公开(公告)号：CN103441093A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201310401208.X

申请日：2013-09-05

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 靖向萌 ,  姜峰 ,  于大全

IPC: H01L21/673 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种用于临时键合的载片结构，包括一载片晶圆，在所述载片晶圆的上表面开有凹槽，在所述凹槽底部设有一衬底载片，所述衬底载片的形状和凹槽的形状相匹配，并且衬底载片的厚度小于凹槽的深度；在衬底载片上表面涂覆有一层缓冲胶，所述缓冲胶经过固化；在固化后的缓冲胶的上表面和凹槽四周的载片晶圆的上表面涂覆有临时键合胶，所述缓冲胶与临时键合胶粘性相斥；器件晶圆通过临时键合胶与凹槽四周的载片晶圆的上表面键合。本发明亦提供了上述载片结构的制作方法。本发明能够实现低成本的临时键合工艺，并且能够显著降低器件晶圆碎片的风险。

公开(公告)号：CN103346121A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201310305865.4

申请日：2013-07-22

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 薛恺 ,  于大全

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明涉及一种微电子加工工艺中的一种细节距高深宽比TSV种子层制作方法，其针对的问题是在TSV孔径接近甚至小于1um时，PVD工艺的靶材将很容易将TSV口部封住，使靶材无法进入TSV孔内。本发明中，在利用PVD完成种子层淀积后，将晶圆置于真空或低气压环境下加热回流，使铜种子层流动性增加，同时辅以等离子体轰击，促进铜种子层向TSV中下部流动，同时TSV口部的种子层也会被反溅，使TSV口部被打开。继续淀积铜种子层工艺，然后重复上述回流和等离子处理过程，使得铜种子层在TSV内部的连续性得到改善，因此有利于后续电镀工艺的进行，保证TSV的填充效果。

公开(公告)号：CN103295893A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310209710.0

申请日：2013-05-29

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 姜峰 ,  于大全

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明公开了一种晶圆级微组装工艺，包括以下步骤：S1、采用临时键合胶将器件晶圆与载片晶圆进行键合，形成临时键合体；S2、对临时键合体上的器件晶圆进行减薄工艺；S3、对临时键合体中减薄后的器件晶圆切割，得到若干固定于载片晶圆上的芯片；S4、倒装设备上包括加热模块或光照模块，将器件晶圆在上方的临时键合体放置于倒装设备上，通过加热或特定光线照射融化全部临时键合胶；S5、在倒装设备上吸取芯片并对芯片进行微组装；S6、清洗微组装后的芯片表面残留的临时键合胶。本发明通过该器件晶圆级微组装工艺可以最大程度安全地实现超薄芯片的微组装工艺，保证了芯片在倒装前有很好的承载保护，有效地完成三维封装的互连结构。

公开(公告)号：CN103280426A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201310212578.9

申请日：2013-05-31

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 程万 ,  王竹 ,  伍恒 ,  于大全

IPC: H01L21/768 ,  C25D21/12

Abstract: 本发明涉及微电子技术领域一种制造或处理半导体或固体器件的方法，具体涉及利用互连在器件中的分离元件间传输电流过程中使用的一种电镀方法。本发明要解决的技术问题是提供一种克服上述TSV过电镀现象的工艺方法。本发明方法的要点在于当电镀填充的导电金属占整个TSV高度达到一定比例时开始减小电流，防止过电镀的发生。减小电流的方式可以是以线性的方式均匀减小或以某种非线性的方式减小，或以减小方波占空比的方式。通过电流控制器来控制电流的大小可以实现TSV被电镀的导电金属填满而又不发生过电镀的状态，从而降低后续CMP工艺的难度，并降低制造成本。

公开(公告)号：CN103698969B

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201310667563.1

申请日：2013-12-10

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 徐成 ,  于大全 ,  李昭强

IPC: G03F7/00

Abstract: 本发明提供了一种光阻墙成型方法，其使用注塑技术成型一块平板，平板的正面具有第一凸台和第二凸台，在第一凸台和第二凸台之间由凹槽分隔；将所述平板正面滚胶并与第一基板压合，使得所述第一凸台粘贴在所述第一基板上；对平板背面进行碾磨减薄，直至第一凸台和第二凸台底部分离；去除残留在第一基板上的第二凸台，并清洗去除第一凸台上的残留物，形成光阻墙结构。本发明的优点是：本发明中光阻墙结构是单独成型，相比传统光刻胶光刻方法可大大减少在光阻墙成型过程中污染导致不合格器件产生的几率。注塑使用的材料具有高刚度、低CTE和低吸湿性等性能，提高光阻墙光罩结构强度，有效减少分层和脱离等可靠性问题。

公开(公告)号：CN104900547B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201510307291.3

申请日：2015-06-05

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 何洪文 ,  于大全 ,  曹立强

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L2224/11

Abstract: 本发明涉及一种多元合金成分的微凸点制备工艺，其特征是，包括以下步骤：（1）在晶圆表面电镀Ti/Cu种子层；在Ti/Cu种子层的表面制作设定厚度的铜层；（2）在玻璃晶圆表面涂覆光刻胶，对光刻胶进行开口工艺，得到开口；在开口处对玻璃晶圆进行刻蚀，形成凹槽；去除玻璃晶圆上的光刻胶；（3）将玻璃晶圆与承载片进行临时键合，将玻璃晶圆的背面进行减薄，减薄至凹槽形成玻璃通孔；（4）将具有玻璃通孔的玻璃晶圆放置于铜层上；将钎料填充于玻璃通孔中；移除玻璃晶圆，回流形成凸点；将凸点之间的铜层和Ti/Cu种子层刻蚀掉，形成铜柱凸点。本发明可制备不同成分和温度的凸点，自由度较大，同时避开电镀技术，节约了成本。

公开(公告)号：CN103943578B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201410135780.0

申请日：2014-04-04

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 李昭强 ,  戴风伟 ,  于大全

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/0347 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11903 ,  H01L2224/13

Abstract: 本发明涉及一种半导体结构及方法，尤其是一种铜柱凸点结构及成型方法，属于半导体制造的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述铜柱凸点结构，包括基底及位于所述基底上的绝缘层；所述绝缘层上设有金属焊盘，所述金属焊盘的外圈设有介质层，所述介质层覆盖在绝缘层上，并覆盖在金属焊盘的外圈边缘；金属焊盘的正上方设有铜柱，所述铜柱的底部通过种子层与金属焊盘及介质层接触，且种子层覆盖铜柱的外侧壁；在铜柱的顶端设有焊料凸点。本发明采用在光刻胶上形成种子层的方法，避免了侧向钻蚀的现象，并且铜柱侧壁表面具有种子层，对铜柱形成保护作用，提高了微凸点加工制造的可靠性和良品率。

公开(公告)号：CN103730382B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201310721054.2

申请日：2013-12-24

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 薛恺 ,  于大全

IPC: H01L21/60

Abstract: 本发明提供了一种铜铜键合凸点的制作方法，有效降低了铜柱表面粗糙度，提高了微凸点的表面平整度，同时保证了晶圆不同区域的微凸点高度的一致，满足铜铜键合工艺对表面平整度的要求；其特征在于：包括以下步骤：（1）在晶圆表面制作粘附层和种子层；（2）在晶圆表面淀积铜层；（3）对晶圆表面的铜层进行处理，改善铜表面粗糙度和平整度；（4）、利用光刻工艺对铜层进行图形化；（5）、去除微凸点位置以外的铜，在晶圆上形成微凸点结构；（6）、去除晶圆表面微凸点区域以外的粘附层材料，形成电隔离的微凸点结构；（7）去除晶圆表面的光刻胶，得到高度均匀，表面平坦光滑的微凸点结构。

公开(公告)号：CN103311131B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201310182205.1

申请日：2013-05-15

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 戴风伟 ,  张文奇 ,  于大全

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/03622 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明公开了一种微凸点的形成方法，包括：s1、在半导体基底上形成焊盘；s2、在焊盘及半导体基底表面形成介质层，所述的介质层上开设有窗口，所述的窗口与焊盘对应；s3、在介质层及焊盘的表面形成种子层；s4、在所述种子层表面电镀形成微凸点；s5、在微凸点周围一定距离内的种子层上形成阻挡层；s6、刻蚀未被阻挡层覆盖的种子层；s7、回流焊料。本发明提出通过在微凸点周围的种子层上覆盖一层刻蚀阻挡层，这样在进行种子层刻蚀时，可以保护其下面的种子层免受刻蚀，从而防止出现侧向钻蚀的现象。提高微凸点加工制造的可靠性和良品率。

公开(公告)号：CN103219303B

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201310106597.3

申请日：2013-03-28

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 于大全 ,  薛恺

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/544 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L2224/11

Abstract: 本发明涉及一种TSV背面漏孔的封装结构及方法，其包括衬底，衬底内设有贯通的信号连接通孔与工艺监控通孔，所述信号连接通孔的侧壁及工艺监控通孔的侧壁均覆盖有绝缘层，且所述绝缘层覆盖衬底的第一主面；信号连接通孔内填充有信号连接导体，工艺监控通孔内填充有监控填充体；衬底的第一主面上设置用于与信号连接导体电连接的第一连接导体，衬底的第二主面上设置与信号连接导体电连接的第二连接导体，且第二连接导体通过信号连接导体与第一连接导体电连接；第二连接导体与衬底绝缘隔离，第一连接导体通过绝缘层与衬底绝缘隔离。本发明结构紧凑，工艺步骤简单，避免金属污染，加工精度高，适应范围广，安全可靠。