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公开(公告)号：CN119776995A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411903624.4
申请日：2024-12-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C30B33/00
Abstract: 本发明公开了一种提高离子掺杂铁电晶体机械品质因数的极化方法及装置，涉及离子掺杂铁电晶体性能提升领域，包括在离子掺杂铁电晶体面上镀电极，并进行抛光得到样本晶体；对样本晶体施加交流电场进行极化并同时采用均匀光场辐照样本晶体得到目标晶体，所述目标晶体为高机械品质因数离子掺杂铁电晶体。一种提高离子掺杂铁电晶体机械品质因数的极化装置，包括激光器、衰减片、空间光滤波器、凸透镜、样品夹具、铁电测试仪。本发明采用交流电场极化同时均匀光场辐照晶体，在几分钟内完成对晶体的有效极化并活化缺陷偶极子使其沿极化方向取向，从而提高晶体的机械品质因数。
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公开(公告)号：CN114725767A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210373915.1
申请日：2022-04-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01S3/115
Abstract: 一种基于弛豫铁电单晶的电光调Q开关，属于激光器技术领域。本发明针对现有电光调Q开关存在的成本高和难以小型化的问题。包括：光纤耦合半导体激光器产生激光脉冲经后反射镜透射后通过Nd:YVO4晶体实现波长转换并增益放大，经偏振分束器输出线偏振光；PIN‑PMN‑PT晶体无外加电压时线偏振光经四分之一波片、八分之一波片和PIN‑PMN‑PT晶体相位延迟后，被输出镜反射后反向传播时无法通过偏振分束器；谐振腔为低Q状态；PIN‑PMN‑PT晶体外加电压时线偏振光经四分之一波片、八分之一波片和PIN‑PMN‑PT晶体后的透射光被输出镜反射后再反向传播到达后反射镜；谐振腔为高Q状态。本发明实现了低驱动电压和小型化的Q开关。
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公开(公告)号：CN117468096A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311456780.6
申请日：2023-11-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C30B33/00
Abstract: 本发明公开了一种离子掺杂铁电晶体的高稳定性光场辅助极化装置，属于离子掺杂铁电晶体极化技术领域，包括激光光源、光强调节件、扩束准直器、温度控制单元以及极化电源；极化电源加载在离子掺杂铁电晶体上，离子掺杂铁电晶体设置在温度控制单元内，离子掺杂铁电晶体与扩束准直器相对设置，扩束准直器与光强调节件相对设置，光强调节件与激光光源相对设置，同时公开了基于上述装置的极化方法。采用上述结构的一种离子掺杂铁电晶体的高稳定性光场辅助极化装置及方法，使得极化后的离子掺杂铁电晶体更加稳定。
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公开(公告)号：CN119041004A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411167676.X
申请日：2024-08-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种具有梯度压电性能单晶的制备方法，属于单晶制备技术领域。使用顶部籽晶助熔法在单晶生长炉中生长KTN基单晶，熔融体沿籽晶方向生长的KTN基单晶，KTN基单晶生长界面处温度的不均匀分布诱导产生内应力，内应力诱导产生应变以及挠曲电场；室温下对KTN基单晶沿单一晶相方向施加交流电场，晶体内部不同位置处的挠曲电场在施加交流电场的晶相方向上大小梯度变化，与外部交流电场的共同作用下诱导KTN基单晶对应方向的畴结构宏观取向梯度变化，表现出大小梯度变化且具有相反符号的压电系数d33。本发明通过上述方法制备出了具有梯度压电性能单晶，有助于拓展功能梯度材料的应用场景以及基于铁电单晶的新型功能梯度器件的设计思路。
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公开(公告)号：CN117468096B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311456780.6
申请日：2023-11-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C30B33/00
Abstract: 本发明公开了一种离子掺杂铁电晶体的高稳定性光场辅助极化装置，属于离子掺杂铁电晶体极化技术领域，包括激光光源、光强调节件、扩束准直器、温度控制单元以及极化电源；极化电源加载在离子掺杂铁电晶体上，离子掺杂铁电晶体设置在温度控制单元内，离子掺杂铁电晶体与扩束准直器相对设置，扩束准直器与光强调节件相对设置，光强调节件与激光光源相对设置，同时公开了基于上述装置的极化方法。采用上述结构的一种离子掺杂铁电晶体的高稳定性光场辅助极化装置及方法，使得极化后的离子掺杂铁电晶体更加稳定。
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