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公开(公告)号：CN116754486A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310930579.0
申请日：2023-07-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种用于光致发光谱显微光路模块的推拉切换结构，包括定块、动块和推拉机构，其中，动块为磁性体，其一端与半透半反镜的镜架连接，另一端连接推拉机构，在推拉机构的带动下推拉半透半反镜的镜架；定块用于定位半透半反镜，其为一个活塞装置，包括腔体及可在腔体内往复运动的活塞本体，在腔体面向动块的外壁面设有强磁铁；活塞本体为非磁性体，在活塞本体面向动块的一面设有弱磁铁；在腔体面向动块的前端面开有窗口，弱磁铁可伸出窗口外，而在腔体的后端面开有空气孔。该推拉切换结构可以极大地降低推拉过程中的震动，有利于光路精度的长期保持，同时可降低推拉切换结构对外部空间的占用，使整个光致发光谱系统更加紧凑和便利。
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公开(公告)号：CN111900097B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202010595872.2
申请日：2020-06-28
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种检测宽禁带半导体中深能级缺陷态的方法，利用在高温下仍然能保持很好的二极管特性的重‑轻‑重掺杂pn二极管样品结构，通过测量不同填充电压的高温深能级瞬态电容谱来同时获得样品内的多子陷阱和少子陷阱的信号，最终利用阿列纽斯曲线得到样品内的深能级缺陷态能级位置和浓度的信息。本发明方法简单且快捷有效，能够精确地测定宽禁带半导体中深能级缺陷态的能级位置和浓度，对于研究宽禁带半导体材料中的深能级缺陷态能级位置和浓度及其对器件应用的影响将发挥重要的作用。
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公开(公告)号：CN110429135B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201910628709.9
申请日：2019-07-12
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明提供了一种向GaN基异质结构二维电子气中注入自旋的方法和结构，属于半导体自旋电子学技术领域。该方法通过制备AlN/GaN异质结构，控制AlN厚度在1‑3nm左右，使AlN同时作为势垒层和隧穿层注入自旋。本发明可以极大的提高向GaN基异质结构中二维电子气中注入自旋的效率，推进GaN基异质结构中二维电子气的自旋性质的研究，得到性质优良的自旋电子学器件。
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公开(公告)号：CN111900097A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010595872.2
申请日：2020-06-28
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种检测宽禁带半导体中深能级缺陷态的方法，利用在高温下仍然能保持很好的二极管特性的重-轻-重掺杂pn二极管样品结构，通过测量不同填充电压的高温深能级瞬态电容谱来同时获得样品内的多子陷阱和少子陷阱的信号，最终利用阿列纽斯曲线得到样品内的深能级缺陷态能级位置和浓度的信息。本发明方法简单且快捷有效，能够精确地测定宽禁带半导体中深能级缺陷态的能级位置和浓度，对于研究宽禁带半导体材料中的深能级缺陷态能级位置和浓度及其对器件应用的影响将发挥重要的作用。
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公开(公告)号：CN105304737B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201510726104.5
申请日：2015-10-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种可控阵列纳米线太阳能电池及其制备方法。本发明的太阳能电池包括：衬底、N型掺杂层、N型纳米线、多量子阱、P型掺杂层、绝缘材料、P型电极和N型电极；N型纳米线和多量子阱构成核‑壳结构；通过设计图形化衬底的排布和直径，可精确调控阵列纳米线的周期和直径，满足不同太阳能电池的需求；N型纳米线的表面积/体积比较大，有效提高了太阳能电池的吸收面积；阵列纳米线具有光子晶体效应，可扩展其对太阳光谱的有效吸收范围；N型纳米线的直径小于太阳光波长，具有明显的聚光效应，调节N型纳米线的尺寸，提高太阳能电池的吸收效率；工艺简单，成本低廉，能实现批量生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105304737A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510726104.5
申请日：2015-10-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/035236 , H01L31/18 , H01L31/1848
Abstract: 本发明公开了一种可控阵列纳米线太阳能电池及其制备方法。本发明的太阳能电池包括：衬底、N型掺杂层、N型纳米线、多量子阱、P型掺杂层、绝缘材料、P型电极和N型电极；N型纳米线和多量子阱构成核-壳结构；通过设计图形化衬底的排布和直径，可精确调控阵列纳米线的周期和直径，满足不同太阳能电池的需求；N型纳米线的表面积/体积比较大，有效提高了太阳能电池的吸收面积；阵列纳米线具有光子晶体效应，可扩展其对太阳光谱的有效吸收范围；N型纳米线的直径小于太阳光波长，具有明显的聚光效应，调节N型纳米线的尺寸，提高太阳能电池的吸收效率；工艺简单，成本低廉，能实现批量生产。
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公开(公告)号：CN114574955A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210212260.X
申请日：2022-03-04
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种催化剂双辅助的二维过渡金属硫族化合物薄膜(TMDs)的制备方法。该方法在使用化学气相沉积法制备TMDs薄膜过程中，采用一端开口一端闭合的石英舟盛放金属源，将衬底的生长面朝下扣在石英舟闭合的一端，形成一种半封闭结构，载气携带源在衬底下方形成涡旋，使衬底生长面的源分压更大且更均匀，避免了薄膜不连续以及晶体质量不均匀的问题；同时，采用卤化物催化剂双辅助的方法，在金属源中以及衬底生长面同时添加催化剂，进一步提高了源分压，缩短生长时间；并通过改变旋涂于衬底表面的催化剂溶液的浓度，实现不同层数TMDs薄膜的可控生长。本发明制备TMDs薄膜的方法具有薄膜厚度可控、晶形完整、重复性高的优点。
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公开(公告)号：CN108878265A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810714565.4
申请日：2018-07-03
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L21/02389 , C30B25/183 , C30B25/186 , C30B29/406 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0262
Abstract: 本发明公开了一种在Si(100)衬底上生长单晶氮化镓薄膜的方法，包括：在Si(100)衬底上形成非晶SiO2层；将单晶石墨烯转移至Si(100)/SiO2衬底上；对单晶石墨烯表面进行预处理，产生悬挂键；生长AlN成核层；外延生长GaN薄膜。由于Si(100)表面重构产生两种悬挂键，导致氮化物生长时晶粒面内取向不一致而不能形成单晶，本发明以非晶SiO2层屏蔽衬底表面的两种悬挂键信息，并由石墨烯提供氮化物外延生长所需的六方模板，外延得到了连续均匀的高质量GaN单晶薄膜，为GaN基器件与Si基器件的整合集成奠定了良好的基础。
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公开(公告)号：CN105428448B
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201510751121.4
申请日：2015-11-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/065 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种双组分渐变结构太阳能电池及其制备方法。本发明的太阳能电池包括：衬底、底电极接触层、底组分渐变层、吸收增强层、顶组分渐变层、顶电极接触层、顶电极、底电极以及钝化层；其中，在衬底上生长底电极接触层；在底电极接触层的一部分上依次为底组分渐变层、吸收增强层、顶组分渐变层、顶电极接触层和顶电极；在底电极接触层的一部分上为底电极；在各个层的侧面覆盖有钝化层；顶组分渐变层对全太阳光谱均有吸收，可有效提升光电转换效率；部分透过顶组分渐变层的太阳光可进一步被吸收增强层吸收；底组分渐变层既可消除电子(空穴)输运势垒，又可调控晶格应力以提高材料生长质量。
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公开(公告)号：CN105428448A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510751121.4
申请日：2015-11-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/065 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/065 , H01L31/1848
Abstract: 本发明公开了一种双组分渐变结构太阳能电池及其制备方法。本发明的太阳能电池包括：衬底、底电极接触层、底组分渐变层、吸收增强层、顶组分渐变层、顶电极接触层、顶电极、底电极以及钝化层；其中，在衬底上生长底电极接触层；在底电极接触层的一部分上依次为底组分渐变层、吸收增强层、顶组分渐变层、顶电极接触层和顶电极；在底电极接触层的一部分上为底电极；在各个层的侧面覆盖有钝化层；顶组分渐变层对全太阳光谱均有吸收，可有效提升光电转换效率；部分透过顶组分渐变层的太阳光可进一步被吸收增强层吸收；底组分渐变层既可消除电子(空穴)输运势垒，又可调控晶格应力以提高材料生长质量。
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