公开(公告)号：CN103456774B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201210382566.6

申请日：2012-10-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘家助 ,  叶晓谦 ,  吴宏展 ,  陈桂顺

IPC: H01L29/423 ,  H01L23/528 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/522 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66545 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本公开提供了一种具有非正交元件的半导体器件，其包括第一栅极结构区段和共线的第二栅极结构区段以及第三栅极结构区段和共线的第四栅极结构区段。互连件从第一栅极结构区段延伸至第四栅极结构区段。互连件设置在第一栅极结构区段和第四栅极结构区段之上。互连件可以形成在半导体器件的接触层上或与接触层共面。

公开(公告)号：CN103456774A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201210382566.6

申请日：2012-10-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘家助 ,  叶晓谦 ,  吴宏展 ,  陈桂顺

IPC: H01L29/423 ,  H01L23/528 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/522 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66545 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本公开提供了一种具有非正交元件的半导体器件，其包括第一栅极结构区段和共线的第二栅极结构区段以及第三栅极结构区段和共线的第四栅极结构区段。互连件从第一栅极结构区段延伸至第四栅极结构区段。互连件设置在第一栅极结构区段和第四栅极结构区段之上。互连件可以形成在半导体器件的接触层上或与接触层共面。