公开(公告)号：CN113299778B

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202110579522.1

申请日：2021-05-26

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王东博 ,  赵晨晨 ,  王金忠 ,  矫淑杰 ,  曾值 ,  刘雅欣 ,  刘东昊 ,  刘洋洋 ,  张雨琦

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/102 ,  H01L31/18 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23C16/30 ,  C23C28/00

Abstract: 本发明公开了一种硒化铋/碲化铋超晶格红外双波段探测器及其制备方法，所述探测器包括蓝宝石衬底、Bi2Se3层、Bi2Te3层和金电极，蓝宝石衬底上生长Bi2Se3层，Bi2Se3层上生长Bi2Te3层，Bi2Se3与Bi2Te3之间形成Bi2Se3/Bi2Te3异质结，金电极设置在Bi2Se3层和Bi2Te3层上，制备步骤如下：一、在蓝宝石衬底上利用CVD技术生长Bi2Te3层；二、在生长的Bi2Se3层上利用CVD技术生长Bi2Te3层；三、利用磁控溅射技术在Bi2Se3层和Bi2Te3层表面沉积Au电极。本发明在蓝宝石衬底上利用CVD技术制备了Bi2Se3/Bi2Te3超晶格短波红外双波段超晶格，超晶格的红外发光峰分别在2.75μm和3.5μm，实现了红外双色探测材料结构。

公开(公告)号：CN113299778A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202110579522.1

申请日：2021-05-26

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王东博 ,  赵晨晨 ,  王金忠 ,  矫淑杰 ,  曾值 ,  刘雅欣 ,  刘东昊 ,  刘洋洋 ,  张雨琦

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/102 ,  H01L31/18 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23C16/30 ,  C23C28/00

Abstract: 本发明公开了一种硒化铋/碲化铋超晶格红外双波段探测器及其制备方法，所述探测器包括蓝宝石衬底、Bi2Se3层、Bi2Te3层和金电极，蓝宝石衬底上生长Bi2Se3层，Bi2Se3层上生长Bi2Te3层，Bi2Se3与Bi2Te3之间形成Bi2Se3/Bi2Te3异质结，金电极设置在Bi2Se3层和Bi2Te3层上，制备步骤如下：一、在蓝宝石衬底上利用CVD技术生长Bi2Te3层；二、在生长的Bi2Se3层上利用CVD技术生长Bi2Te3层；三、利用磁控溅射技术在Bi2Se3层和Bi2Te3层表面沉积Au电极。本发明在蓝宝石衬底上利用CVD技术制备了Bi2Se3/Bi2Te3超晶格短波红外双波段超晶格，超晶格的红外发光峰分别在2.75μm和3.5μm，实现了红外双色探测材料结构。