干酪乳杆菌和复合壁材，所述复合壁材包覆于副干酪乳杆菌的外表面，所述复合壁材包括蛋白和多糖，所述蛋白包括大豆分离蛋白、酪蛋白酸钠和乳清分离蛋白中的一种或多种的组合，所述多糖包括壳聚糖和海藻酸钠中的一种或两种的组合。本发明通过蛋白与多糖复配所得包埋壁材，改善在喷雾干燥后副干酪乳杆菌肠道黏附定植能力。本发明优选酪蛋白酸钠、大豆分离蛋白、乳清分离蛋白按合适的比例混合，再复配上海藻酸钠和壳聚糖的混合溶液，用于提高副干酪乳杆菌在喷雾干燥中的存活率，其存活率达到92.97％±2.37％。
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