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公开(公告)号：CN114362308A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210015322.8
申请日：2022-01-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种脉冲大电流发生器，本发明专利涉及脉冲功率技术及应用领域。它包括远程控制系统，数据交换机、数据存储设备、同步触发设备、安全连锁设备、本地控制器A、充电机组A、放电模块组A、本地控制器B、充电机组B、放电模块组B、汇流盘、穿壁电极。程控制系统和数据存储设备用于与数据交换机之间实现数据交互，完成远程控制、数据采集和存储；数据交换机用于与脉冲大电流发生器、安全连锁设备和同步触发设备实现数据交互；同步触发设备用于触发各套脉冲功率源；安全连锁设备用于接收脉冲大电流发生器输出的故障信号，并发出锁定信号至同步触发设备。本发明能够为偶极磁场线圈提供激励电流从而产生模拟的地球偶极磁场。
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公开(公告)号：CN103117832A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310048443.3
申请日：2013-02-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Inventor： 李洪涛
IPC: H04K1/06
Abstract: 高强度信息加密方法，涉及一种信息加密方法。本发明的高强度信息加密方法要求发送者和接收者持有同一个密码文件，加密时，把信息和一个密码文件（也是乱码文件）加到一起，产生的仍是一个乱码文件，把该乱码文件传输给接收者，即用密码文件（乱码文件）作为载体，把信息装入其中，然后发给接收者。解密时，接受者从接收到的乱码文件中减掉密码文件，得到的就是还原的信息。由于此种方法加密强度极高，根本不可能破译，所以可以使用大众传播途径（如internet）来传播任何信息。
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公开(公告)号：CN101724894A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910073499.8
申请日：2009-12-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种GaAs基InAs1-xSbx/InSb多量子阱薄膜的分子束外延生长方法，它涉及一种GaAs基多量子阱薄膜的生长方法。本发明解决现有GaAs基InAs1-xSbx/InSb多量子阱薄膜中薄膜与衬底间较大的晶格失配度，导致在衬底上生长的InAs1-xSbx/InSb薄膜表面粗糙度大、晶体质量低与光电性能差。本发明的方法：利用间歇式生长方法在GaAs衬底由下至上依次生长GaAs、低温InSb、常温InSb和InAs(1-x)/2Sb(1+x)/2缓冲层，及多量子阱薄膜。本发明薄膜粗糙度达5.12nm；D-XRD出现七级卫星峰，半峰宽225～248秒；室温截止波长达10μm；可制光电探测器。
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公开(公告)号：CN100467678C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200710071699.0
申请日：2007-01-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: Hf:Er:LiNbO3晶体及其制备方法，它涉及一种晶体及其制备方法。本发明解决了在保持铌酸锂晶体本身优良性能的前提下掺杂镁或锌元素虽然提高了铌酸锂晶体的抗光损伤能力，但压制了晶体本身具有优良的光学性能。本发明Hf:Er:LiNbO3晶体由纯度都为99.99%的HfO2、Er2O3、Nb2O5和LiCO3制成；其中HfO2的掺杂量为HfO2、Er2O3、Nb2O5和LiCO3总物质的量的2～6mol%，Er2O3的掺杂量为HfO2、Er2O3、Nb2O5和LiCO3总物质的量的0.5～2mol%，Li与Nb的摩尔比为0.946。制备方法：一、称取并混合HfO2、Er2O3、Nb2O5和LiCO3；二、提拉法进行晶体生长；三、极化；四、晶体切割后表面光学质量级抛光，即得到Hf:Er:LiNbO3晶体。本发明Hf:Er:LiNbO3晶体光泽度高、成分均一、无瑕疵、无生长条纹和无裂纹产生。本发明Hf:Er:LiNbO3晶体的制备方法简单，便于操作，晶体生长速度快。
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公开(公告)号：CN118171618A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410261560.6
申请日：2024-03-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种基于峰值电流的模块化脉冲电源模块参数选择方法，所述方法的核心思路是以放电电路输出峰值电流表达式为模型，以模块数量n、模块所需电容值Cm、放电回路中总电阻R、放电回路中总电感L、电容器初始电压值U0为输入参数，以峰值电流Imax为输出参数，通过数值计算结合每套脉冲电源所需最小峰值电流值绘制边界值曲线，并通过边界值曲线以其中一套脉冲电源边界值上最小的模块所需电容值Cm为基准选择其他脉冲电源模块所需的电容值Cm以及模块数量n。本发明在研制多负载模块化脉冲电源系统时，能够在满足其输出电流指标需求的条件下，统一脉冲电源模块参数，从而降低其元件的选型成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115494420B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211295186.9
申请日：2022-10-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种用于测试高功率脉冲电源输出性能的方法，涉及高功率脉冲电源的测试领域,是为了降低脉冲大电流对线圈引线与高功率脉冲电源的连接位置造成损坏的风险，从而提供一种用于测试高功率脉冲电源在额定充电电压下输出性能的方法。该方法分别通过将高功率脉冲电源连接模拟负载和真实负载来进行多种充电电压下的放电测试，记录所需时刻的输出电流幅值，然后将实测的多组电流电压关系数据与理论计算的电流电压关系曲线进行拟合来推导出高功率脉冲电源额定充电电压时所需时刻的输出电流幅值，从而验证高功率脉冲电源的输出性能是否满足指标要求。本发明适用于测试高功率脉冲电源的输出性能。
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公开(公告)号：CN115548713B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211185942.2
申请日：2022-09-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种用于连接高功率脉冲电源与多个负载的高压接线盘，涉及高功率脉冲电源的接线领域,是为了解决大型真空舱内且含有数个直线型子线圈的负载与真空舱外通过同轴电缆进行电流传输的高功率脉冲电源之间的可靠连接、在高压大电流条件下的绝缘、以及同轴电缆与线圈引线的连接结构需要满足连接位置的较小空间的限制问题.该高压接线盘包括：主板、约束带、转接器隔板、固定板、电极盖板、电极组件、连接支架和绝缘隔板。以上部件除电极组件外均为绝缘材料，主板、固定板、电极盖板将电极组件包覆在其中，电极组件用来连接同轴电缆和线圈的输入输出端引线，本发明适用于连接高功率脉冲电源与多个负载。
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公开(公告)号：CN115494420A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211295186.9
申请日：2022-10-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种用于测试高功率脉冲电源输出性能的方法，涉及高功率脉冲电源的测试领域,是为了降低脉冲大电流对线圈引线与高功率脉冲电源的连接位置造成损坏的风险，从而提供一种用于测试高功率脉冲电源在额定充电电压下输出性能的方法。该方法分别通过将高功率脉冲电源连接模拟负载和真实负载来进行多种充电电压下的放电测试，记录所需时刻的输出电流幅值，然后将实测的多组电流电压关系数据与理论计算的电流电压关系曲线进行拟合来推导出高功率脉冲电源额定充电电压时所需时刻的输出电流幅值，从而验证高功率脉冲电源的输出性能是否满足指标要求。本发明适用于测试高功率脉冲电源的输出性能。
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公开(公告)号：CN114531053B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210234008.9
申请日：2022-03-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种用于空间等离子体环境模拟与研究的脉冲电源系统，涉及脉冲功率技术及应用领域。它包括工程师站、操作员站、数据存储系统、光纤交换机、机柜、配电柜、A面电源阵列、B面电源阵列。工程师站用于设置投入运行脉冲电源的基本参数并发送给操作员站，操作员站进行电压设置及放电相关操作，数据存储系统用于查看并存储每次电源运行数据，以上设备通过控制室光纤交换机与电源室光纤交换机连接后再与机柜中的安全连锁系统和同步触发设备以及位于A面电源阵列和B面电源阵列上的18电源连接实现数据交换和控制功能，配电柜用于转换和分配电网AC380V电能。本发明能够为18个线圈提供满足物理实验需求的激励电流，构建模拟的地球磁层磁场及等离子体环境。
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公开(公告)号：CN114531054B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210252601.6
申请日：2022-03-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种用于多个不同负载的脉冲功率电源高压接线系统，属于脉冲功率电源电能传输技术领域。它包括汇流盘、过渡电缆、转接器；汇流盘包括输入外芯汇流板、输入内芯汇流板、外芯连接片、内芯连接片、输出内芯汇流板、输出外芯连接点、输出外芯汇流板、输出内芯连接点，其作用是汇聚一套脉冲功率电源中各模块的输出电流传输给对应线圈，并分离输出电缆内外芯，还可以改变各子线圈串并联方式；过渡电缆用于分配和分散总电流，为可移动线圈提供缓冲距离；转接器包括：外芯汇流板、内芯汇流板、流入端导线、流出端导线，其用来分离过渡电缆内外芯并与线圈连接，改变流入线圈电流的极性。使用该高压接线系统可实现脉冲功率电源系统与18个线圈的可靠连接。
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