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公开(公告)号：CN105428448B
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201510751121.4
申请日：2015-11-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/065 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种双组分渐变结构太阳能电池及其制备方法。本发明的太阳能电池包括：衬底、底电极接触层、底组分渐变层、吸收增强层、顶组分渐变层、顶电极接触层、顶电极、底电极以及钝化层；其中，在衬底上生长底电极接触层；在底电极接触层的一部分上依次为底组分渐变层、吸收增强层、顶组分渐变层、顶电极接触层和顶电极；在底电极接触层的一部分上为底电极；在各个层的侧面覆盖有钝化层；顶组分渐变层对全太阳光谱均有吸收，可有效提升光电转换效率；部分透过顶组分渐变层的太阳光可进一步被吸收增强层吸收；底组分渐变层既可消除电子(空穴)输运势垒，又可调控晶格应力以提高材料生长质量。
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公开(公告)号：CN105428448A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510751121.4
申请日：2015-11-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/065 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/065 , H01L31/1848
Abstract: 本发明公开了一种双组分渐变结构太阳能电池及其制备方法。本发明的太阳能电池包括：衬底、底电极接触层、底组分渐变层、吸收增强层、顶组分渐变层、顶电极接触层、顶电极、底电极以及钝化层；其中，在衬底上生长底电极接触层；在底电极接触层的一部分上依次为底组分渐变层、吸收增强层、顶组分渐变层、顶电极接触层和顶电极；在底电极接触层的一部分上为底电极；在各个层的侧面覆盖有钝化层；顶组分渐变层对全太阳光谱均有吸收，可有效提升光电转换效率；部分透过顶组分渐变层的太阳光可进一步被吸收增强层吸收；底组分渐变层既可消除电子(空穴)输运势垒，又可调控晶格应力以提高材料生长质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105304737B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201510726104.5
申请日：2015-10-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种可控阵列纳米线太阳能电池及其制备方法。本发明的太阳能电池包括：衬底、N型掺杂层、N型纳米线、多量子阱、P型掺杂层、绝缘材料、P型电极和N型电极；N型纳米线和多量子阱构成核‑壳结构；通过设计图形化衬底的排布和直径，可精确调控阵列纳米线的周期和直径，满足不同太阳能电池的需求；N型纳米线的表面积/体积比较大，有效提高了太阳能电池的吸收面积；阵列纳米线具有光子晶体效应，可扩展其对太阳光谱的有效吸收范围；N型纳米线的直径小于太阳光波长，具有明显的聚光效应，调节N型纳米线的尺寸，提高太阳能电池的吸收效率；工艺简单，成本低廉，能实现批量生产。
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公开(公告)号：CN105304737A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510726104.5
申请日：2015-10-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/035236 , H01L31/18 , H01L31/1848
Abstract: 本发明公开了一种可控阵列纳米线太阳能电池及其制备方法。本发明的太阳能电池包括：衬底、N型掺杂层、N型纳米线、多量子阱、P型掺杂层、绝缘材料、P型电极和N型电极；N型纳米线和多量子阱构成核-壳结构；通过设计图形化衬底的排布和直径，可精确调控阵列纳米线的周期和直径，满足不同太阳能电池的需求；N型纳米线的表面积/体积比较大，有效提高了太阳能电池的吸收面积；阵列纳米线具有光子晶体效应，可扩展其对太阳光谱的有效吸收范围；N型纳米线的直径小于太阳光波长，具有明显的聚光效应，调节N型纳米线的尺寸，提高太阳能电池的吸收效率；工艺简单，成本低廉，能实现批量生产。
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公开(公告)号：CN101504439B
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200910080023.7
申请日：2009-03-17
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种变温肖特基二极管特性测试仪，属于肖特基二极管测试技术领域。该测试仪包括一变温系统、一数据采集系统和一计算机控制系统，变温系统用于改变肖特基二极管的温度，测得温差电动势信号；数据采集系统用于对肖特基二极管样品的两端施加电压信号，收集肖特基二极管两端的电压数据和流过肖特基二极管的电流数据，以及获得温差电动势数据；计算机控制系统用于对数据采集系统进行控制，并根据数据采集系统的数据信息，计算出肖特基二极管的势垒高度qφb、有效理查德常数A**、理想因子n和串联电阻R。本发明可直接获得肖特基二极管的特性参数，提高了测量效率。
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公开(公告)号：CN101504439A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200910080023.7
申请日：2009-03-17
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种变温肖特基二极管特性测试仪，属于肖特基二极管测试技术领域。该测试仪包括一变温系统、一数据采集系统和一计算机控制系统，变温系统用于改变肖特基二极管的温度，测得温差电动势信号；数据采集系统用于对肖特基二极管样品的两端施加电压信号，收集肖特基二极管两端的电压数据和流过肖特基二极管的电流数据，以及获得温差电动势数据；计算机控制系统用于对数据采集系统进行控制，并根据数据采集系统的数据信息，计算出肖特基二极管的势垒高度qφb、有效理查德常数A**、理想因子n和串联电阻R。本发明可直接获得肖特基二极管的特性参数，提高了测量效率。
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公开(公告)号：CN201425615Y
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200920106228.3
申请日：2009-03-17
Applicant: 北京大学
Abstract: 本实用新型提供了一种变温肖特基二极管特性测试仪，属于肖特基二极管测试技术领域。该测试仪包括一变温系统、一数据采集系统和一计算机控制系统，变温系统用于改变肖特基二极管的温度，测得温差电动势信号；数据采集系统用于对肖特基二极管样品的两端施加电压信号，收集肖特基二极管两端的电压数据和流过肖特基二极管的电流数据，以及获得温差电动势数据；计算机控制系统用于对数据采集系统进行控制，并根据数据采集系统的数据信息，计算出肖特基二极管的势垒高度qφb、有效理查德常数A**、理想因子n和串联电阻R。本实用新型可直接获得肖特基二极管的特性参数，提高了测量效率。
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