公开(公告)号：CN118618508A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410718225.4

申请日：2024-06-04

Applicant: 北京理工大学 ,  北京理工大学重庆微电子研究院

Inventor： 汤跃 ,  谢会开 ,  王晓毅 ,  杨智文 ,  岳晋标 ,  丁厚伯

IPC: B62D57/032 ,  B81C1/00 ,  B81B7/02

Abstract: 本发明公开了一种基于电热驱动的MEMS微型爬行机器人及其制作方法，涉及微型机器人技术领域，爬行机器人包括运动足和本体，本体的两侧分别设置有多个运动足，多个运动足的延伸方向相同，各运动足均包括悬臂梁和第一材料，悬臂梁的一端与本体连接，另一端为自由端，悬臂梁上堆叠有第一材料，悬臂梁和第一材料之间设置有加热组件，第一材料的热膨胀系数大于悬臂梁，常态下，悬臂梁的自由端悬空，当加热组件通电产热时，运动足的自由端向下翘曲并与支撑面接触。本发明还提供了一种基于电热驱动的MEMS微型爬行机器人的制作方法，本发明提供的方案能够提高热驱动微型机器人的驱动效率以及结构拓展能力。

公开(公告)号：CN119330302A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202411437454.5

申请日：2024-10-15

Applicant: 北京理工大学 ,  北京理工大学重庆微电子研究院

Inventor： 杨智文 ,  谢会开 ,  汤跃 ,  王晓毅 ,  丁厚伯 ,  岳晋标 ,  魏振南 ,  姜森林

IPC: B81C3/00 ,  B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  B81B7/00 ,  G01L1/18 ,  G01L9/06

Abstract: 本发明提供了一种SiC晶圆的加工方法、MEMS压力传感器及其制备方法，涉及先进制造技术领域。本发明提供了一种SiC晶圆的加工方法，包括以下步骤：在原始SiC晶圆的表面依次外延n型缓冲层、p型外延层和n型外延层，形成表面层叠有n型缓冲层、p型外延层和n型外延层的SiC晶圆；将Si晶圆与所述n型外延层进行临时键合后对原始SiC晶圆的另一面进行研磨减薄、抛光，得到加工后的SiC晶圆。本发明通过将原始SiC晶圆和Si晶圆键合后进行研磨减薄，避免了对SiC晶圆深刻蚀加工，显著降低SiC晶圆的生产成本和难度；通过抛光提高了SiC晶圆表面的形貌均匀度。

公开(公告)号：CN118026086A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410202479.0

申请日：2024-02-23

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 王晓毅 ,  丁厚伯 ,  谢会开

IPC: B81B7/02 ,  B81B7/00 ,  B81B3/00 ,  B81B1/00 ,  B81C1/00 ,  G01L9/06 ,  G01L9/12

Abstract: 本发明公开的一种CMOS MEMS双模态气体压力传感器及制作方法，属于传感器领域。双模态气体压力传感器，包括硅衬底层和二氧化硅结构层；二氧化硅结构层设置于硅衬底层上方；二氧化硅结构层包括禁锢区域和设置于中央的电容式与压阻式双模态的压力传感结构。本发明通过压阻式与电容式的双模态检测来实现高压与低压兼容的高线性度的精确检测，并利用压阻式与电容式压力传感器各自的压力传感优势，能够同时实现低压以及高压的精确检测，增大传感器的气压检测范围。本发明还公开双模态气体压力传感器的制作方法，利用CMOS工艺在同一传感器垂直方向上同时制作电容式与压阻式两种压力传感结构，且本发明制作无需掩模的Post‑CMOS工艺，避免复杂的光刻步骤。

公开(公告)号：CN118310607A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410404656.3

申请日：2024-04-03

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 王晓毅 ,  丁厚伯 ,  汤跃 ,  亢晓涛 ,  谢会开

IPC: G01G3/142

Abstract: 本发明提供一种基于压阻效应的微型天平，涉及微物体称重设备技术领域，包括称重平台、支撑组件、悬臂梁和压敏电阻，称重平台用于放置待称重物；支撑组件具备多个支撑部，多个支撑部围绕称重平台所在的柱形区域设置；悬臂梁具有弹性变形能力，悬臂梁设置有多个，悬臂梁的一端和称重平台连接，另一端和支撑部连接；压敏电阻设置于悬臂梁与支撑部连接处。本发明提供的微型天平无严格的测量环境要求，可在各种环境下进行质量测量，应用范围广泛，适用于大范围的微观尺度测量，能够实现将质量信号转变为线性电压信号输出，便于信号处理。

公开(公告)号：CN116499517A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202310104450.4

申请日：2023-02-13

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 王晓毅 ,  丁厚伯 ,  刘钟一 ,  谢会开

IPC: G01D21/02 ,  B81B7/02 ,  G01F1/684 ,  G01F1/692 ,  G01F15/08 ,  G01N27/12 ,  G01N27/22

Abstract: 本发明涉及一种CMOS MEMS集成流量、气体/湿度传感器，具体涉及一种CMOS MEMS集成流量、气体/湿度传感器及其制作方法；属于传感器领域。本发明的目的是为了克服现有技术的不足，填补领域的空白，实现单芯片同时检测气体流量与气体/湿度的功能，提供一种CMOS MEMS集成流量、气体/湿度传感器及其制作方法；该传感器充分利用了流量传感部分加热电阻的热量，极大地提高了能量的利用率，并且具有低功耗、高响应速度、低滞回的优势；采用无需掩模版操作的Post‑CMOS工艺，避免了复杂的光刻步骤，有效降低了整个器件的后处理复杂程度，大大提高了整个Post‑CMOS后处理的效率。