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公开(公告)号：CN118883636A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410943644.8
申请日：2024-07-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种正交相铁电单晶的朗道自由能参数构建方法、电子设备及存储介质，属于铁电单晶分析技术领域。为快速拟合朗道自由能参数，本发明包括测量全温域介电常数随温度的变化关系，确定材料的四方相‑立方相的相变点温度TC、正交相‑四方相的相变点温度TO‑T、三方相‑正交相的相变点温度TR‑O，在材料相变点温度下进行电滞回线测试，得到相变点下的材料的自发极化取值，在材料相变点温度下进行不同晶相下的介电常数测试，基于得到的相变点下的材料的自发极化取值、得到的相变点下的不同晶相下的介电常数，计算正交相铁电单晶的朗道自由能参数。本发明拟合速度快。
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公开(公告)号：CN117488404A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311428918.1
申请日：2023-10-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种钽铌酸钾晶体的带电畴壁生长系统及其极化生长方法，属于铁电材料加工技术领域。为实现钽铌酸钾晶体稳定长时存在带电畴壁，本发明热台分别连接紫外光照系统、液氮循环系统、极化电源；热台包括台体，台体内部安装有加热盘，台体的前侧面设置有电压接口、温度测量接口，台体的后侧面设置有液氮循环接口、加热接口，台体的左侧面和右侧面设置有水循环降温管路接口；电压接口通过数据线连接探针台，探针台安装有探针，探针台通过磁吸环固定在加热盘上；温度测量接口通过温控数据线连接热电偶，热电偶的正上方位置的台体上表面设置有通光孔；液氮循环接口连接液氮循环管路；加热接口连接供电线；水循环降温管路接口连接水冷循环管路。
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公开(公告)号：CN119041004A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411167676.X
申请日：2024-08-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种具有梯度压电性能单晶的制备方法，属于单晶制备技术领域。使用顶部籽晶助熔法在单晶生长炉中生长KTN基单晶，熔融体沿籽晶方向生长的KTN基单晶，KTN基单晶生长界面处温度的不均匀分布诱导产生内应力，内应力诱导产生应变以及挠曲电场；室温下对KTN基单晶沿单一晶相方向施加交流电场，晶体内部不同位置处的挠曲电场在施加交流电场的晶相方向上大小梯度变化，与外部交流电场的共同作用下诱导KTN基单晶对应方向的畴结构宏观取向梯度变化，表现出大小梯度变化且具有相反符号的压电系数d33。本发明通过上述方法制备出了具有梯度压电性能单晶，有助于拓展功能梯度材料的应用场景以及基于铁电单晶的新型功能梯度器件的设计思路。
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公开(公告)号：CN117488404B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311428918.1
申请日：2023-10-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种钽铌酸钾晶体的带电畴壁生长系统及其极化生长方法，属于铁电材料加工技术领域。为实现钽铌酸钾晶体稳定长时存在带电畴壁，本发明热台分别连接紫外光照系统、液氮循环系统、极化电源；热台包括台体，台体内部安装有加热盘，台体的前侧面设置有电压接口、温度测量接口，台体的后侧面设置有液氮循环接口、加热接口，台体的左侧面和右侧面设置有水循环降温管路接口；电压接口通过数据线连接探针台，探针台安装有探针，探针台通过磁吸环固定在加热盘上；温度测量接口通过温控数据线连接热电偶，热电偶的正上方位置的台体上表面设置有通光孔；液氮循环接口连接液氮循环管路；加热接口连接供电线；水循环降温管路接口连接水冷循环管路。
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公开(公告)号：CN119956500A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510150427.8
申请日：2025-02-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及一种正交相铁电单晶压电性能提升的热处理方法，属于压电材料技术领域。为解决现有无铅块状压电材料性能仍不满足高尖端使用需求的问题，本发明提供了一种正交相铁电单晶压电性能提升的热处理方法，将铌酸钾钠块状晶体置于加热容器中，以1℃/min的升温速率从室温升温至热处理温度并保温1h，然后以1℃/min的降温速率降至室温，所述热处理温度不低于铌酸钾钠块状晶体的正交‑四方相变温度。本发明通过热处理调控极化取向分布来改善铌酸钾钠(KNN)晶体压电性能，在KNN晶体生长结束后再改性，经正交‑四方‑正交相变诱导了更多正面外和面内组合的具有净极化的极化配置，从而改善了压电性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104131333B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201410395008.2
申请日：2014-08-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: K0.5Na0.5NbO3单晶的制备方法，它涉及一种单晶的制备方法。本发明为了解决现有方法制备的铌酸钾钠单晶尺寸较小、内应力大的技术问题。本方法如下：将K2CO3粉末、Na2CO3粉末和Nb2O5粉末混合放入坩埚内加热，再在生长炉中生长，采用顶部籽晶助熔剂法，在籽晶杆转速为10～25r/min的条件下旋转到单晶放肩至8mm～12mm，然后在提拉速度为2～2.5mm/h的条件下将单晶提拉至12mm～25mm，再将单晶提出，降至室温，即得。本发明的铌酸钾钠的单晶尺寸可为11mm×11mm×15mm。实现了缺陷少，漏电流小、压电常数大的铌酸钾钠单晶的制备。本发明属于单晶的制备领域。
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公开(公告)号：CN104131333A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410395008.2
申请日：2014-08-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: K0.5Na0.5NbO3单晶的制备方法，它涉及一种单晶的制备方法。本发明为了解决现有方法制备的铌酸钾钠单晶尺寸较小、内应力大的技术问题。本方法如下：将K2CO3粉末、Na2CO3粉末和Nb2O5粉末混合放入坩埚内加热，再在生长炉中生长，采用顶部籽晶助熔剂法，在籽晶杆转速为10～25r/min的条件下旋转到单晶放肩至8mm～12mm，然后在提拉速度为2～2.5mm/h的条件下将单晶提拉至12mm～25mm，再将单晶提出，降至室温，即得。本发明的铌酸钾钠的单晶尺寸可为11mm×11mm×15mm。实现了缺陷少，漏电流小、压电常数大的铌酸钾钠单晶的制备。本发明属于单晶的制备领域。
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公开(公告)号：CN118858210A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410958467.0
申请日：2024-07-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N21/3581 , G01N21/3577 , G01N21/01
Abstract: 一种多通道可调谐的太赫兹传感装置，涉及太赫兹技术领域。本发明是为了解决现有太赫兹超材料传感装置无法实现多通道可调谐的功能的问题。本发明所述的一种多通道可调谐的太赫兹传感装置，矩形腔为亚波长介质光栅集成腔，矩形腔的上表面开有条形缝隙，金反射层位于所述矩形腔内的底部，两条Au金属电极相互平行并分别固定在所述条形缝隙的两侧，单层石墨烯搭载在两条Au金属电极上并能够覆盖所述条形缝隙，矩形腔的内部空间通过两片石英玻璃片分隔成三个并列设置的微流体通道。
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公开(公告)号：CN118841820A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410809532.3
申请日：2024-06-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种角度、偏振复用型的宽频带工作倍频晶体器件及应用，属于激光和非线性光学技术领域，包括晶体本体，所述晶体为KTN，化学式为KTa1‑xNbxO3，在将900‑1200nm基频光转换为450‑600nm倍频光的变频过程中，所述晶体的输出倍频光有三种类型，对应了三种准相位匹配方式。本发明采用上述的一种角度、偏振复用型的宽频带工作倍频晶体器件，在保证各阶光斑容易区分的同时，不会产生过多的其他的倍频光斑，使得能量分散，否则过多的倍频光斑会使能量难以集中，限制晶体的实际生产应用。
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公开(公告)号：CN119805818A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510203198.1
申请日：2025-02-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1333 , G02F1/1337 , G02F1/1339 , G03F7/00 , G03F7/16 , G03F7/38 , G03F7/42
Abstract: 一种基于电控液晶的拓扑荷可调太赫兹涡旋光束产生器件及其制备方法，属于可调太赫兹涡旋光束技术领域。为解决对产生的涡旋光束进行广泛精确调节，本发明从上到下依次设置有第一基底层、旋转扭曲电极层、第一聚酰亚胺取向层、电控液晶层、第二聚酰亚胺取向层，均匀透明电极层、第二基底层；旋转扭曲电极层由一系列分立的瓣状电极组成，每个瓣状电极分别通过电极连接线连接多通道控制电源；一系列分立的瓣状电极是经过一系列同心扇形旋转扭曲形成，用于产生电场分布激发电控液晶层产生涡旋光束相位。本发明实现了采用较为简单的结构实现了涡旋光束的产生并可以调节拓扑荷，效果明显，能够简化相关光学系统。
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