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公开(公告)号：CN116754486A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310930579.0
申请日：2023-07-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种用于光致发光谱显微光路模块的推拉切换结构，包括定块、动块和推拉机构，其中，动块为磁性体，其一端与半透半反镜的镜架连接，另一端连接推拉机构，在推拉机构的带动下推拉半透半反镜的镜架；定块用于定位半透半反镜，其为一个活塞装置，包括腔体及可在腔体内往复运动的活塞本体，在腔体面向动块的外壁面设有强磁铁；活塞本体为非磁性体，在活塞本体面向动块的一面设有弱磁铁；在腔体面向动块的前端面开有窗口，弱磁铁可伸出窗口外，而在腔体的后端面开有空气孔。该推拉切换结构可以极大地降低推拉过程中的震动，有利于光路精度的长期保持，同时可降低推拉切换结构对外部空间的占用，使整个光致发光谱系统更加紧凑和便利。
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公开(公告)号：CN111900097B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202010595872.2
申请日：2020-06-28
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种检测宽禁带半导体中深能级缺陷态的方法，利用在高温下仍然能保持很好的二极管特性的重‑轻‑重掺杂pn二极管样品结构，通过测量不同填充电压的高温深能级瞬态电容谱来同时获得样品内的多子陷阱和少子陷阱的信号，最终利用阿列纽斯曲线得到样品内的深能级缺陷态能级位置和浓度的信息。本发明方法简单且快捷有效，能够精确地测定宽禁带半导体中深能级缺陷态的能级位置和浓度，对于研究宽禁带半导体材料中的深能级缺陷态能级位置和浓度及其对器件应用的影响将发挥重要的作用。
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公开(公告)号：CN110429135B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201910628709.9
申请日：2019-07-12
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明提供了一种向GaN基异质结构二维电子气中注入自旋的方法和结构，属于半导体自旋电子学技术领域。该方法通过制备AlN/GaN异质结构，控制AlN厚度在1‑3nm左右，使AlN同时作为势垒层和隧穿层注入自旋。本发明可以极大的提高向GaN基异质结构中二维电子气中注入自旋的效率，推进GaN基异质结构中二维电子气的自旋性质的研究，得到性质优良的自旋电子学器件。
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公开(公告)号：CN111900097A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010595872.2
申请日：2020-06-28
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种检测宽禁带半导体中深能级缺陷态的方法，利用在高温下仍然能保持很好的二极管特性的重-轻-重掺杂pn二极管样品结构，通过测量不同填充电压的高温深能级瞬态电容谱来同时获得样品内的多子陷阱和少子陷阱的信号，最终利用阿列纽斯曲线得到样品内的深能级缺陷态能级位置和浓度的信息。本发明方法简单且快捷有效，能够精确地测定宽禁带半导体中深能级缺陷态的能级位置和浓度，对于研究宽禁带半导体材料中的深能级缺陷态能级位置和浓度及其对器件应用的影响将发挥重要的作用。
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公开(公告)号：CN105304737B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201510726104.5
申请日：2015-10-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种可控阵列纳米线太阳能电池及其制备方法。本发明的太阳能电池包括：衬底、N型掺杂层、N型纳米线、多量子阱、P型掺杂层、绝缘材料、P型电极和N型电极；N型纳米线和多量子阱构成核‑壳结构；通过设计图形化衬底的排布和直径，可精确调控阵列纳米线的周期和直径，满足不同太阳能电池的需求；N型纳米线的表面积/体积比较大，有效提高了太阳能电池的吸收面积；阵列纳米线具有光子晶体效应，可扩展其对太阳光谱的有效吸收范围；N型纳米线的直径小于太阳光波长，具有明显的聚光效应，调节N型纳米线的尺寸，提高太阳能电池的吸收效率；工艺简单，成本低廉，能实现批量生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105304737A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510726104.5
申请日：2015-10-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/035236 , H01L31/18 , H01L31/1848
Abstract: 本发明公开了一种可控阵列纳米线太阳能电池及其制备方法。本发明的太阳能电池包括：衬底、N型掺杂层、N型纳米线、多量子阱、P型掺杂层、绝缘材料、P型电极和N型电极；N型纳米线和多量子阱构成核-壳结构；通过设计图形化衬底的排布和直径，可精确调控阵列纳米线的周期和直径，满足不同太阳能电池的需求；N型纳米线的表面积/体积比较大，有效提高了太阳能电池的吸收面积；阵列纳米线具有光子晶体效应，可扩展其对太阳光谱的有效吸收范围；N型纳米线的直径小于太阳光波长，具有明显的聚光效应，调节N型纳米线的尺寸，提高太阳能电池的吸收效率；工艺简单，成本低廉，能实现批量生产。
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公开(公告)号：CN119290825B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411833261.1
申请日：2024-12-13
Applicant: 北京大学
IPC: G01N21/63
Abstract: 本发明公开了一种半导体材料中施主束缚激子双电子跃迁速率的测量方法，属于半导体材料的测量表征领域。该测量方法包括：1、由稳态光致发光光谱测量各温度下半导体材料中施主束缚激子峰的峰强#imgabs0#和对应双电子跃迁峰的峰强#imgabs1#；2、由时间分辨光致发光光谱测量各温度下施主束缚激子峰的寿命#imgabs2#；3、由#imgabs3#推得施主束缚激子峰的量子效率#imgabs4#，结合#imgabs5#推得施主束缚激子的辐射复合寿命#imgabs6#；4、由双电子跃迁峰和施主束缚激子峰的相对强度除以施主束缚激子辐射复合寿命,得各温度下施主束缚激子的双电子跃迁速率#imgabs7#。本发明解决了双电子跃迁速率难以测量的问题，能够快速准确获得双电子跃迁速率随温度的变化规律，对研究施主束缚激子及其双电子跃迁物理性质具有重要价值。
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公开(公告)号：CN119156124B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411650636.0
申请日：2024-11-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于ScAlN的氮化物自旋场效应忆阻器及其制备方法，属于半导体技术领域。该氮化物自旋场效应忆阻器包括衬底及其上的ScAlN/GaN异质结构，栅极位于沟道区之上，沟道区的两端为源漏自旋注入隧穿结；所述源漏自旋注入隧穿结由电子隧穿层和自旋注入金属层组成，自旋注入隧穿结下方的ScAlN层厚度在2~7 nm，构成所述自旋注入金属层的铁磁金属材料的居里温度高于室温。本发明的氮化物自旋场效应忆阻器不仅具备能够在室温下工作、低功耗、高集成度、与现有半导体工艺兼容的优点，同时克服了氮化物自旋场效应晶体管栅极调控效率低的缺点，还具备存算一体特性，有望实现兼具高集成度、非易失性、高稳定性的高速低功耗新型器件，进一步推动信息技术的发展。
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公开(公告)号：CN119208369A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411321245.4
申请日：2024-09-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/205 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种高可靠性栅控性能的增强型GaN基HEMT功率器件及制备方法，该器件包括衬底和其上的p‑GaN/Al(In,Ga)N/GaN异质结构，在栅极区域形成Tri‑Gate栅极结构，包括周期性平行排列的窄条状p‑GaN Fin岛，其长度方向平行于沟道方向，周期性排列方向垂直于沟道方向；p‑GaN Fin岛的侧壁淀积有栅介质形成MIS结构，顶部直接接触栅极金属形成欧姆接触。通过Fin岛顶部的欧姆接触实现栅极金属与p‑GaN区域电子空穴无障碍导通，使其电位不浮空，显著提升器件栅极阈值稳定性；栅宽方向形成类npn的超结结构，有效解决了栅极漏电问题，提升栅极的耐压能力，使栅压摆幅增大；顶部p‑GaN欧姆接触可以实现GIT电导调制，有效提高器件的输出电流能力，增大输出功率，推动GaN基功率电子器件的产业化进程。
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公开(公告)号：CN116314282A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310594594.2
申请日：2023-05-25
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/423 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L21/335 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种增强型氮化镓基电子器件及其制备方法，通过在GaN缓冲层生长完成后将栅极区域刻蚀为“V”型槽形成半极性面或非极性面，削弱GaN极化效应，并结合薄Al(In,Ga)N势垒层进一步降低残余极化效应，实现栅极区域2DEG的本征完全耗尽，且在栅极介质淀积后也达到完全没有或者极低二维电子气浓度，实现阈值电压的有效正向提升；在栅极与源极以及栅极与漏极之间的access区域为薄Al(In,Ga)N势垒层与全极性面（c面）GaN异质结构，通过钝化介质层恢复得到高浓度2DEG。本发明能够实现更高阈值电压的增强型GaN基电子器件，有效降低刻蚀带来的界面态问题，显著提升器件栅极可靠性，并能有效提高工艺重复性和成品率，推动GaN基功率电子器件的产业化进程。
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