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公开(公告)号：CN119197874A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411302954.8
申请日：2024-09-18
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种兼容CMOS的皮拉尼真空计的制造及温度补偿方法，涉及皮拉尼真空计领域，该制造方法包括：在硅衬底依次沉积第一层二氧化硅、多晶硅牺牲层、第二层二氧化硅、多晶硅热敏电阻部分、第三层二氧化硅和铝层；所述铝层用于形成引线和焊盘；采用反应离子刻蚀选择性去除二氧化硅，暴露出需要蚀刻的多晶硅牺牲层或硅衬底；采用各向同性刻蚀技术蚀刻所述多晶硅牺牲层，得到T型器件结构；或采用深硅刻蚀技术及各向同性刻蚀技术蚀刻所述硅衬底，得到L型器件结构。本发明可制造两种兼容CMOS的皮拉尼真空计；同时通过本发明的温度补偿方法还可以基于环境温度对输出性能的影响进行具体分析。
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公开(公告)号：CN117214508A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311410368.0
申请日：2023-10-27
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开的一种悬臂梁式霍尔电流传感器及其制作方法，属于传感器领域。本发明在悬臂梁式电流传感器设计的基础上，分别提供基于CMOS‑MEMS技术实现和基于MEMS技术实现的两种悬臂梁式霍尔电流传感器，并提供相应的传感器制作工艺步骤。本发明采用霍尔元件、悬臂梁、磁性物质三层结构，使具有强磁场的磁性物质通过与电流产生的弱磁场之间的相互作用而产生运动，磁性结构的被动运动在物理上导致强磁场的变化，因此，弱磁场被转化放大为强磁场。霍尔器件放置在悬臂梁下方，悬臂梁的变形导致磁性物质的移动，霍尔器件检测到磁场变化，从而反映电流变化。本发明不仅能够测量双线电缆，也能够实现连续有效信号输出。本发明具有检测灵敏度高、稳定输出和适用范围广的优点。
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公开(公告)号：CN116337143A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310106202.3
申请日：2023-01-31
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种CMOS‑MEMS单片集成流量、压力传感器，属于传感器领域。本发明的传感器包括硅衬底层及二氧化硅结构层，所述二氧化硅结构层包括设置于两端的PAD区域和设置于中央的气体流量传感器区域及气体压力传感器区域；所述PAD区域中二氧化硅材料与金属材料交叠排布，金属via贯穿第一层金属至第五层金属；所述气体流量传感器区域包括加热电阻及分布在加热电阻两侧的第一热敏电阻和第二热敏电阻；本发明采用无需掩模版(MASK)操作的Post‑CMOS工艺，有效降低了整个器件的后处理复杂程度，大大提高了整个Post‑CMOS后处理的效率。传感部分需要悬空处理，使其具有低热量耗散，快响应速度的特性。
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公开(公告)号：CN116119601A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310106055.X
申请日：2023-02-13
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种适用于高湿度环境检测的气体传感器及其制备工艺，属于传感器技术领域。所述气体传感器包括：硅衬底层及二氧化硅结构层，所述二氧化硅结构层设置于所述硅衬底层上方；所述二氧化硅结构层包括设置于两端的PAD区域和设置于中央的气体传感器区域；所述气体传感器区域包括加热电阻、传感电极、via金属柱和气敏材料，两侧固定，整体悬浮在空腔上方；所述via金属柱密集分布在传感电极上方，从而使气体传感器具有超疏水特性。本发明通过设计金属层和金属via图案，使传感电极上方分布大量的via金属柱，从而具有超疏水特性，可以降低气体传感器在工作时对环境湿度变化敏感程度，一体化且连续的工艺极大地降低了传感器的成本。
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