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公开(公告)号：CN108039391A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201711286493.X
申请日：2017-12-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/115 , H01L31/032 , H01L31/036 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种氧化镓X射线探测器及其制备方法，属于半导体器件制造领域。本发明要解决以硅、锗、CdTe和CdZnTe等半导体作为x射线探测器，由于材料带隙较小，对环境温度敏感、抗辐射特性弱，限制了在太空领域的应用的技术问题。本发明探测器以氧化镓单晶为基体，所述氧化镓单晶的上表面设置有接触电极和Pt/Au工作电极，下表面设置有ITO/Ti/Au工作电极，Pt/Au工作电极的顶部和ITO/Pt/Au工作电极的底部与外接电路通过连接引线连接；通过沉积制备。本发明的氧化镓x射线探测器可在室温工作，也可耐受高压，并在严苛环境下工作。
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公开(公告)号：CN113299778B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110579522.1
申请日：2021-05-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/102 , H01L31/18 , C23C14/18 , C23C14/35 , C23C16/30 , C23C28/00
Abstract: 本发明公开了一种硒化铋/碲化铋超晶格红外双波段探测器及其制备方法，所述探测器包括蓝宝石衬底、Bi2Se3层、Bi2Te3层和金电极，蓝宝石衬底上生长Bi2Se3层，Bi2Se3层上生长Bi2Te3层，Bi2Se3与Bi2Te3之间形成Bi2Se3/Bi2Te3异质结，金电极设置在Bi2Se3层和Bi2Te3层上，制备步骤如下：一、在蓝宝石衬底上利用CVD技术生长Bi2Te3层；二、在生长的Bi2Se3层上利用CVD技术生长Bi2Te3层；三、利用磁控溅射技术在Bi2Se3层和Bi2Te3层表面沉积Au电极。本发明在蓝宝石衬底上利用CVD技术制备了Bi2Se3/Bi2Te3超晶格短波红外双波段超晶格，超晶格的红外发光峰分别在2.75μm和3.5μm，实现了红外双色探测材料结构。
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公开(公告)号：CN110357758B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201910729927.1
申请日：2019-08-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
Inventor： 矫淑杰
Abstract: 一种网状多孔NiO/Al纳米含能材料及其制备方法，属于纳米含能材料的技术领域。本发明解决了现有制备方法存在制备方法复杂、成本高的技术问题。本发明方法：步骤一、将网状多孔NiO粉末和Al粉分别超声分散于有机溶剂中；步骤二、然后混合，继续超声分散，然后离心，干燥，得到网状多孔NiO/Al纳米含能材料。网状多孔NiO粉末可采用水热法制备。本发明Al粒子分散在NiO网格结构中，可有效减少NiO和Al之间的接触距离，减少传质距离，也可有效增加NiO氧化剂与Al的接触面积，并且由于NiO的网状多孔结构可有效避免大量铝粒子的聚集，提高燃烧效率。
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公开(公告)号：CN113088907A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110323797.9
申请日：2021-03-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种具有深紫外探测功能的MgGaZnO薄膜的制备方法，所述方法包括如下步骤：步骤一、制备MgGaZnO陶瓷靶材；步骤二、将石英衬底和MgGaZnO陶瓷靶材放入磁控溅射设备的真空室中进行磁控溅射，得到MgGaZnO薄膜材料；步骤三、将步骤二得到的MgGaZnO薄膜材料进行高温退火处理，得到MgGaZnO薄膜。该方法制备了一种禁带宽度为5.6eV即探测波段位于220nm处的单一立方相的MgGaZnO薄膜材料，解决了MgZnO日盲紫外探测器薄膜材料高镁组分下存在的分相问题，同时通过Ga掺杂改善薄膜的电学性能获得高响应度并且较低的探测波段。
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公开(公告)号：CN112420876A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011412393.9
申请日：2020-12-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/109
Abstract: 一种从日盲紫外到近红外的宽波段探测器的制备方法，属于光电探测技术领域。本发明的目的是为了解决现有宽光谱探测器存在不同材料之间晶格失配大、质量低、响应速度慢等问题，所述方法为：在蓝宝石衬底上沉积Ga2O3薄膜，薄膜厚度不小于300nm，通过化学气相沉积法在蓝宝石基底上制备厚度为3nm‑6nm的二维拓扑绝缘体材料，将所述二维拓扑绝缘体材料通过湿法转移的方法转移至Ga2O3上表面，Ga2O3和二维拓扑绝缘体材料之间形成范德华异质结；利用电子束沉积的方法在二维拓扑绝缘体材料表面依次沉积Ti电极和Au电极。本发明采用范德华异质结，通过转移的方法形成异质结，而不是外延方法，克服了Ga2O3和Bi2Se3之间晶格失配而导致质量下降等问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109360787B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201811270224.9
申请日：2018-10-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化镓铝纳米阵列的制备方法，所述方法步骤如下：一、利用水热法在基底上生长AlxGa1‑xOOH纳米阵列；二、自然降温至室温，将基底取出，去离子水冲洗，烘干，获得AlxGa1‑xOOH纳米阵列；三、将AlxGa1‑xOOH纳米阵列放入退火炉进行高温退火，然后自然冷却到室温，得到(AlxGa1‑x)2O3纳米阵列。本发明采用水热法，仅利用Ga(NO3)3、Al2(NO3)3作为反应物，HMT提供反应所需要的OH‑，无其他络合剂或催化剂，在基底上制备了AlxGa1‑xOOH纳米阵列，将此阵列通过热退火处理，最终获得排列整齐、尺寸均一的(AlxGa1‑x)2O3纳米阵列。
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公开(公告)号：CN110357758A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910729927.1
申请日：2019-08-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
Inventor： 矫淑杰
Abstract: 一种网状多孔NiO/Al纳米含能材料及其制备方法，属于纳米含能材料的技术领域。本发明解决了现有制备方法存在制备方法复杂、成本高的技术问题。本发明方法：步骤一、将网状多孔NiO粉末和Al粉分别超声分散于有机溶剂中；步骤二、然后混合，继续超声分散，然后离心，干燥，得到网状多孔NiO/Al纳米含能材料。网状多孔NiO粉末可采用水热法制备。本发明Al粒子分散在NiO网格结构中，可有效减少NiO和Al之间的接触距离，减少传质距离，也可有效增加NiO氧化剂与Al的接触面积，并且由于NiO的网状多孔结构可有效避免大量铝粒子的聚集，提高燃烧效率。
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公开(公告)号：CN107785241A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201710930813.4
申请日：2017-10-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02381 , H01L21/02483 , H01L21/02513 , H01L21/02565 , H01L21/02631
Abstract: 一种在硅衬底上制备β-氧化镓薄膜的方法，属于氧化镓薄膜制备技术领域。本发明包括：1、在硅衬底上生长β-氧化镓纳米柱阵列作为缓冲层；2、在β-氧化镓纳米柱阵列作为缓冲层上制备β-氧化镓薄膜。本发明的优点是：在硅衬底和外延层之间插入β-Ga2O3纳米柱缓冲层，β-Ga2O3纳米柱缓冲层的晶格与外延层相同不仅可降低晶格失配，由于纳米柱之间存在空隙也可使由于生长过程中应力和巨大的热膨胀系数差导致的热应力得到转移和释放，消除退火过程中由于热失配产生的裂纹，从而获得大面积均匀的、高质量的β-Ga2O3薄膜。并且工艺方法简单，成本低廉，具有重大应用潜力。
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公开(公告)号：CN105148924A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510519795.1
申请日：2015-08-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种p-NiO/n-ZnO异质结光催化材料及其制备方法与应用，所述光催化材料以ITO为衬底，在ITO衬底上生长ZnO纳米阵列，然后在ZnO纳米阵列上生长NiO网格结构，构成ZnO/NiO的双层复合结构。本发明利用水热法在透明导电薄膜衬底(ITO)上制备NiO/ZnO异质pn结，光生电子和空穴在pn结的自建电场作用有效分离，提高光催化性能，开展了光催化性能的研究，表明NiO/ZnO异质pn结在光催化降解有机物方面具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN103258869A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310163933.8
申请日：2013-05-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/11 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 基于氧化锌材料的紫外红外双色探测器及其制作方法，属于半导体光电器件技术领域。所述探测器包括衬底（10），在衬底（10）上依次生长的缓冲层（11）、第一n型欧姆电极接触层（12）、红外敏感层、第二n型欧姆电极接触层（16）、紫外敏感层（17），以及设置在紫外敏感层之上的透明电极层（19），在所述第一n型欧姆电极接触层（12）、第二n型欧姆电极接触层（16）和透明电极层（19）上分别设置有底部电极（22）、中间电极（21）和顶部电极（20）。本发明采用三电极结构，即三电极结构中的中电极作为紫外、红外探测的公用电极，上电极和下电极分别作紫外、红外探测的另一电极，实现同时探测紫外、红外辐射。
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