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公开(公告)号：CN119197874A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411302954.8
申请日：2024-09-18
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种兼容CMOS的皮拉尼真空计的制造及温度补偿方法，涉及皮拉尼真空计领域，该制造方法包括：在硅衬底依次沉积第一层二氧化硅、多晶硅牺牲层、第二层二氧化硅、多晶硅热敏电阻部分、第三层二氧化硅和铝层；所述铝层用于形成引线和焊盘；采用反应离子刻蚀选择性去除二氧化硅，暴露出需要蚀刻的多晶硅牺牲层或硅衬底；采用各向同性刻蚀技术蚀刻所述多晶硅牺牲层，得到T型器件结构；或采用深硅刻蚀技术及各向同性刻蚀技术蚀刻所述硅衬底，得到L型器件结构。本发明可制造两种兼容CMOS的皮拉尼真空计；同时通过本发明的温度补偿方法还可以基于环境温度对输出性能的影响进行具体分析。
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