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发明公开
p-NiO/n-ZnO异质结光催化材料及其制备方法与应用无效

公开(公告)号：CN105148924A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201510519795.1

申请日：2015-08-22

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 矫淑杰 , 周廷龙 , 李海力 , 朱春光

IPC: B01J23/80 , A62D3/17

Abstract: 本发明公开了一种p-NiO/n-ZnO异质结光催化材料及其制备方法与应用，所述光催化材料以ITO为衬底，在ITO衬底上生长ZnO纳米阵列，然后在ZnO纳米阵列上生长NiO网格结构，构成ZnO/NiO的双层复合结构。本发明利用水热法在透明导电薄膜衬底(ITO)上制备NiO/ZnO异质pn结，光生电子和空穴在pn结的自建电场作用有效分离，提高光催化性能，开展了光催化性能的研究，表明NiO/ZnO异质pn结在光催化降解有机物方面具有很好的应用前景。

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