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公开(公告)号：CN100386884C
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200610011356.0
申请日：2006-02-23
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L29/12
Abstract: 本发明提供了一种低温制备掺锰氧化锌纳米线稀磁半导体的方法，属于纳米材料制备技术领域。工艺步骤为：首先将硅片用金刚石刀裁剪成小片，放到培养皿中；取纯锌粉和氯化锰粉末以1∶1至1∶3的重量比混合；在管式炉中反应，得到硅片上沉积上一层浅黄色的产物；用扫描电子显微镜观察硅片上沉积的为纳米线。本发明的优点在于：用这种制备方法所做出的一维掺锰氧化锌纳米线的直径在50nm，表面平滑，而且产量比较高，表现出良好的磁学性能。
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公开(公告)号：CN101122020A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710119511.5
申请日：2007-07-25
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种大面积纳米氧化锌定向阵列的制备方法，属于纳米材料定列的制备技术领域。工艺为：依次包括以下步骤：将硝酸锌和六次甲基四胺溶解于水作为反应溶液，可添加碱类物质调控溶液的pH值；提供一片清洗干净的基片，在基片表面沉积一层氧化锌薄膜，或者将配制好的锌盐溶液均匀涂敷在基片表面后烧结；将处理过的基片放入反应溶液中，保温一段时间；取出基片，清洗干净后干燥，得到纳米氧化锌阵列。优点在于，可在非常大的面积上快速制备高取向、高纯度的纳米氧化锌阵列，并可控制形貌，工艺简单，成本低。
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公开(公告)号：CN1772625A
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN200510086564.2
申请日：2005-10-08
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种制备高产量掺铟ZnO纳米盘的方法，属于纳米材料制备技术领域。具体工艺为：将硅(100)基片用去离子水和酒精分别冲洗干净，作为沉积基片；将Zn粉、In2O3粉和C粉按摩尔比Zn∶In2O3∶C＝1∶1∶2～3∶1∶2混合，充分研磨均匀并将其置于瓷舟中，研磨时间20～30分钟，之后将硅基片倒扣于瓷舟上；把瓷舟放入管式炉中的石英管中部，调节流量计向管中通入氩98％/氧2％混合气体300标准立方厘米/分钟。在此气氛下将管式炉升温至870～900℃并保温20～25分钟，冷却至室温，所得产品是掺铟氧化锌纳米盘。本发明的优点在于：首次制备出In/ZnO六边形纳米盘和十二边形纳米盘，在没有催化剂的条件下，实现了大范围的可控生长。
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公开(公告)号：CN119615128A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411784874.0
申请日：2024-12-06
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C16/46 , C23C16/26 , C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种自加热化学气相沉积装置及石墨烯铜导线的制造方法，涉及复合材料的技术领域，本发明旨在解决石墨烯铜导电制备过程批量化制备过程中生产效率低、石墨烯无序排列的问题，本发明包括有中空设置的铜基材料，所述铜基材料上套设有感应线圈，以用于为所述铜基材料加热，所述感应线圈的两端分别通过连接线连接有电源。
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公开(公告)号：CN119581137A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411773671.1
申请日：2024-12-04
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯铜复合导线及其制备方法，涉及复合材料应用的技术领域，本发明旨在解决石墨烯铜导线制备过程中如何批量化生产的问题，本发明包括有以下步骤，S1：取石墨烯包覆铜箔，并将其裁剪后叠层放入真空热压炉中，利用热压工艺将多层石墨烯包覆的铜箔在定制模具中压制成石墨烯铜复合块体；S2：对所述石墨烯铜复合块体进行轧制加工，获得石墨烯铜复合板材；S3：对所述石墨烯铜复合板材进行切割加工，将其切割成石墨烯铜条；S4：对所述石墨烯铜条进行冷拉拔加工，冷拉拔过程中进行中间退火，从而获得石墨烯铜复合导线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119530754A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411681576.9
申请日：2024-11-22
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高导电二硫化钼铜复合材料及其制备方法，涉及复合材料制造的技术领域，本发明旨在解决二硫化钼铜复合材料制备过程中二硫化钼层状均匀分散的问题，本发明包括有以下步骤：S1：在铜箔的两侧表面上分别沉积多层二硫化钼，以形成单元材料二硫化钼包覆铜箔；S2：将不少于两块的步骤S1中生成的所述二硫化钼包覆铜箔置于热压腔室内的热压模具中，利用叠层热压工艺，将多块所述二硫化钼包覆铜箔热压成型，以制得高导电二硫化钼铜复合材料。
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公开(公告)号：CN119374468A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411243377.X
申请日：2024-09-05
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高空间分辨率柔性触觉传感器的制备方法，涉及触觉传感器制备的技术领域，本发明旨在解决传统的触觉传感器在空间分辨率和制备效果方面存在诸多局限性的问题，本发明包括有以下步骤：S1：选择柔性PET板作为基板，并在所述基板的上表面热压合有PET双面胶带；S2：在所述PET双面胶带上覆盖一层抑制膜，以用于作为倒模结构的前体；S3：利用激光切割，在所述抑制膜覆盖的所述PET双面胶带上精确切割出多个倒模结构的凹槽；S4：将柔性电极和高灵敏传感器材料填充或沉积到所述凹槽内；S5：对所述凹槽内的所述传感器材料进行固化处理；S6：将所述抑制膜与所述PET双面胶带分离，使得所述柔性电极和所述传感器材料固定在所述凹槽内。
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公开(公告)号：CN119368730A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411537719.9
申请日：2024-10-30
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明介绍了一种通过分子级混合工艺和火花等离子烧结(SPS)工艺增强石墨烯/铜纳米复合材料力学性能的方法。该方法旨在解决石墨烯薄片与金属基体之间结合力较弱以及石墨烯在高温加工过程中易损伤的问题。通过在石墨烯薄片上附着官能团，并通过化学反应在石墨烯和铜之间形成化学键，本发明显著提高了石墨烯与铜的结合强度。此外，本发明还提供了一种制备该纳米复合材料的系统，包括化学处理单元、混合单元和烧结单元。
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公开(公告)号：CN118150663A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410468945.X
申请日：2024-04-18
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01N27/327
Abstract: 本发明公开了一种抗氧化生物电极及其制备方法，涉及生物电子传感器的技术领域，本发明旨在解决当前Ti3C2的生物电极接触空气易氧化生成的问题，本发明包括以下步骤：S1、配置Ti3C2分散液；S2、在所述Ti3C2分散液中加入抗坏血酸盐水溶液并进行超声处理；S3、在超声处理后离心并取上层的混合分散夜保存；S4、通过真空抽滤的方法将所述混合分散液抽滤在水系滤膜上，待水全部从水系滤膜中渗出；S5、烘干，并将水系滤膜剥离，得到最终产物。
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