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公开(公告)号：CN101724894A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910073499.8
申请日：2009-12-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种GaAs基InAs1-xSbx/InSb多量子阱薄膜的分子束外延生长方法，它涉及一种GaAs基多量子阱薄膜的生长方法。本发明解决现有GaAs基InAs1-xSbx/InSb多量子阱薄膜中薄膜与衬底间较大的晶格失配度，导致在衬底上生长的InAs1-xSbx/InSb薄膜表面粗糙度大、晶体质量低与光电性能差。本发明的方法：利用间歇式生长方法在GaAs衬底由下至上依次生长GaAs、低温InSb、常温InSb和InAs(1-x)/2Sb(1+x)/2缓冲层，及多量子阱薄膜。本发明薄膜粗糙度达5.12nm；D-XRD出现七级卫星峰，半峰宽225～248秒；室温截止波长达10μm；可制光电探测器。
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公开(公告)号：CN104703226B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201510125350.5
申请日：2015-03-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H04W28/16
Abstract: 基于纳什谈判解的不同谈判能力节点间协作通信方法，本发明涉及一种基于博弈论的协作通信方法。为了解决传统的通信方法中存在的本地节点能量的利用率低的问题，本发明节点均采用TDMA的方式分享信道；各个节点分享一部分TDMA时隙来中继一部分协作伙伴的信息；并根据效用函数的定义，得到节点1和节点2进行协作通信最终获得的效用表达式；将无线协作通信系统规划为一个二人谈判的博弈问题，根据二人谈判问题的纳什谈判解，得到唯一的TDMA时隙分享比例(m,n)的值；求解得到(m,n)值，使节点1和节点2对应的二人谈判问题其效用最大化，从而使节点1和节点2分享TDMA时隙来进行协作通信。本发明适用不同谈判能力节点间协作通信。
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公开(公告)号：CN101724894B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200910073499.8
申请日：2009-12-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种GaAs基InAs1-xSbx/InSb多量子阱薄膜的分子束外延生长方法，它涉及一种GaAs基多量子阱薄膜的生长方法。本发明解决现有GaAs基InAs1-xSbx/InSb多量子阱薄膜中薄膜与衬底间较大的晶格失配度，导致在衬底上生长的InAs1-xSbx/InSb薄膜表面粗糙度大、晶体质量低与光电性能差。本发明的方法：利用间歇式生长方法在GaAs衬底由下至上依次生长GaAs、低温InSb、常温InSb和InAs(1-x)/2Sb(1+x)/2缓冲层，及多量子阱薄膜。本发明薄膜粗糙度达5.12nm；D-XRD出现七级卫星峰，半峰宽225～248秒；室温截止波长达10μm；可制光电探测器。
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公开(公告)号：CN104703226A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510125350.5
申请日：2015-03-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H04W28/16
Abstract: 基于纳什谈判解的不同谈判能力节点间协作通信方法，本发明涉及一种基于博弈论的协作通信方法。为了解决传统的通信方法中存在的本地节点能量的利用率低的问题，本发明节点均采用TDMA的方式分享信道；各个节点分享一部分TDMA时隙来中继一部分协作伙伴的信息；并根据效用函数的定义，得到节点1和节点2进行协作通信最终获得的效用表达式；将无线协作通信系统规划为一个二人谈判的博弈问题，根据二人谈判问题的纳什谈判解，得到唯一的TDMA时隙分享比例(m,n)的值；求解得到(m,n)值，使节点1和节点2对应的二人谈判问题其效用最大化，从而使节点1和节点2分享TDMA时隙来进行协作通信。本发明适用不同谈判能力节点间协作通信。
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