-
公开(公告)号：CN110729322B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201911006145.1
申请日：2019-10-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请公开一种垂直型LED芯片结构及其制作方法，所述垂直型LED芯片结构，在LED外延结构上形成有至少贯穿发光层和第二型半导体层的沟槽，所述沟槽将LED外延结构分割成多个子台面，对于正装制备结构而言，分离台面的沟槽可以直接增加LED芯片的侧壁出光比例，对于倒装制备结构而言，由于沟槽的侧壁能够对发光层发出的光进行反射，改变发光层发出光的路径，避免由于LED外延半导体材料与空气存在较大的折射率差，使得一定比例的光在半导体材料中形成类似在波导中传播一样的多次全反射，最终被吸收消耗，造成垂直型LED芯片结构的发光效率较低的问题。
-
公开(公告)号：CN113809219A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111148515.2
申请日：2021-09-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种具有光转换功能的发光结构LED芯片及制备方法，通过将光转换材料植入外延叠层内部，实现了初步的光转换发光结构。在此基础上制作的LED芯片，在后续封装过程中，可以免除光转换材料覆盖的过程，有利于减少工序。同时，本技术方案避免了光转换材料容易受温度、湿度、环境杂质等影响而出现性能退化，进而影响光转换效率和出光效率的风险；同时，降低了整体灯珠的热阻，从而提高LED芯片的寿命。
-
公开(公告)号：CN112349819A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011214208.5
申请日：2020-11-04
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种通孔填充式LED芯片及其制作方法，其所述外延叠层具有裸露所述第一型半导体层部分表面的通孔，所述通孔内设有填充结构；所述填充结构通过不同实施方式呈现。在保证接触的前提下，减少了由于开孔导致的表面高度差以及由此产生的空洞，进而解决因其导致的应力失配、热量聚集及电流分布不均匀的技术问题。
-
公开(公告)号：CN110783436B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201911085646.3
申请日：2019-11-08
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有隐形扩展电极的大尺寸发光二极管，包括外延结构、第二电极、与金属扩展电极连接的焊台电极构成的第一电极，外延结构包括衬底、第二型导电层、有源层和第一型导电层；第二型导电层和第二电极电连接，第一型导电层上开设凹槽，凹槽的侧壁形成金属扩展电极层，且相邻侧壁的金属扩展电极层构成相互连续；凹槽内设焊台电极，焊台电极与金属扩展电极层形成电连接。本案还公开了该发光二极管的制作方法。本案通过设置特殊的凹槽结构，达到均匀扩展电流的作用，扩展电极的厚度极薄，且扩展电极设置在凹槽侧面的垂直面上，相当于隐形，解决现有技术中金属扩展电极底面挡光的问题，实现大范围的发光面积，从而保持优越的电流扩展效果。
-
公开(公告)号：CN110729322A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201911006145.1
申请日：2019-10-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请公开一种垂直型LED芯片结构及其制作方法，所述垂直型LED芯片结构，在LED外延结构上形成有至少贯穿发光层和第二半导体层的沟槽，所述沟槽将LED外延结构分割成多个子台面，对于正装制备结构而言，分离台面的沟槽可以直接增加LED芯片的侧壁出光比例，对于倒装制备结构而言，由于沟槽的侧壁能够对发光层发出的光进行反射，改变发光层发出光的路径，避免由于LED外延半导体材料与空气存在较大的折射率差，使得一定比例的光在半导体材料中形成类似在波导中传播一样的多次全反射，最终被吸收消耗，造成垂直型LED芯片结构的发光效率较低的问题。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN220106568U
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202320990535.2
申请日：2023-04-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种垂直结构LED芯片，在所述外延叠层表面通过介质层+金属反射层的配合形成了ODR全方向反射镜，使光线被反射后从LED芯片的上表面取出，有效地提升了芯片整体反射率、增加了光提取效率；同时，通过嵌入所述集成金属层，在制作集成金属层的过程中采用含Au金属材料，并通过蚀刻的方式裸露出集成金属层中的部分表面，该裸露部分承担PAD功能，可以实现与外部的电连接。
-
公开(公告)号：CN219917207U
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202320647683.4
申请日：2023-03-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种LED芯片，通过第一绝缘层、第一电极连通层、第二绝缘层的配合设计，使得所述导电基板与所述第二型半导体层(P型半导体层)直接电性连接，进一步地，所述导电基板可作为LED芯片与外部接触的第二电极，如此实现了LED芯片在发光台面所产生的热量在垂直方向上直接传输至所述导电基板，从而有利于热量的散出、降低了LED芯片的热阻。同时，通过通孔设计，形成了LED上、下表面相互结合(即第一电极连通层与第一电极层的相互配合)的复合型电极结构，使得电流注入更佳均匀，有效改善了大电流注入时所带来的俄歇复合问题。
-
公开(公告)号：CN219553670U
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202320374150.3
申请日：2023-03-03
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种微型发光元件，本实用新型提供的微型发光元件，包括基板及位于所述基板表面的若干个LED芯片；其中，所述基板具有若干个间隔分布的电极连接部件；所述LED芯片包括垂直结构LED芯片；所述垂直结构LED芯片横卧于所述基板表面，且所述垂直结构LED芯片的两极性电极分别与所述电极连接部件连接。同时，通过遮挡其余出光面，使光只通过一个面出射，实现了良好的发光形貌，呈朗伯分布。另外，基板表面的若干个LED芯片可以在芯片制作过程中通过晶圆级键合，实现若干个LED芯片的集成，避免了传统混光过程中的多次巨量转移，实现全彩化，并且可以突破现有芯片技术的尺寸限制，使得发光单元做得更小。
-
公开(公告)号：CN218039253U
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202222594680.7
申请日：2022-09-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种LED芯片，实现了多个垂直结构发光单元的并联，可分流LED芯片的总电流，以降低LED芯片的整体电压；同时，将LED芯片刻蚀形成多个发光阵列，有效增大了侧面的出光面积，尤其对短波长的紫外LED芯片，更多TM模出光，具有明显的出光效果。此外，第一电极连通层设置于各所述分割道的底面且相互连通，并在靠近所述第一型半导体层的一侧表面具有电极引出区，从而使得第一电极不额外占据发光面积，同时通过第一电极连通层极大提升的电流扩展均匀性，保证LED发光的均匀性，进一步降低LED芯片的工作电压，提升电光转化效率。
-
公开(公告)号：CN219937069U
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202321506255.6
申请日：2023-06-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种抗静电的垂直结构LED芯片，通过设置非故意掺杂层，减少垂直结构LED芯片的晶格失配，并利用其具有高电阻及背景载流子的特性，由导电基板、金属键合层、第一型半导体层、非故意掺杂层以及第一电极构成静电释放通道，用于垂直结构LED芯片反向电压保护，来提高垂直结构LED芯片的抗静电能力。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
78
records
(took 0.031 seconds)
