公开(公告)号：CN103456774A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201210382566.6

申请日：2012-10-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘家助 ,  叶晓谦 ,  吴宏展 ,  陈桂顺

IPC: H01L29/423 ,  H01L23/528 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/522 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66545 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本公开提供了一种具有非正交元件的半导体器件，其包括第一栅极结构区段和共线的第二栅极结构区段以及第三栅极结构区段和共线的第四栅极结构区段。互连件从第一栅极结构区段延伸至第四栅极结构区段。互连件设置在第一栅极结构区段和第四栅极结构区段之上。互连件可以形成在半导体器件的接触层上或与接触层共面。

公开(公告)号：CN100514192C

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200610149997.2

申请日：2006-10-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈桂顺 ,  林进祥 ,  高蔡胜 ,  陈俊光 ,  陆晓慈 ,  梁辅杰

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70333 ,  G03F7/70091 ,  G03F7/70108 ,  G03F7/70283 ,  G03F7/70641 ,  G03F9/7026

Abstract: 本发明是有关于一种用于半导体制程的光微影方法，包含提供一基材当作一晶圆，以及提供一光罩来曝光此晶圆。此晶圆是使用一种组合高角度照明方法及焦点漂移曝光方式来进行曝光。利用这种整合高角度照明方法和焦点漂移曝光方法的光微影制程，可以降低邻近效应，并增加焦点深度。

公开(公告)号：CN101106080A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200710002096.5

申请日：2007-01-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陆晓慈 ,  林本坚 ,  林进祥 ,  陈桂顺 ,  高蔡胜

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2686

Abstract: 本发明提供一种半导体晶片的热处理方法，包括：在半导体晶片的第一面上形成第一材料层；在该第一材料层上及该半导体晶片的第二面上形成第二材料层；对该半导体晶片实施快速退火工序。

公开(公告)号：CN1955847A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200610149997.2

申请日：2006-10-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈桂顺 ,  林进祥 ,  高蔡胜 ,  陈俊光 ,  陆晓慈 ,  梁辅杰

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70333 ,  G03F7/70091 ,  G03F7/70108 ,  G03F7/70283 ,  G03F7/70641 ,  G03F9/7026

Abstract: 本发明是有关于一种用于半导体制程的光微影方法，包含提供一基材当作一晶圆，以及提供一光罩来曝光此晶圆。此晶圆是使用一种组合高角度照明方法及焦点漂移曝光方式来进行曝光。利用这种整合高角度照明方法和焦点漂移曝光方法的光微影制程，可以降低邻近效应，并增加焦点深度。