公开(公告)号：CN107083539A

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：CN201710239962.6

申请日：2017-04-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 许福军 ,  沈波 ,  张立胜 ,  王明星 ,  解楠 ,  秦志新 ,  于彤军 ,  王新强

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/02 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/303 ,  C23C16/0272 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明实施例公开了一种AlN外延薄膜制备方法。方法包括：S1、采用溅射法在衬底沉积AlN成核层；S2、采用MOCVD生长方法，在所述AIN成核层上，外延生长AIN模板；S3、采用低温、高温循环交替的方法，继续生长AIN薄膜。本发明实施例首先采用溅射法溅射一层AlN，然后在MOCVD中采用温度调制生长的方法生长AlN薄膜，与现有技术相比，能制备出的原子级表面平整、低位错密度AlN薄膜。

公开(公告)号：CN106935479A

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201710142725.8

申请日：2017-03-10

Applicant: 北京大学东莞光电研究院

Inventor： 王琦 ,  李成明 ,  王新强 ,  张国义

IPC: H01J63/02

CPC classification number: H01J63/02

Abstract: 一种紫外射线光源，包括密封腔体和设在该密封腔体内的发光芯片，密封腔体上设有输出窗口，所述密封腔体内设有电子发射装置、两个电极、反光杯和透镜组，两个电极分别与供电电源的正负极连接使的该两个电极之间形成加速电场，电极设在电子发射装置的出口前方，发光芯片设在反光杯内，透镜组设在反光杯的前方；电子发射装置产生电子束，该电子束穿过电极后与水平方向成倾斜方向射向发光芯片使发光芯片产生紫外灯，该紫外灯经反光杯反射后从透镜组穿过并经输出窗口输出。本发明实现阴极射线紫外光源在光束形状及质量方面可调的目的。

公开(公告)号：CN106680252A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201611055447.4

申请日：2016-11-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 王平 ,  王新强 ,  孙萧萧 ,  盛博文 ,  李沫 ,  张健 ,  沈波

IPC: G01N21/64

CPC classification number: G01N21/6428 ,  G01N2021/6439

Abstract: 本发明公开了一种基于纳米管的荧光标记载体及其制备方法。本发明的荧光标记载体包括：纳米管内壁、量子结构和纳米管外壁；本发明根据拟运载物的特点设计纳米管结构的尺寸，通过控制生长条件进行精确调控纳米管结构的尺寸；固定温度退火过程，保证核‑壳结构中的纳米线完全分解，并不破坏限制于纳米管内壁和纳米管外壁之间的量子结构；纳米管的荧光标记部分采用半导体量子结构，具有荧光强度高，持续时间长，光化学性质稳定，不易发生光漂白，高效率辐射复合；并且，可以采用连续宽谱激发，吸收系数大，荧光发射峰窄，无波长拖尾，可辨识度高；纳米管结构既可实现管内的运载物的荧光标记运载，还能进行传统的包裹式或结合式荧光标记运载。

公开(公告)号：CN106586944A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201611064839.7

申请日：2016-11-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 袁竹君 ,  王新强 ,  王平 ,  盛博文 ,  李沫 ,  张健 ,  沈波

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  H01L21/02 ,  H01L23/13

CPC classification number: B81B7/00 ,  B81C1/00349 ,  B81C1/00373 ,  B81C1/00849 ,  B81C2201/01 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02104 ,  H01L23/13

Abstract: 本发明公开了一种二维通道结构及其制备方法。本发明采用支架支撑隔离层，获得多种二维通道结构，适用材料范围广；各层的间距精确可控，二维通道结构设计约束少，适用众多图案；适合工业化生产，图案精度高且适用于多种工业化生产方法，制作方法简单，成本低，用途广泛；工艺约束小，适合多种工艺；可以在隔离层上设计电路，通过外接电源或电信号或光源，或通过调制不同入口压强，控制离子或分子走向，达到能量转换或药物合成等目的；图案配合适当的探测手段(如拉曼光谱，荧光谱等)能有效实现单分子探测或其他生物探测及化学探测，可配合的系统广泛。

公开(公告)号：CN104409556B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201410738690.0

申请日：2014-12-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 王新强 ,  荣新 ,  沈波 ,  陈广 ,  郑显通 ,  王平 ,  许福军 ,  张国义

IPC: H01L31/111 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种氮化物复合势垒量子阱红外探测器及其制备方法。本发明的量子阱红外探测器的多量子阱为包含多个周期的复合势垒和势阱，其中，复合势垒为包括平带势垒和尖峰势垒的双层结构；通过极化调制的方法形成平带势垒，平带势垒以上的能级相互耦合形成准连续态，进而形成光电流的通路；通过增加平带势垒的厚度，可以在光电流信号强度基本不变的情况下，抑制暗电流的背景噪声，进而提高信噪比。本发明利用低温精细外延设备控制有源区界面以及各层厚度，可以获得高质量的外延晶片；多量子阱采用III族氮化物材料，可以实现全红外光谱窗口的光子探测；本发明的探测器在液氦温区成功探测到光电流信号，具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN105428448A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510751121.4

申请日：2015-11-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 王新强 ,  盛博文 ,  荣新 ,  王平 ,  唐宁 ,  郑显通 ,  马定宇 ,  荀坤 ,  沈波

IPC: H01L31/065 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/065 ,  H01L31/1848

Abstract: 本发明公开了一种双组分渐变结构太阳能电池及其制备方法。本发明的太阳能电池包括：衬底、底电极接触层、底组分渐变层、吸收增强层、顶组分渐变层、顶电极接触层、顶电极、底电极以及钝化层；其中，在衬底上生长底电极接触层；在底电极接触层的一部分上依次为底组分渐变层、吸收增强层、顶组分渐变层、顶电极接触层和顶电极；在底电极接触层的一部分上为底电极；在各个层的侧面覆盖有钝化层；顶组分渐变层对全太阳光谱均有吸收，可有效提升光电转换效率；部分透过顶组分渐变层的太阳光可进一步被吸收增强层吸收；底组分渐变层既可消除电子(空穴)输运势垒，又可调控晶格应力以提高材料生长质量。

公开(公告)号：CN102226985B

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201110117435.0

申请日：2011-05-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 于彤军 ,  龙浩 ,  张国义 ,  吴洁君 ,  贾传宇 ,  杨志坚 ,  王新强

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明提供了一种GaN衬底的制备方法，属于光电子器件的制备领域。本发明区别于现有技术的核心是：在衬底(如Si，蓝宝石，SiC等)外延生长表面上形成一过渡层，该过渡层为含有碳纳米管的InN、高In组分InGaN材料或GaAs等材料层，随后再生长厚膜GaN，获得厚膜GaN衬底或经过去除衬底工艺或自分离工艺得到自支撑GaN衬底。本发明制备方法简单、工艺条件易控制、价格低廉，可以选择不同的衬底，还可支持多种衬底分离技术。

公开(公告)号：CN103021946A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210517452.8

申请日：2012-12-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴洁君 ,  王新强 ,  张国义 ,  于彤军 ,  康香宁

IPC: H01L21/78 ,  C30B33/00 ,  C30B25/18 ,  C30B23/02 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明公开了一种通过机械去除法制备氮化镓单晶衬底的方法。本发明在GaN单晶厚膜与衬底之间，预沉积层状结构的薄膜，利用衬底与GaN单晶厚膜间的层状结构的薄膜之间的范德华力弱，而易于滑移的特点，使GaN单晶厚膜与衬底水平滑移分离，得到完整的大尺寸的自支撑GaN单晶衬底。本发明采用一种更低成本的制备方法，得到的自支撑GaN单晶衬底，表面光滑无裂纹，晶体质量高；实现了GaN单晶厚膜与异质衬底的可控分离，不需要另外的复杂的激光剥离或光刻刻蚀纳米图形等设备技术，设备简单，不需要在反应室中增加原位刻蚀或激光剥离部件，工艺稳定，易于控制，适用于工业化生产。

公开(公告)号：CN119518421A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202510081285.4

申请日：2025-01-20

Applicant: 北京大学

Inventor： 王新强 ,  马文结 ,  李鸿渐 ,  袁泽兴 ,  郭昱成 ,  刘放

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/22 ,  H01S5/20 ,  H01S5/065

Abstract: 本发明公开了一种单晶圆上波长可调谐的AlGaN基激光二极管及其制备方法。本发明利用室温干法与湿法结合的刻蚀方法制备出多个二维排列的脊图案阵列，每一个脊图案阵列具有多个不同的脊，每一个具有设定的宽度和形状的脊对应一个激射波长，多个不同的脊分别对应多个不同的激射波长；由有效折射率设计脊图案阵列，脊的宽度和形状影响有效折射率，对横向光学模场和载流子有限制作用，从而影响原子级超薄量子阱发光层的带隙，进而调节激射波长，以实现单晶圆衬底上波长可调谐的AlGaN基激光二极管；本发明能够实现较短的激射波长的精细调控，方法简单易控制，显著降低了生产时间和生长成本，在激射波长可调控的激光二极管领域具有广泛应用。

公开(公告)号：CN119433485A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411606061.2

申请日：2024-11-12

Applicant: 北京大学东莞光电研究院

Inventor： 王忠强 ,  王琦 ,  梁智文 ,  林良维 ,  姜永京 ,  刘强 ,  王新强

IPC: C23C16/02 ,  C23C16/27 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明公开一种易剥离金刚石薄膜及其制备方法，包括如下步骤：选取表面光滑的硅片作为衬底；用等离子体活化硅片表面；在活化后的硅片表面涂布纳米金刚石种晶；将涂布种晶的硅片转入MPCVD设备金刚石生长设备中，在生长金刚石膜的初期阶段，硅片表面温度低于750℃，在工艺气体中除了含氢、碳的气体外，还通入适量的含氮气体，然后调节腔压、微波功率以及气体配方，继续升温至适宜金刚石生长的温度区间，当金刚石薄膜生长到预定厚度以后，降温取出。本发明方法生长的金刚石薄膜既保持金刚石薄膜完整无裂纹，又保证了通过物理方法将金刚石薄膜从硅片上完整剥离下来，且金刚石薄膜的剥离面光滑度高，方便下一步的工业应用。