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公开(公告)号：CN116013961B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310293802.5
申请日：2023-03-24
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/267 , H01L29/66 , H01L21/265
Abstract: 本发明公开了一种表面自氧化的氮化镓自旋注入结制备方法，采用原子层沉积系统的远端氧等离子体吹扫GaN单晶薄膜，使氧初始附着氮化镓表面；然后采用氧化物分子束外延统，在高温下利用臭氧氧化氮化镓表面，在GaN表面形成一层薄的氧化镓（GaOx）；最后采用磁控溅射系统，在GaOx层上溅射铁磁金属层以及贵金属保护层，实现铁磁金属注入电极，完成自旋注入结的制备。该方法利用氧化物分子束外延系统以及原子层沉积系统，实现大面积、连续、高质量的自氧化GaOx自旋隧穿介质层，具有重复性高，成本低，可大规模生产以及隧穿层界面质量佳的优点。
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公开(公告)号：CN114574955A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210212260.X
申请日：2022-03-04
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种催化剂双辅助的二维过渡金属硫族化合物薄膜(TMDs)的制备方法。该方法在使用化学气相沉积法制备TMDs薄膜过程中，采用一端开口一端闭合的石英舟盛放金属源，将衬底的生长面朝下扣在石英舟闭合的一端，形成一种半封闭结构，载气携带源在衬底下方形成涡旋，使衬底生长面的源分压更大且更均匀，避免了薄膜不连续以及晶体质量不均匀的问题；同时，采用卤化物催化剂双辅助的方法，在金属源中以及衬底生长面同时添加催化剂，进一步提高了源分压，缩短生长时间；并通过改变旋涂于衬底表面的催化剂溶液的浓度，实现不同层数TMDs薄膜的可控生长。本发明制备TMDs薄膜的方法具有薄膜厚度可控、晶形完整、重复性高的优点。
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公开(公告)号：CN116013961A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310293802.5
申请日：2023-03-24
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/267 , H01L29/66 , H01L21/265
Abstract: 本发明公开了一种表面自氧化的氮化镓自旋注入结制备方法，采用原子层沉积系统的远端氧等离子体吹扫GaN单晶薄膜，使氧初始附着氮化镓表面；然后采用氧化物分子束外延统，在高温下利用臭氧氧化氮化镓表面，在GaN表面形成一层薄的氧化镓（GaOx）；最后采用磁控溅射系统，在GaOx层上溅射铁磁金属层以及贵金属保护层，实现铁磁金属注入电极，完成自旋注入结的制备。该方法利用氧化物分子束外延系统以及原子层沉积系统，实现大面积、连续、高质量的自氧化GaOx自旋隧穿介质层，具有重复性高，成本低，可大规模生产以及隧穿层界面质量佳的优点。
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公开(公告)号：CN114574955B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210212260.X
申请日：2022-03-04
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种催化剂双辅助的二维过渡金属硫族化合物薄膜(TMDs)的制备方法。该方法在使用化学气相沉积法制备TMDs薄膜过程中，采用一端开口一端闭合的石英舟盛放金属源，将衬底的生长面朝下扣在石英舟闭合的一端，形成一种半封闭结构，载气携带源在衬底下方形成涡旋，使衬底生长面的源分压更大且更均匀，避免了薄膜不连续以及晶体质量不均匀的问题；同时，采用卤化物催化剂双辅助的方法，在金属源中以及衬底生长面同时添加催化剂，进一步提高了源分压，缩短生长时间；并通过改变旋涂于衬底表面的催化剂溶液的浓度，实现不同层数TMDs薄膜的可控生长。本发明制备TMDs薄膜的方法具有薄膜厚度可控、晶形完整、重复性高的优点。
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