公开(公告)号：CN109360787A

公开(公告)日：2019-02-19

申请号：CN201811270224.9

申请日：2018-10-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 矫淑杰 ,  张峻华 ,  姜雁博 ,  聂伊尹

IPC: H01L21/02 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种氧化镓铝纳米阵列的制备方法，所述方法步骤如下：一、利用水热法在基底上生长AlxGa1-xOOH纳米阵列；二、自然降温至室温，将基底取出，去离子水冲洗，烘干，获得AlxGa1-xOOH纳米阵列；三、将AlxGa1-xOOH纳米阵列放入退火炉进行高温退火，然后自然冷却到室温，得到(AlxGa1-x)2O3纳米阵列。本发明采用水热法，仅利用Ga(NO3)3、Al2(NO3)3作为反应物，HMT提供反应所需要的OH-，无其他络合剂或催化剂，在基底上制备了AlxGa1-xOOH纳米阵列，将此阵列通过热退火处理，最终获得排列整齐、尺寸均一的(AlxGa1-x)2O3纳米阵列。

公开(公告)号：CN109360787B

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201811270224.9

申请日：2018-10-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 矫淑杰 ,  张峻华 ,  姜雁博 ,  聂伊尹

IPC: H01L21/02 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种氧化镓铝纳米阵列的制备方法，所述方法步骤如下：一、利用水热法在基底上生长AlxGa1‑xOOH纳米阵列；二、自然降温至室温，将基底取出，去离子水冲洗，烘干，获得AlxGa1‑xOOH纳米阵列；三、将AlxGa1‑xOOH纳米阵列放入退火炉进行高温退火，然后自然冷却到室温，得到(AlxGa1‑x)2O3纳米阵列。本发明采用水热法，仅利用Ga(NO3)3、Al2(NO3)3作为反应物，HMT提供反应所需要的OH‑，无其他络合剂或催化剂，在基底上制备了AlxGa1‑xOOH纳米阵列，将此阵列通过热退火处理，最终获得排列整齐、尺寸均一的(AlxGa1‑x)2O3纳米阵列。