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公开(公告)号：CN119330302A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411437454.5
申请日：2024-10-15
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明提供了一种SiC晶圆的加工方法、MEMS压力传感器及其制备方法，涉及先进制造技术领域。本发明提供了一种SiC晶圆的加工方法，包括以下步骤：在原始SiC晶圆的表面依次外延n型缓冲层、p型外延层和n型外延层，形成表面层叠有n型缓冲层、p型外延层和n型外延层的SiC晶圆；将Si晶圆与所述n型外延层进行临时键合后对原始SiC晶圆的另一面进行研磨减薄、抛光，得到加工后的SiC晶圆。本发明通过将原始SiC晶圆和Si晶圆键合后进行研磨减薄，避免了对SiC晶圆深刻蚀加工，显著降低SiC晶圆的生产成本和难度；通过抛光提高了SiC晶圆表面的形貌均匀度。
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公开(公告)号：CN119330296A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411440725.2
申请日：2024-10-15
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS的法布里‑珀罗腔，包括静电驱动器和FP腔，静电驱动器包括基底层、埋氧层以及器件层，器件层包括外框架、固定梳齿、内框架和可动梳齿，固定梳齿以及可动梳齿均具有电极且能够与外部控制电路连接，以在固定梳齿以及可动梳齿之间形成梳齿电容；FP腔包括平行设置的第一面板和第二面板。静电驱动器采用梳齿方式驱动，可以实现对FP腔相对位置的精准驱动与控制，通过对FP腔施加电压，改变FP腔平行的两面板之间的距离，并通过对梳齿电容的检测，实现位置检测，进而实现对FP腔平行的两面板的距离控制。通过先进封装技术，实现电极的引出与各种气氛或真空环境的封装，提高FP腔的实用性。
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公开(公告)号：CN118618508A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410718225.4
申请日：2024-06-04
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆微电子研究院
IPC: B62D57/032 , B81C1/00 , B81B7/02
Abstract: 本发明公开了一种基于电热驱动的MEMS微型爬行机器人及其制作方法，涉及微型机器人技术领域，爬行机器人包括运动足和本体，本体的两侧分别设置有多个运动足，多个运动足的延伸方向相同，各运动足均包括悬臂梁和第一材料，悬臂梁的一端与本体连接，另一端为自由端，悬臂梁上堆叠有第一材料，悬臂梁和第一材料之间设置有加热组件，第一材料的热膨胀系数大于悬臂梁，常态下，悬臂梁的自由端悬空，当加热组件通电产热时，运动足的自由端向下翘曲并与支撑面接触。本发明还提供了一种基于电热驱动的MEMS微型爬行机器人的制作方法，本发明提供的方案能够提高热驱动微型机器人的驱动效率以及结构拓展能力。
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公开(公告)号：CN119165650A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411441067.9
申请日：2024-10-15
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明公开了一种MEMS微镜单元、MEMS微镜阵列及制作方法，涉及微机电系统技术领域，MEMS微镜单元，包括外框架、内框架和驱动器，外框架顶部用于安装镜面层；内框架设于外框架底部，且其竖直投影位于外框架侧边的竖直投影内；外框架侧边与内框架位于同一侧的侧边之间连接有驱动器，驱动器能够驱动镜面层相对运动。MEMS微镜阵列，包括多个MEMS微镜单元，多个MEMS微镜单元依次阵列布置，且相邻两个MEMS微镜单元的镜面层之间具有缝隙。本发明设计有内框架和外框架，驱动器一端连接在内框架，令一端连接在外框架上，实现了驱动器的埋藏式设计，极大的提高了MEMS微镜的填充率。
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公开(公告)号：CN119197874A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411302954.8
申请日：2024-09-18
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种兼容CMOS的皮拉尼真空计的制造及温度补偿方法，涉及皮拉尼真空计领域，该制造方法包括：在硅衬底依次沉积第一层二氧化硅、多晶硅牺牲层、第二层二氧化硅、多晶硅热敏电阻部分、第三层二氧化硅和铝层；所述铝层用于形成引线和焊盘；采用反应离子刻蚀选择性去除二氧化硅，暴露出需要蚀刻的多晶硅牺牲层或硅衬底；采用各向同性刻蚀技术蚀刻所述多晶硅牺牲层，得到T型器件结构；或采用深硅刻蚀技术及各向同性刻蚀技术蚀刻所述硅衬底，得到L型器件结构。本发明可制造两种兼容CMOS的皮拉尼真空计；同时通过本发明的温度补偿方法还可以基于环境温度对输出性能的影响进行具体分析。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118026086A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410202479.0
申请日：2024-02-23
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开的一种CMOS MEMS双模态气体压力传感器及制作方法，属于传感器领域。双模态气体压力传感器，包括硅衬底层和二氧化硅结构层；二氧化硅结构层设置于硅衬底层上方；二氧化硅结构层包括禁锢区域和设置于中央的电容式与压阻式双模态的压力传感结构。本发明通过压阻式与电容式的双模态检测来实现高压与低压兼容的高线性度的精确检测，并利用压阻式与电容式压力传感器各自的压力传感优势，能够同时实现低压以及高压的精确检测，增大传感器的气压检测范围。本发明还公开双模态气体压力传感器的制作方法，利用CMOS工艺在同一传感器垂直方向上同时制作电容式与压阻式两种压力传感结构，且本发明制作无需掩模的Post‑CMOS工艺，避免复杂的光刻步骤。
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公开(公告)号：CN119438676A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411577857.X
申请日：2024-11-06
Applicant: 北京理工大学
IPC: G01R19/00 , G01R33/038
Abstract: 本发明属于传感器技术领域，具体涉及一种集成微型磁铁和声学谐振器的谐振式电流传感器。本发明提出的集成磁铁的微型传感器，通过测量磁铁在电流磁场中受到的磁力，从而测得电流。由于永磁体受到的磁力与磁场梯度成正比，因此能够屏蔽外界所发出的干扰的匀强磁场(如地磁场)。其次，本发明利用声学谐振式的测量原理，通过测量谐振频率的偏移测得电流的大小。由于声学谐振器的高Q值和高灵敏度等特性，所产生的传感器具有高灵敏度、高精度、抗低频噪声等特点，其结构简单且易于测量。且体积相比于传统的电流传感器要小得多，具有一定的优势。
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公开(公告)号：CN118603071A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410812589.9
申请日：2024-06-22
Applicant: 中北大学 , 北京理工大学重庆微电子研究院 , 赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司
IPC: G01C19/5656
Abstract: 本发明涉及三轴陀螺仪，具体是一种全解耦四质量对称单片三轴MEMS陀螺芯片。本发明解决了现有三轴陀螺仪测量精度低、灵敏度低的问题。全解耦四质量对称单片三轴MEMS陀螺芯片，包括谐振子部分和电极部分；所述谐振子部分包括中心锚点；中心锚点的外侧面连接有两根呈左右对称分布的直形支撑悬梁A；所述电极部分包括正方形基座；正方形基座的上表面溅射有中心点状平面电极、四个沿周向对称分布的等腰梯形平面电极、四个沿周向对称分布的格栅形平面电极、四对沿周向对称分布的外围点状平面电极A、四个沿周向对称分布的外围点状平面电极B、四对沿周向对称分布的条形平面电极。本发明适用于军事导航、深空探测等高精尖领域。
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公开(公告)号：CN119867714A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510072445.9
申请日：2025-01-16
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本申请提供了一种基于热式流量测量的便携式肺功能仪及肺功能测量方法，涉及肺功能仪研究技术领域，该肺功能仪包括：传感器组件、硬件电路、微控制器和客户端；通过将采用旁路气流流道设计的热式气流量传感器应用在肺功能仪中，实现了更高的传感精度、更低的功耗和更小的体积，并提高了肺功能仪的测量量程，达到了肺功能仪小巧便携、操作简便和测量精度高的效果。
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公开(公告)号：CN116186462A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310202077.6
申请日：2023-03-06
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开的一种基于气流量传感器的呼吸频率检测方法及其应用，属于传感检测技术领域。本发明实现方法为：①对呼吸波的曲线进行定积分；②从起始扫描点开始，按顺序扫描采样点，找到距离起始点最近的点作为扫描的终点，而且所述点优先满足于处在或接近于呼吸波的零点处；③根据坐标轴中t轴附近噪声的振幅情况，加入过滤条件：利用上限阈值以及下限阈值，使得落入阈值范围内的信号当作0处理；④划分出呼吸周期后，基于某段时间内呼吸周期的个数，即能够计算此段时间的呼吸平均频率。本发明基于气流量传感器实现呼吸频率检测，且能够进一步实现对呼吸波的周期划分和频率提取。本发明具有检测准确率高和时间复杂度低的优点。
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