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公开(公告)号：CN108385062B
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201810199731.1
申请日：2018-03-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种(AlxGa1‑x)2O3合金薄膜的制备方法，属于半导体材料制造领域。本发明要解决现有磁控溅射方法制备(AlxGa1‑x)2O3合金薄膜存在成本高、不易操作等技术问题。本发明的制备方法是采用磁控溅射法，步骤如下：一、将氧化镓靶材放到设置在真空室底部的靶台上，氧化铝靶材置于氧化镓靶材上；二、然后将衬底设置在氧化镓靶材的正上方，所述衬底与所述氧化铝靶材之间留有间距；三、然后采用真空磁控溅射进行沉积，再高温退火，降温至室温；即得到(AlxGa1‑x)2O3合金薄膜。本发明方法简单，易操作，成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112420876A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011412393.9
申请日：2020-12-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/109
Abstract: 一种从日盲紫外到近红外的宽波段探测器的制备方法，属于光电探测技术领域。本发明的目的是为了解决现有宽光谱探测器存在不同材料之间晶格失配大、质量低、响应速度慢等问题，所述方法为：在蓝宝石衬底上沉积Ga2O3薄膜，薄膜厚度不小于300nm，通过化学气相沉积法在蓝宝石基底上制备厚度为3nm‑6nm的二维拓扑绝缘体材料，将所述二维拓扑绝缘体材料通过湿法转移的方法转移至Ga2O3上表面，Ga2O3和二维拓扑绝缘体材料之间形成范德华异质结；利用电子束沉积的方法在二维拓扑绝缘体材料表面依次沉积Ti电极和Au电极。本发明采用范德华异质结，通过转移的方法形成异质结，而不是外延方法，克服了Ga2O3和Bi2Se3之间晶格失配而导致质量下降等问题。
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公开(公告)号：CN109360787B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201811270224.9
申请日：2018-10-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化镓铝纳米阵列的制备方法，所述方法步骤如下：一、利用水热法在基底上生长AlxGa1‑xOOH纳米阵列；二、自然降温至室温，将基底取出，去离子水冲洗，烘干，获得AlxGa1‑xOOH纳米阵列；三、将AlxGa1‑xOOH纳米阵列放入退火炉进行高温退火，然后自然冷却到室温，得到(AlxGa1‑x)2O3纳米阵列。本发明采用水热法，仅利用Ga(NO3)3、Al2(NO3)3作为反应物，HMT提供反应所需要的OH‑，无其他络合剂或催化剂，在基底上制备了AlxGa1‑xOOH纳米阵列，将此阵列通过热退火处理，最终获得排列整齐、尺寸均一的(AlxGa1‑x)2O3纳米阵列。
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公开(公告)号：CN112420876B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202011412393.9
申请日：2020-12-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/109
Abstract: 一种从日盲紫外到近红外的宽波段探测器的制备方法，属于光电探测技术领域。本发明的目的是为了解决现有宽光谱探测器存在不同材料之间晶格失配大、质量低、响应速度慢等问题，所述方法为：在蓝宝石衬底上沉积Ga2O3薄膜，薄膜厚度不小于300nm，通过化学气相沉积法在蓝宝石基底上制备厚度为3nm‑6nm的二维拓扑绝缘体材料，将所述二维拓扑绝缘体材料通过湿法转移的方法转移至Ga2O3上表面，Ga2O3和二维拓扑绝缘体材料之间形成范德华异质结；利用电子束沉积的方法在二维拓扑绝缘体材料表面依次沉积Ti电极和Au电极。本发明采用范德华异质结，通过转移的方法形成异质结，而不是外延方法，克服了Ga2O3和Bi2Se3之间晶格失配而导致质量下降等问题。
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公开(公告)号：CN109360787A
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201811270224.9
申请日：2018-10-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化镓铝纳米阵列的制备方法，所述方法步骤如下：一、利用水热法在基底上生长AlxGa1-xOOH纳米阵列；二、自然降温至室温，将基底取出，去离子水冲洗，烘干，获得AlxGa1-xOOH纳米阵列；三、将AlxGa1-xOOH纳米阵列放入退火炉进行高温退火，然后自然冷却到室温，得到(AlxGa1-x)2O3纳米阵列。本发明采用水热法，仅利用Ga(NO3)3、Al2(NO3)3作为反应物，HMT提供反应所需要的OH-，无其他络合剂或催化剂，在基底上制备了AlxGa1-xOOH纳米阵列，将此阵列通过热退火处理，最终获得排列整齐、尺寸均一的(AlxGa1-x)2O3纳米阵列。
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公开(公告)号：CN108385062A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810199731.1
申请日：2018-03-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种(AlxGa1-x)2O3合金薄膜的制备方法，属于半导体材料制造领域。本发明要解决现有磁控溅射方法制备(AlxGa1-x)2O3合金薄膜存在成本高、不易操作等技术问题。本发明的制备方法是采用磁控溅射法，步骤如下：一、将氧化镓靶材放到设置在真空室底部的靶台上，氧化铝靶材置于氧化镓靶材上；二、然后将衬底设置在氧化镓靶材的正上方，所述衬底与所述氧化铝靶材之间留有间距；三、然后采用真空磁控溅射进行沉积，再高温退火，降温至室温；即得到(AlxGa1-x)2O3合金薄膜。本发明方法简单，易操作，成本低。
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