-
公开(公告)号：CN116499517A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310104450.4
申请日：2023-02-13
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种CMOS MEMS集成流量、气体/湿度传感器，具体涉及一种CMOS MEMS集成流量、气体/湿度传感器及其制作方法；属于传感器领域。本发明的目的是为了克服现有技术的不足，填补领域的空白，实现单芯片同时检测气体流量与气体/湿度的功能，提供一种CMOS MEMS集成流量、气体/湿度传感器及其制作方法；该传感器充分利用了流量传感部分加热电阻的热量，极大地提高了能量的利用率，并且具有低功耗、高响应速度、低滞回的优势；采用无需掩模版操作的Post‑CMOS工艺，避免了复杂的光刻步骤，有效降低了整个器件的后处理复杂程度，大大提高了整个Post‑CMOS后处理的效率。
-
公开(公告)号：CN115597671A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211329624.9
申请日：2022-10-27
Applicant: 北京理工大学(CN)
Abstract: 本发明属于传感器技术领域，具体涉及一种基于剪纸结构的双模柔性量热式流量传感器及其制备方法。本发明通过在硅片上依次形成第一柔性基底层、第二柔性基底层、第一热敏电阻、第二热敏电阻和第三热敏电阻。与硅基加工工艺不同，本发明首创性的提出了一种柔性基底的悬浮结构一体式加工工艺。先在空腔处构建牺牲层，在传感层构建完成之后，与硅基直接刻蚀基底不同，本发明采用丙酮洗去牺牲层厚胶的工艺形成悬浮结构。之后剥离硅基底从而形成带有悬浮结构的柔性量热式流速传感器。由于本发明采用一体式加工工艺和双模柔性基底制作传感器及它的悬空和剪纸结构，传感器具有稳定性高，热耗散低，灵敏度高，具有复杂曲面保型贴合的特点。
-
公开(公告)号：CN116337143A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310106202.3
申请日：2023-01-31
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种CMOS‑MEMS单片集成流量、压力传感器，属于传感器领域。本发明的传感器包括硅衬底层及二氧化硅结构层，所述二氧化硅结构层包括设置于两端的PAD区域和设置于中央的气体流量传感器区域及气体压力传感器区域；所述PAD区域中二氧化硅材料与金属材料交叠排布，金属via贯穿第一层金属至第五层金属；所述气体流量传感器区域包括加热电阻及分布在加热电阻两侧的第一热敏电阻和第二热敏电阻；本发明采用无需掩模版(MASK)操作的Post‑CMOS工艺，有效降低了整个器件的后处理复杂程度，大大提高了整个Post‑CMOS后处理的效率。传感部分需要悬空处理，使其具有低热量耗散，快响应速度的特性。
-
公开(公告)号：CN116119601A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310106055.X
申请日：2023-02-13
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种适用于高湿度环境检测的气体传感器及其制备工艺，属于传感器技术领域。所述气体传感器包括：硅衬底层及二氧化硅结构层，所述二氧化硅结构层设置于所述硅衬底层上方；所述二氧化硅结构层包括设置于两端的PAD区域和设置于中央的气体传感器区域；所述气体传感器区域包括加热电阻、传感电极、via金属柱和气敏材料，两侧固定，整体悬浮在空腔上方；所述via金属柱密集分布在传感电极上方，从而使气体传感器具有超疏水特性。本发明通过设计金属层和金属via图案，使传感电极上方分布大量的via金属柱，从而具有超疏水特性，可以降低气体传感器在工作时对环境湿度变化敏感程度，一体化且连续的工艺极大地降低了传感器的成本。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.015 seconds)
