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公开(公告)号：CN100453995C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200610151069.X
申请日：2006-11-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 不同应力区结构保偏光纤的拍长测算方法，本发明涉及一种测算偏振保持光纤拍长的方法。它解决了因应力区和芯区掺杂形状各异，偏振保持光纤的拍长很难用通用理论公式计算的问题。本发明通过下述步骤实现：一、获取含有偏振保持光纤的包层区、应力区和芯区的光纤横截面图片；二、在计算机中建立该图片的平面坐标系，确定图片中每个像素点的坐标值同时确定芯区中心位置的坐标，通过计算机依次读取该图片每个像素点的像素值，利用包层区与应力区和芯区内像素点的像素值差异，弃掉包层区的像素点，把应力区和芯区内的每个像素点代入公式计算每个像素点坐标的微分值。本发明中测算方法不受应力区和光纤芯部掺杂区形状的影响。
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公开(公告)号：CN101818941B
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010152778.6
申请日：2010-04-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: Y02E10/40
Abstract: 风热式防冻太阳能集热器系统，它涉及一种防冻太阳能集热器系统。针对排回和排空系统中极易残留水份，造成阀门及管道的冻裂问题，气温很低使循环工质凝固冻裂管道的问题，防冻液系统初投资大和易造成环境污染的问题。本发明的温度传感器安装在电动截止阀与太阳能集热器之间的循环工质流入管上，第一连通管的上端与循环工质流入管连通，第一连通管的下端与风力制热机的进口端连通，第二连通管的上端与循环工质流出管连通，第二连通管的下端与风力制热机的出口端连通，第二止回阀和第二循环水泵沿循环工质的流动方向依次安装在第二连通管上。本发明降低了集热器防冻系统的初投资，杜绝了污染和管道及阀门冻裂问题。
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公开(公告)号：CN100453690C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200610010308.X
申请日：2006-07-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: GaAs基InSb薄膜的分子束外延生长方法，涉及一种用在霍尔器件、磁阻传感器与光电探测器领域中的InSb薄膜的外延制备工艺。为了减小GaAs与InSb较大的晶格失配，本发明先采用衬底温度600℃，Ga束流为6×10-7mbar，As束流为1.2×10-5mbar，在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；衬底温度320℃，In束流为6×10-8mbar，Sb束流为2.4×10-7mbar，生长低温InSb缓冲层；衬底温度410℃，In束流为4.5×10-7mbar，Sb束流为2.7×10-6mbar，生长InSb外延层。采用本发明的方法制备出的结晶完整、表面光滑的外延InSb薄膜的室温电子迁移率可达4.35×104cm2V-1s-1，室温载流子浓度可达3.42×1016cm-3。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1963431A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610151069.X
申请日：2006-11-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 不同应力区结构保偏光纤的拍长测算方法，本发明涉及一种测算偏振保持光纤拍长的方法。它解决了因应力区和芯区掺杂形状各异，偏振保持光纤的拍长很难用通用理论公式计算的问题。本发明通过下述步骤实现：一、获取含有偏振保持光纤的包层区、应力区和芯区的光纤横截面图片；二、在计算机中建立该图片的平面坐标系，确定图片中每个像素点的坐标值同时确定芯区中心位置的坐标，通过计算机依次读取该图片每个像素点的像素值，利用包层区与应力区和芯区内像素点的像素值差异，弃掉包层区的像素点，把应力区和芯区内的每个像素点代入公式计算每个像素点坐标的微分值。本发明中测算方法不受应力区和光纤芯部掺杂区形状的影响。
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公开(公告)号：CN100404731C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200610010315.X
申请日：2006-07-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: GaAs基InSb薄膜异质外延生长的模拟方法，它涉及的是InSb薄膜外延生长过程及制备工艺的技术领域。它是为了克服现有方法，存在生长速率慢、成本高，及不宜对外延生长工艺做大量调整和实时优化的问题。它的模拟方法步骤为：(一)初始化一个L×L的二维矩阵，记录每个格点处原子高度，输入衬底原子与薄膜原子的晶格常数与结合能；(二)建立薄膜生长过程的模型，确定薄膜生长过程中发生的微观事件：(三)事件的选取与时间的演化，计算各事件的发生概率；(四)采用C++高级语言编制软件进行模拟计算；(五)把结果输入到MATLAB工程软件中，输出三维图像。本发明能实现薄膜外延生长初期的岛状生长过程的全程模拟，能预测薄膜的表面结构，而指导工艺参数的调整和优化。
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公开(公告)号：CN1908252A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200610010315.X
申请日：2006-07-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: GaAs基InSb薄膜异质外延生长的模拟方法，它涉及的是InSb薄膜外延生长过程及制备工艺的技术领域。它是为了克服现有方法，存在生长速率慢、成本高，及不宜对外延生长工艺做大量调整和实时优化的问题。它的模拟方法步骤为：(一)初始化一个L×L的二维矩阵，记录每个格点处原子高度，输入衬底原子与薄膜原子的晶格常数与结合能；(二)建立薄膜生长过程的模型，确定薄膜生长过程中发生的微观事件；(三)事件的选取与时间的演化，计算各事件的发生概率；(四)采用C++高级语言编制软件进行模拟计算；(五)把结果输入到MATLAB工程软件中，输出三维图像。本发明能实现薄膜外延生长初期的岛状生长过程的全程模拟，能预测薄膜的表面结构，而指导工艺参数的调整和优化。
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公开(公告)号：CN101818941A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010152778.6
申请日：2010-04-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: Y02E10/40
Abstract: 风热式防冻太阳能集热器系统，它涉及一种防冻太阳能集热器系统。针对排回和排空系统中极易残留水份，造成阀门及管道的冻裂问题，气温很低使循环工质凝固冻裂管道的问题，防冻液系统初投资大和易造成环境污染的问题。本发明的温度传感器安装在电动截止阀与太阳能集热器之间的循环工质流入管上，第一连通管的上端与循环工质流入管连通，第一连通管的下端与风力制热机的进口端连通，第二连通管的上端与循环工质流出管连通，第二连通管的下端与风力制热机的出口端连通，第二止回阀和第二循环水泵沿循环工质的流动方向依次安装在第二连通管上。本发明降低了集热器防冻系统的初投资，杜绝了污染和管道及阀门冻裂问题。
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公开(公告)号：CN1888127A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200610010308.X
申请日：2006-07-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: GaAs基InSb薄膜的分子束外延生长方法，涉及一种用在霍尔器件、磁阻传感器与光电探测器领域中的InSb薄膜的外延制备工艺。为了减小GaAs与InSb较大的晶格失配，本发明先采用衬底温度600℃，Ga束流为6×10－7mbar，As束流为1.2×10－5mbar，在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；衬底温度320℃，In束流为6×10－8mbar，Sb束流为2.4×10－7mbar，生长低温InSb缓冲层；衬底温度410℃，In束流为4.5×10－7mbar，Sb束流为2.7×10－6mbar，生长InSb外延层。采用本发明的方法制备出的结晶完整、表面光滑的外延InSb薄膜的室温电子迁移率可达4.35×104cm2V－1s－1，室温载流子浓度可达3.42×1016cm－3。
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