公开(公告)号：CN103500797A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201310487881.X

申请日：2013-10-17

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 苗君 ,  张容 ,  姜勇 ,  徐晓光 ,  徐泽东

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种阻变存储器单元及其制造方法。所述阻变存储器单元包括：底电极；顶电极；以及位于底电极和顶电极之间的阻变材料叠层，其中所述阻变材料叠层包括由不同阻变材料组成、并且直接接触的至少两层。该阻变存储器单元可以用于高开关电阻比和高稳定性的非易失性存储器。

公开(公告)号：CN103500797B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201310487881.X

申请日：2013-10-17

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 苗君 ,  张容 ,  姜勇 ,  徐晓光 ,  徐泽东

IPC: H01L45/00

Abstract: 公开了一种阻变存储器单元及其制造方法。所述阻变存储器单元包括：底电极；顶电极；以及位于底电极和顶电极之间的阻变材料叠层，其中所述阻变材料叠层包括由不同阻变材料组成、并且直接接触的至少两层。该阻变存储器单元可以用于高开关电阻比和高稳定性的非易失性存储器。