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公开(公告)号：CN100424820C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200610151072.1
申请日：2006-11-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: Si基生长混合同素异型结构VO2薄膜的工艺，它涉及一种生长VO2薄膜的工艺。它解决了目前工艺在Si基生长的VO2薄膜具有VO2(A)和/或VO2(R)，热电阻温度系数低，严重影响了室温红外探测器的探测灵敏度的问题。Si基生长VO2薄膜的方法：(一)清洗基底；(二)除杂质气体；(三)通Ar气、开射频溅射系统；(四)Si基表面溅射VO2薄膜；(五)真空退火烧结，即得到生长混合同素异型结构的Si基VO2薄膜。本发明制备的VO2薄膜只含有VO2(B)和VO2(M)两种同素异型结构。本发明生长的Si基混合同素异型结构VO2薄膜的表面粗糙度为6nm～15nm，VO2薄膜在25℃环境中TCR值高为-1.50%/K～-5.65%/K、电阻率为0.06Ω·cm～10.44Ω·cm，提高了Si基室温红外探测器的探测性能，尤其Si基室温红外探测器的探测灵敏度提高了5～10%。
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公开(公告)号：CN1963997A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610151072.1
申请日：2006-11-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: Si基生长混合同素异型结构VO2薄膜的工艺，它涉及一种生长VO2薄膜的工艺。它解决了目前工艺在Si基生长的VO2薄膜具有VO2(A)和/或VO2(R)，热电阻温度系数低，严重影响了室温红外探测器的探测灵敏度的问题。Si基生长VO2薄膜的方法：(一)清洗基底；(二)除杂质气体；(三)通Ar气、开射频溅射系统；(四)Si基表面溅射VO2薄膜；(五)真空退火烧结，即得到生长混合同素异型结构的Si基VO2薄膜。本发明制备的VO2薄膜只含有VO2(B)和VO2(M)两种同素异型结构。本发明生长的Si基混合同素异型结构VO2薄膜的表面粗糙度为6nm～15nm，VO2薄膜在25℃环境中TCR值高为－1.50％/K～－5.65％/K、电阻率为0.06Ω·cm～10.44Ω·cm，提高了Si基室温红外探测器的探测性能，尤其Si基室温红外探测器的探测灵敏度提高了5～10％。
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公开(公告)号：CN100424819C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200610151058.1
申请日：2006-11-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 脉冲激光沉积Si基VO2薄膜取向生长的方法，它涉及一种薄膜取向生长的方法。它解决了目前生长VO2薄膜的方法中无法取向生长，且结构疏松，纯度低的问题，脉冲激光沉积Si基VO2薄膜取向生长方法的步骤如下：a.清洗Si衬底、脱氧化膜→b.O2清洗沉积室，除杂质气体→c.V靶材脱氧化膜→d.生长取向VO2薄膜→e.退火。本发明步骤d中采用衬底温度470℃～650℃，激光能量密度为7J/cm2，脉冲激光频率为5Hz，氧气压力为0.8Pa，靶材与衬底的距离为80mm或45mm，退火30分钟，生长VO2薄膜。本发明具有组分易控制，参数易调整，生长速率快，工艺重复性好，薄膜质量高的优点。
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公开(公告)号：CN1963996A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610151058.1
申请日：2006-11-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 脉冲激光沉积Si基VO2薄膜取向生长的方法，它涉及一种薄膜取向生长的方法。它解决了目前生长VO2薄膜的方法中无法取向生长，且结构疏松，纯度低的问题，脉冲激光沉积Si基VO2薄膜取向生长方法的步骤如下：a.清洗Si衬底、脱氧化膜→b.O2清洗沉积室，除杂质气体→c.V靶材脱氧化膜→d.生长取向VO2薄膜→e.退火。本发明步骤d中采用衬底温度470℃～650℃，激光能量密度为7J/cm2，脉冲激光频率为5Hz，氧气压力为0.8Pa，靶材与衬底的距离为80mm或45mm，退火30分钟，生长VO2薄膜。本发明具有组分易控制，参数易调整，生长速率快，工艺重复性好，薄膜质量高的优点。
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