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公开(公告)号：CN109859916A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910036870.7
申请日：2019-01-15
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01C7/00
Abstract: 本发明提供一种基于热力学亚稳定状态的扭曲钙钛矿结构稀土镍基钙钛矿化合物的Delta温区电阻，其电学特征在于，所述材料电阻率在一段设定的温度区间内明显高于其之外两端范围，从而呈现电阻率随温度的Delta变化。通过改变稀土镍基钙钛矿化合物钙钛矿结构中A原子位的稀土元素比例、材料应力状态、应力加载取向等手段，可以实现对Delta电阻温度范围、区间宽度、以及电阻值变化等参数的精准调节。该发明属于电子信息与电子器件领域，所述电阻率率随温度的Delta变化特性，在实现从而实现对特定温度区间范围的功能锁定、电路保护、涌浪电流抑制等电路智能化控制设计中具有可观的应用价值。
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公开(公告)号：CN109503165A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811527041.0
申请日：2018-12-13
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/626
Abstract: 本发明提供一种亚稳态稀土镍基钙钛矿氧化物粉体材料的合成方法，属于无机非金属功能陶瓷粉体材料领域，具体地涉及一种通过使用具有助熔剂与异质子晶双重作用的添加剂，通过两个温度的热处理过程制备处于热力学亚稳定状态下的稀土镍基钙钛矿氧化物粉体材料的方法。所述添加剂材料优选碱金属卤化物，其使用可有效降提高材料合成的有效性与经济性。所制备亚稳态稀土镍基钙钛矿粉体材料的晶体结构为ABO3的钙钛矿结构ReNiO3：Re位为单一稀土元素或多种稀土元素的组合，其具有温致、氢致金属绝缘体相转变，热敏电阻，以及质子导体特性，在制备功能电子器件、传感器、燃料电池、热敏电阻、红外探测敏感材料等方面具有可观的应用价值。
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公开(公告)号：CN109133201A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811095667.9
申请日：2018-09-19
Applicant: 北京科技大学
CPC classification number: C01G53/04 , C01P2002/34 , C01P2002/52 , G01K7/22
Abstract: 本发明提供一种基于多组分A位共掺杂镍基钙钛矿氧化物的温度探测方法。利用多组分A位组合式取代掺杂的技术方法在宽温度范围内大幅度提高镍基钙钛矿氧化物电阻温度系数(TCR)，结合实际探测需要通过对A位元素种类与比例的控制调节所制备材料的使用温度区间以及电阻温度系数。与传统的热敏电阻材料以及传统镍基钙钛矿氧化物材料相比，本发明中优化制备的多稀土元素组合式取代掺杂稀土镍基钙钛矿氧化物材料在2K‑1000K的宽温区范围内具有更加陡峭的电阻温度变化单调曲线以及明显提高的电阻温度系数。基于本发明所进一步制备的器件可实现对中低温宽温区内的温度精准探测与传感。本发明在热敏电阻材料、温度探测等方面具有可观的应用价值与宽广的应用前景。
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公开(公告)号：CN102847493A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210343782.X
申请日：2012-09-17
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种水相分散金属磁性纳米颗粒的方法，属于金属材料领域，用于核磁共振成像（MRI）、药物传输、靶向治疗等生物医学应用。采用巯基羧酸（巯基乙酸、巯基丙酸等）作为金属磁性纳米颗粒表面修饰剂，可将有机相中合成的纳米颗粒由非亲水性转化为水相中分散稳定。本发明采用巯基羧酸作为纳米颗粒表面修饰剂，是一种高效的将纳米颗粒由有机相转化为水相的方法，而且长时间保持稳定，在生物医学领域有着重大的应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101550507B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200910082008.6
申请日：2009-04-17
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种半金属Heusler合金材料Co2Fe(Si1-xBx)，属于磁性材料领域。其特征在于：原子组分为Co2Fe(Si1-xBx)，其中0＜x≤1，晶体结构为L21或B2型Heusler合金结构。本发明的优点在于：通过调节B元素的掺杂比例，可以调节费米面的位置，使其位于次自旋电子带隙的中心，使材料同时具有高自旋极化率和高居里温度，因此它在自旋阀或磁隧道结中应用时能够获得高磁电阻效应，满足高灵敏度和存储密度的磁传感器和磁存储器的使用要求。
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公开(公告)号：CN101593601A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200910081790.X
申请日：2009-04-10
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种半金属合成反铁磁结构，属于磁存储技术领域。其特征在于：以所有Co占据A位置的A2BC型Heusler合金材料作为磁性层，制备出半金属层/钌层/半金属层的三明治结构，两个半金属层的磁化方向实现了反铁磁耦合。本发明的优点在于：在半金属合成反铁磁结构中，半金属材料中的钴元素可以与金属钌形成强反铁磁耦合，保证了三层膜的反铁磁耦合构型，同时，采用高自旋极化率，低饱和磁化强度和低矫顽力的半金属材料作为磁性层，能够使器件的磁翻转场降低，磁电阻率和热稳定性提高，进而使超高存储密度成为可能。
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公开(公告)号：CN101202146A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200710176460.X
申请日：2007-10-29
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种双合成反铁磁结构薄膜材料，属于功能材料领域，应用于自旋阀中，为高密度读出磁头、磁随机存储器、高灵敏度传感器件等自旋电子器件打基础。其特征在于：由贵金属种子层、铁磁性金属层、金属钌层6层金属膜组成；金属多层膜的最底层为贵金属钽、铜，厚度为1～10纳米；从底往上第二层为钴、钴铁合金、镍铁合金铁磁性金属层，厚度为0.5～10纳米；第三层为金属钌层，厚度为0.1～1.2纳米；第四层为钴、钴铁合金、镍铁合金铁磁性金属层，厚度为0.5～10纳米；第五层为金属钌层，厚度为0.1～1.2纳米；第六层为为钴、钴铁合金、镍铁合金铁磁性金属层，厚度为0.5～10纳米。与SyAF结构相比，具有较低的饱和磁化强度，此外还具有较高的饱和场，较低矫顽力以及更好的热稳定性。
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公开(公告)号：CN1635590A
公开(公告)日：2005-07-06
申请号：CN200410009961.5
申请日：2004-12-03
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种利用表面活化剂抑制界面反应的方法，涉及磁性多层膜的制备方法。本方法是在清洗干净的玻璃基片上依次沉积钽Ta(50～120)/氧化镍NiO(60～100)/铋Bi(或Pb、In等)(2～30)/镍铁NiFe(30～100)/钽Ta(50～90)。本发明由于采用表面活化剂Bi(或Pb、In等)插入自旋阀巨磁电阻多层膜或隧道结中的反铁磁NiO/铁磁NiFe薄膜界面，NiO与NiFe间的界面反应被抑制，其交换耦合场Hex比不插表面活化剂Bi(或Pb、In等)的交换耦合场Hex提高最大可达80％，具有制备方便、不需要磁场热处理、成本低、交换耦合场Hex提高明显等优点。
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公开(公告)号：CN1606065A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410009804.4
申请日：2004-11-16
Applicant: 北京科技大学
IPC: G11B5/39
Abstract: 本发明提供了一种具有单磁畴结构的电流垂直于平面构型自旋阀结构及其制备方法。自旋阀由底电极层、反铁磁层、钴或钴铁合金、金属钌层、金属铜层、顶电极层组成。其制备方法是采用二氧化硅基片，通过等离子体溅射或磁控溅射、分子束外延生长手段首先制备出自旋阀结构；然后通过电子束印刷和离子刻蚀的手段制备出纳米尺寸的自旋阀器件。本发明的优点在于：巧妙的利用两个SyAF结构的组合，既能改善自旋阀的磁结构，又能够大幅度地提高自旋阀在室温下的磁电阻效应。
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