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公开(公告)号：CN101571886A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200910072263.2
申请日：2009-06-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50 , H01L31/101
Abstract: 量子阱红外探测器材料结构的模拟设计方法，它涉及一种量子阱红外探测器材料结构的设计方法。针对采用常规量子阱红外探测器材料的分子束外延方法，材料生长速率慢、成本高、不宜对外延生长工艺做大量调整和实时优化问题。方法是：建立物理模型、求解特征能级和波函数、求解总电子密度、利用泊松方程求解新的静电势能、静电势能判断、输出结果、预制微扰自洽迭代。量子阱探测器的结构设计包含了势阱厚度、势垒厚度、势垒高度(铝的含量)、掺杂浓度及总周期数等参数，本发明能结合特定探测器性能要求，综合考虑各种因素确定所需生长的具体的量子阱红外探测器材料，并具有材料生长速率快、成本低、适宜对外延生长工艺做大量调整和实时优化的优点。
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公开(公告)号：CN100453995C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200610151069.X
申请日：2006-11-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 不同应力区结构保偏光纤的拍长测算方法，本发明涉及一种测算偏振保持光纤拍长的方法。它解决了因应力区和芯区掺杂形状各异，偏振保持光纤的拍长很难用通用理论公式计算的问题。本发明通过下述步骤实现：一、获取含有偏振保持光纤的包层区、应力区和芯区的光纤横截面图片；二、在计算机中建立该图片的平面坐标系，确定图片中每个像素点的坐标值同时确定芯区中心位置的坐标，通过计算机依次读取该图片每个像素点的像素值，利用包层区与应力区和芯区内像素点的像素值差异，弃掉包层区的像素点，把应力区和芯区内的每个像素点代入公式计算每个像素点坐标的微分值。本发明中测算方法不受应力区和光纤芯部掺杂区形状的影响。
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公开(公告)号：CN1963997A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610151072.1
申请日：2006-11-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: Si基生长混合同素异型结构VO2薄膜的工艺，它涉及一种生长VO2薄膜的工艺。它解决了目前工艺在Si基生长的VO2薄膜具有VO2(A)和/或VO2(R)，热电阻温度系数低，严重影响了室温红外探测器的探测灵敏度的问题。Si基生长VO2薄膜的方法：(一)清洗基底；(二)除杂质气体；(三)通Ar气、开射频溅射系统；(四)Si基表面溅射VO2薄膜；(五)真空退火烧结，即得到生长混合同素异型结构的Si基VO2薄膜。本发明制备的VO2薄膜只含有VO2(B)和VO2(M)两种同素异型结构。本发明生长的Si基混合同素异型结构VO2薄膜的表面粗糙度为6nm～15nm，VO2薄膜在25℃环境中TCR值高为－1.50％/K～－5.65％/K、电阻率为0.06Ω·cm～10.44Ω·cm，提高了Si基室温红外探测器的探测性能，尤其Si基室温红外探测器的探测灵敏度提高了5～10％。
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公开(公告)号：CN1311229C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200410043789.5
申请日：2004-08-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及用在光纤相干通讯和光纤传感器领域，应力致偏保偏光纤应力双折射值的测量方法。技术措施包括如下步骤：取出应力区和芯区的样品，测量应力区样品B元素的含量，测量芯区样品Ge元素的含量；把光纤小段端面喷镀1μm～2μm厚的导电膜，利用电子探针设备做原子衬度的面扫描和Ge成分的线扫描，清理掉原子衬度的面扫描图像中的杂质疵点；把处理后的原子衬度面扫描图像输入MATLAB工程软件中，利用光纤的应力双折射计算公式和应力区掺杂浓度计算得出光纤的应力双折射数值。用本发明的保偏光纤的测量方法获得应力区和芯区的实际几何形状和精确掺杂浓度，为通过理想应力元几何形状的选择和合理掺杂浓度的选取进行新型保偏光纤的设计提供了手段。
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公开(公告)号：CN101724894A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910073499.8
申请日：2009-12-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种GaAs基InAs1-xSbx/InSb多量子阱薄膜的分子束外延生长方法，它涉及一种GaAs基多量子阱薄膜的生长方法。本发明解决现有GaAs基InAs1-xSbx/InSb多量子阱薄膜中薄膜与衬底间较大的晶格失配度，导致在衬底上生长的InAs1-xSbx/InSb薄膜表面粗糙度大、晶体质量低与光电性能差。本发明的方法：利用间歇式生长方法在GaAs衬底由下至上依次生长GaAs、低温InSb、常温InSb和InAs(1-x)/2Sb(1+x)/2缓冲层，及多量子阱薄膜。本发明薄膜粗糙度达5.12nm；D-XRD出现七级卫星峰，半峰宽225～248秒；室温截止波长达10μm；可制光电探测器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1888127A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200610010308.X
申请日：2006-07-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: GaAs基InSb薄膜的分子束外延生长方法，涉及一种用在霍尔器件、磁阻传感器与光电探测器领域中的InSb薄膜的外延制备工艺。为了减小GaAs与InSb较大的晶格失配，本发明先采用衬底温度600℃，Ga束流为6×10－7mbar，As束流为1.2×10－5mbar，在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；衬底温度320℃，In束流为6×10－8mbar，Sb束流为2.4×10－7mbar，生长低温InSb缓冲层；衬底温度410℃，In束流为4.5×10－7mbar，Sb束流为2.7×10－6mbar，生长InSb外延层。采用本发明的方法制备出的结晶完整、表面光滑的外延InSb薄膜的室温电子迁移率可达4.35×104cm2V－1s－1，室温载流子浓度可达3.42×1016cm－3。
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公开(公告)号：CN101571886B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910072263.2
申请日：2009-06-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50 , H01L31/101
Abstract: 量子阱红外探测器材料结构的模拟设计方法，它涉及一种量子阱红外探测器材料结构的设计方法。针对采用常规量子阱红外探测器材料的分子束外延方法，材料生长速率慢、成本高、不宜对外延生长工艺做大量调整和实时优化问题。方法是：建立物理模型、求解特征能级和波函数、求解总电子密度、利用泊松方程求解新的静电势能、静电势能判断、输出结果、预制微扰自洽迭代。量子阱探测器的结构设计包含了势阱厚度、势垒厚度、势垒高度(铝的含量)、掺杂浓度及总周期数等参数，本发明能结合特定探测器性能要求，综合考虑各种因素确定所需生长的具体的量子阱红外探测器材料，并具有材料生长速率快、成本低、适宜对外延生长工艺做大量调整和实时优化的优点。
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公开(公告)号：CN100424819C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200610151058.1
申请日：2006-11-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 脉冲激光沉积Si基VO2薄膜取向生长的方法，它涉及一种薄膜取向生长的方法。它解决了目前生长VO2薄膜的方法中无法取向生长，且结构疏松，纯度低的问题，脉冲激光沉积Si基VO2薄膜取向生长方法的步骤如下：a.清洗Si衬底、脱氧化膜→b.O2清洗沉积室，除杂质气体→c.V靶材脱氧化膜→d.生长取向VO2薄膜→e.退火。本发明步骤d中采用衬底温度470℃～650℃，激光能量密度为7J/cm2，脉冲激光频率为5Hz，氧气压力为0.8Pa，靶材与衬底的距离为80mm或45mm，退火30分钟，生长VO2薄膜。本发明具有组分易控制，参数易调整，生长速率快，工艺重复性好，薄膜质量高的优点。
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公开(公告)号：CN100404731C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200610010315.X
申请日：2006-07-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: GaAs基InSb薄膜异质外延生长的模拟方法，它涉及的是InSb薄膜外延生长过程及制备工艺的技术领域。它是为了克服现有方法，存在生长速率慢、成本高，及不宜对外延生长工艺做大量调整和实时优化的问题。它的模拟方法步骤为：(一)初始化一个L×L的二维矩阵，记录每个格点处原子高度，输入衬底原子与薄膜原子的晶格常数与结合能；(二)建立薄膜生长过程的模型，确定薄膜生长过程中发生的微观事件：(三)事件的选取与时间的演化，计算各事件的发生概率；(四)采用C++高级语言编制软件进行模拟计算；(五)把结果输入到MATLAB工程软件中，输出三维图像。本发明能实现薄膜外延生长初期的岛状生长过程的全程模拟，能预测薄膜的表面结构，而指导工艺参数的调整和优化。
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公开(公告)号：CN1963996A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610151058.1
申请日：2006-11-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 脉冲激光沉积Si基VO2薄膜取向生长的方法，它涉及一种薄膜取向生长的方法。它解决了目前生长VO2薄膜的方法中无法取向生长，且结构疏松，纯度低的问题，脉冲激光沉积Si基VO2薄膜取向生长方法的步骤如下：a.清洗Si衬底、脱氧化膜→b.O2清洗沉积室，除杂质气体→c.V靶材脱氧化膜→d.生长取向VO2薄膜→e.退火。本发明步骤d中采用衬底温度470℃～650℃，激光能量密度为7J/cm2，脉冲激光频率为5Hz，氧气压力为0.8Pa，靶材与衬底的距离为80mm或45mm，退火30分钟，生长VO2薄膜。本发明具有组分易控制，参数易调整，生长速率快，工艺重复性好，薄膜质量高的优点。
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