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公开(公告)号：CN119197874A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411302954.8
申请日：2024-09-18
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种兼容CMOS的皮拉尼真空计的制造及温度补偿方法，涉及皮拉尼真空计领域，该制造方法包括：在硅衬底依次沉积第一层二氧化硅、多晶硅牺牲层、第二层二氧化硅、多晶硅热敏电阻部分、第三层二氧化硅和铝层；所述铝层用于形成引线和焊盘；采用反应离子刻蚀选择性去除二氧化硅，暴露出需要蚀刻的多晶硅牺牲层或硅衬底；采用各向同性刻蚀技术蚀刻所述多晶硅牺牲层，得到T型器件结构；或采用深硅刻蚀技术及各向同性刻蚀技术蚀刻所述硅衬底，得到L型器件结构。本发明可制造两种兼容CMOS的皮拉尼真空计；同时通过本发明的温度补偿方法还可以基于环境温度对输出性能的影响进行具体分析。
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公开(公告)号：CN118026086A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410202479.0
申请日：2024-02-23
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开的一种CMOS MEMS双模态气体压力传感器及制作方法，属于传感器领域。双模态气体压力传感器，包括硅衬底层和二氧化硅结构层；二氧化硅结构层设置于硅衬底层上方；二氧化硅结构层包括禁锢区域和设置于中央的电容式与压阻式双模态的压力传感结构。本发明通过压阻式与电容式的双模态检测来实现高压与低压兼容的高线性度的精确检测，并利用压阻式与电容式压力传感器各自的压力传感优势，能够同时实现低压以及高压的精确检测，增大传感器的气压检测范围。本发明还公开双模态气体压力传感器的制作方法，利用CMOS工艺在同一传感器垂直方向上同时制作电容式与压阻式两种压力传感结构，且本发明制作无需掩模的Post‑CMOS工艺，避免复杂的光刻步骤。
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公开(公告)号：CN114047625B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202111157004.7
申请日：2021-09-29
Applicant: 北京理工大学 , 无锡微文半导体科技有限公司
IPC: G02B26/08
Abstract: 本公开实施例提供了一种MEMS微镜、电子设备及MEMS微镜的使用方法；其中，MEMS微镜包括基底，镜面，静电吸合装置及驱动装置；镜面悬置于基底上；静电吸合装置包括第一静电电极和第二静电电极，第一静电电极位于基底上，第二静电电极位于镜面上；驱动装置的一端与基底连接，驱动装置的另一端与镜面连接，驱动装置能够发生弯曲，驱动装置被构造为能够带动镜面相对于基底发生运动；在驱动装置弯曲的状态下，镜面能够朝向第一静电电极运动，并能够通过第二静电电极静电吸合在第一静电电极上。本公开实施例为MEMS微镜提供了一种抗冲击振动的方案，其镜面在不使用的情况下可以通过静电吸合在基底上。
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公开(公告)号：CN114217089A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111252085.9
申请日：2021-10-26
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本公开的MEMS全方位流体矢量流速传感器，包括：衬底、可动检测装置和固定检测装置，衬底用于承载所述可动检测装置和固定检测装置；可动检测装置结构包括Bimorph驱动臂和中央承载平台，Bimorph驱动臂用于连接衬底和支撑所述中央承载平台；所述中央承载平台上具有检测热敏电阻和热源，用于检测流体的流向和流速；固定检测装置位于所述衬底上，包括检测热敏电阻和热源，用于检测流体的流向和流速。可实现全方位流体流向的测定与流速的测量，具有体积小、功耗低、寿命长、性能优良、可批量生产和成本低等优点。
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公开(公告)号：CN114023579A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111167882.7
申请日：2021-09-29
Applicant: 北京理工大学 , 无锡微奥科技有限公司
IPC: H01H9/02
Abstract: 本公开提供了一种透射式光开关、阵列透射式光开关及电子设备；其中，透射式开关包括有框架、遮光元件、驱动装置以及静电吸合装置；框架形成有通道；遮光元件悬置于通道上，遮光元件被构造为用于开启或关闭通道；驱动装置的一端与框架连接，驱动装置的另一端与遮光元件连接，驱动装置能够发生形变和展平；静电吸合装置包括第一静电电极和第二静电电极，第一静电电极位于遮光元件上，第二静电电极位于通道的侧壁上；在驱动装置发生形变下，遮光元件朝向通道内移动，并能够通过第一静电电极静电吸合在第二静电电极上，以开启通道。本公开的方案为光开关提供了一种新的驱动方式，能明显降低驱动电压和功耗，同时可获得较高的通光率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114019674A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111167883.1
申请日：2021-09-29
Applicant: 北京理工大学 , 无锡微奥科技有限公司
IPC: G02B26/02
Abstract: 本公开提供了一种透射式光开关、阵列透射式光开关及电子设备；其中，所述透射式光开关包括基底，驱动装置以及静电吸合装置；所述基底形成有透光区域；所述驱动装置的一端与所述基底连接，所述驱动装置悬置于所述基底上，所述驱动装置被构造为能够发生弯曲形变和展平；所述静电吸合装置包括第一静电电极和第二静电电极，所述第一静电电极位于所述基底上，且为透光材料，所述第二静电电极位于所述驱动装置上；在所述驱动装置展平的状态下，所述驱动装置能够通过所述第二静电电极静电吸合在所述第一静电电极上，以关闭所述透光区域。本公开的方案为光开关提供了一种新的驱动方式，能够明显降低驱动电压和功耗，同时降低了维持光开关关闭的能耗。
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公开(公告)号：CN119535769A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411718417.1
申请日：2024-11-27
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种静电平板驱动微镜的制作方法，涉及驱动微镜技术领域，包括：步骤一、制作一面带有底部驱动电极的衬底；制作一面带有空腔结构的晶圆；步骤二、将晶圆带有空腔结构的一面与衬底带有底部驱动电极的一面键合；步骤三、在晶圆远离衬底的表面上制作镜面反射层和地电极焊盘；步骤四、对晶圆进行刻蚀并使得剩余材料构成镜板、外框组件、扭转梁和导热梁，镜板位于外框组件内，镜板和外框组件通过扭转梁和导热梁连接；步骤五、除去导热梁。本发明提供的静电平板驱动微镜的制作方法在大量刻蚀晶圆材料时，可通过预留的导热梁将镜板以及可动框架上的热量传递出去，进而保证刻蚀过程的正常运行，可以显著提高良品率。
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公开(公告)号：CN119335729A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411209119.X
申请日：2024-08-30
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开的具有独立电极结构的静电梳齿驱动MEMS微镜及制作方法，属于微光机电领域，本发明的静电MEMS微镜，包括镜面、梳齿电极、梳齿支撑结构、扭转梁、焊盘、空腔和固定框架。驱动动梳齿电极和检测动梳齿电极通过扭转梁与焊盘连接。微镜通过填充隔离沟道将梳齿电极分为检测梳齿电极和驱动梳齿电极，并且通过去除梳齿电极底部的硅衬底用以降低寄生电容，从而避免驱动信号对于检测信号的馈通干扰，提高对静电MEMS微镜的电容检测精度。本发明根据背腔刻蚀优先顺序，还公开两种具有独立电极结构的静电MEMS微镜制作方法，本发明的静电MEMS微镜制作方法通过聚合物填充沟道、绝缘层和金属导线，实现不同梳齿电极的隔离和互联。
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公开(公告)号：CN117214508A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311410368.0
申请日：2023-10-27
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开的一种悬臂梁式霍尔电流传感器及其制作方法，属于传感器领域。本发明在悬臂梁式电流传感器设计的基础上，分别提供基于CMOS‑MEMS技术实现和基于MEMS技术实现的两种悬臂梁式霍尔电流传感器，并提供相应的传感器制作工艺步骤。本发明采用霍尔元件、悬臂梁、磁性物质三层结构，使具有强磁场的磁性物质通过与电流产生的弱磁场之间的相互作用而产生运动，磁性结构的被动运动在物理上导致强磁场的变化，因此，弱磁场被转化放大为强磁场。霍尔器件放置在悬臂梁下方，悬臂梁的变形导致磁性物质的移动，霍尔器件检测到磁场变化，从而反映电流变化。本发明不仅能够测量双线电缆，也能够实现连续有效信号输出。本发明具有检测灵敏度高、稳定输出和适用范围广的优点。
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公开(公告)号：CN114023579B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202111167882.7
申请日：2021-09-29
Applicant: 北京理工大学 , 无锡微文半导体科技有限公司
IPC: H01H9/02
Abstract: 本公开提供了一种透射式光开关、阵列透射式光开关及电子设备；其中，透射式开关包括有框架、遮光元件、驱动装置以及静电吸合装置；框架形成有通道；遮光元件悬置于通道上，遮光元件被构造为用于开启或关闭通道；驱动装置的一端与框架连接，驱动装置的另一端与遮光元件连接，驱动装置能够发生形变和展平；静电吸合装置包括第一静电电极和第二静电电极，第一静电电极位于遮光元件上，第二静电电极位于通道的侧壁上；在驱动装置发生形变下，遮光元件朝向通道内移动，并能够通过第一静电电极静电吸合在第二静电电极上，以开启通道。本公开的方案为光开关提供了一种新的驱动方式，能明显降低驱动电压和功耗，同时可获得较高的通光率。
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