公开(公告)号：CN1821053B

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN200610011195.5

申请日：2006-01-13

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  戴英 ,  黄运华 ,  贺建 ,  刘娟 ,  张晓梅 ,  齐俊杰 ,  廖庆亮

IPC: B82B3/00 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明提供了一种低温无催化剂气相沉积制备四针状氧化锌纳米棒的方法，属于纳米材料制备技术领域。工艺为：将硅(100)基片用去离子水和酒精分别冲洗干净，作为沉积基片；将Zn粉放置于瓷舟中，然后将硅基片倒扣于瓷舟上，把瓷舟放入管式炉中的石英管中部，使用流量计调节通入石英管中的氩气和氧气的总流量及两种气体的比例。在此气氛下将管式炉升温至600℃～700℃，然后保温20～25分钟，之后取出硅片，其上沉积的白色绒状物即为所需产品。本发明的优点在于：实现了无催化剂、低温制备四针状ZnO纳米棒，并保证产品质量高、可控性好、形貌丰富，具备规模化生产的前景。

公开(公告)号：CN1772625A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200510086564.2

申请日：2005-10-08

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  刘娟 ,  黄运华 ,  贺建 ,  齐俊杰 ,  张晓梅 ,  廖庆亮

IPC: C01G9/02 ,  B82B3/00

Abstract: 本发明提供了一种制备高产量掺铟ZnO纳米盘的方法，属于纳米材料制备技术领域。具体工艺为：将硅(100)基片用去离子水和酒精分别冲洗干净，作为沉积基片；将Zn粉、In2O3粉和C粉按摩尔比Zn∶In2O3∶C＝1∶1∶2～3∶1∶2混合，充分研磨均匀并将其置于瓷舟中，研磨时间20～30分钟，之后将硅基片倒扣于瓷舟上；把瓷舟放入管式炉中的石英管中部，调节流量计向管中通入氩98％/氧2％混合气体300标准立方厘米/分钟。在此气氛下将管式炉升温至870～900℃并保温20～25分钟，冷却至室温，所得产品是掺铟氧化锌纳米盘。本发明的优点在于：首次制备出In/ZnO六边形纳米盘和十二边形纳米盘，在没有催化剂的条件下，实现了大范围的可控生长。

公开(公告)号：CN1321900C

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200510086564.2

申请日：2005-10-08

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  刘娟 ,  黄运华 ,  贺建 ,  齐俊杰 ,  张晓梅 ,  廖庆亮

IPC: C01G9/02 ,  B82B3/00

Abstract: 本发明提供了一种制备高产量掺铟ZnO纳米盘的方法，属于纳米材料制备技术领域。具体工艺为：将硅(100)基片用去离子水和酒精分别冲洗干净，作为沉积基片；将Zn粉、In2O3粉和C粉按摩尔比Zn∶In2O3∶C＝1∶1∶2～3∶1∶2混合，充分研磨均匀并将其置于瓷舟中，研磨时间20～30分钟，之后将硅基片倒扣于瓷舟上；把瓷舟放入管式炉中的石英管中部，调节流量计向管中通入氩98%/氧2%混合气体300标准立方厘米/分钟。在此气氛下将管式炉升温至870～900℃并保温20～25分钟，冷却至室温，所得产品是掺铟氧化锌纳米盘。本发明的优点在于：首次制备出In/ZnO六边形纳米盘和十二边形纳米盘，在没有催化剂的条件下，实现了大范围的可控生长。

公开(公告)号：CN1821053A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200610011195.5

申请日：2006-01-13

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  戴英 ,  黄运华 ,  贺建 ,  刘娟 ,  张晓梅 ,  齐俊杰 ,  廖庆亮

IPC: B82B3/00 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明提供了一种低温无催化剂气相沉积制备四针状氧化锌纳米棒的方法，属于纳米材料制备技术领域。工艺为：将硅(100)基片用去离子水和酒精分别冲洗干净，作为沉积基片；将Zn粉放置于瓷舟中，然后将硅基片倒扣于瓷舟上，把瓷舟放入管式炉中的石英管中部，使用流量计调节通入石英管中的氩气和氧气的总流量及两种气体的比例。在此气氛下将管式炉升温至600℃～700℃，然后保温20～25分钟，之后取出硅片，其上沉积的白色绒状物即为所需产品。本发明的优点在于：实现了无催化剂、低温制备四针状ZnO纳米棒，并保证产品质量高、可控性好、形貌丰富，具备规模化生产的前景。