公开(公告)号：CN108039391A

公开(公告)日：2018-05-15

申请号：CN201711286493.X

申请日：2017-12-07

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 矫淑杰 ,  李少方 ,  张峻华 ,  高世勇

IPC: H01L31/115 ,  H01L31/032 ,  H01L31/036 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种氧化镓X射线探测器及其制备方法，属于半导体器件制造领域。本发明要解决以硅、锗、CdTe和CdZnTe等半导体作为x射线探测器，由于材料带隙较小，对环境温度敏感、抗辐射特性弱，限制了在太空领域的应用的技术问题。本发明探测器以氧化镓单晶为基体，所述氧化镓单晶的上表面设置有接触电极和Pt/Au工作电极，下表面设置有ITO/Ti/Au工作电极，Pt/Au工作电极的顶部和ITO/Pt/Au工作电极的底部与外接电路通过连接引线连接；通过沉积制备。本发明的氧化镓x射线探测器可在室温工作，也可耐受高压，并在严苛环境下工作。

公开(公告)号：CN107785241B

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201710930813.4

申请日：2017-10-09

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 矫淑杰 ,  张峻华 ,  李少方

IPC: H01L21/02

Abstract: 一种在硅衬底上制备β‑氧化镓薄膜的方法，属于氧化镓薄膜制备技术领域。本发明包括：1、在硅衬底上生长β‑氧化镓纳米柱阵列作为缓冲层；2、在β‑氧化镓纳米柱阵列作为缓冲层上制备β‑氧化镓薄膜。本发明的优点是：在硅衬底和外延层之间插入β‑Ga2O3纳米柱缓冲层，β‑Ga2O3纳米柱缓冲层的晶格与外延层相同不仅可降低晶格失配，由于纳米柱之间存在空隙也可使由于生长过程中应力和巨大的热膨胀系数差导致的热应力得到转移和释放，消除退火过程中由于热失配产生的裂纹，从而获得大面积均匀的、高质量的β‑Ga2O3薄膜。并且工艺方法简单，成本低廉，具有重大应用潜力。

公开(公告)号：CN107785241A

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201710930813.4

申请日：2017-10-09

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 矫淑杰 ,  张峻华 ,  李少方

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02381 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

Abstract: 一种在硅衬底上制备β-氧化镓薄膜的方法，属于氧化镓薄膜制备技术领域。本发明包括：1、在硅衬底上生长β-氧化镓纳米柱阵列作为缓冲层；2、在β-氧化镓纳米柱阵列作为缓冲层上制备β-氧化镓薄膜。本发明的优点是：在硅衬底和外延层之间插入β-Ga2O3纳米柱缓冲层，β-Ga2O3纳米柱缓冲层的晶格与外延层相同不仅可降低晶格失配，由于纳米柱之间存在空隙也可使由于生长过程中应力和巨大的热膨胀系数差导致的热应力得到转移和释放，消除退火过程中由于热失配产生的裂纹，从而获得大面积均匀的、高质量的β-Ga2O3薄膜。并且工艺方法简单，成本低廉，具有重大应用潜力。