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公开(公告)号：CN116695241B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202310687180.4
申请日：2023-06-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请涉及一种过渡金属硫族化合物晶圆及其制备方法和装置，属于二维材料技术领域。该制备方法，包括：S1.组装生长模块；S2.将组装好的生长模块进行垂直堆叠，得到组合生长模块；将组合生长模块置于容器中，在惰性气体保护氛围下，升温至预定温度，进行化学气相沉积，得到晶圆。该方法采用“面对面”局域元素供应技术且选择高反应活性前驱体，能够有效解决传统模式“点对面”扩散生长源供应不均匀的问题；采取本申请的前驱体元素供应方法，能够大幅度扩展制备晶圆尺寸，扩展单片过渡金属硫族化合物晶圆尺寸至12英寸及以上，达到与当代半导体工艺兼容水平；且能够通过连续堆叠生长模块实现多片晶圆批量化生产。
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公开(公告)号：CN116695241A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310687180.4
申请日：2023-06-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请涉及一种过渡金属硫族化合物晶圆及其制备方法和装置，属于二维材料技术领域。该制备方法，包括：S1.组装生长模块；S2.将组装好的生长模块进行垂直堆叠，得到组合生长模块；将组合生长模块置于容器中，在惰性气体保护氛围下，升温至预定温度，进行化学气相沉积，得到晶圆。该方法采用“面对面”局域元素供应技术且选择高反应活性前驱体，能够有效解决传统模式“点对面”扩散生长源供应不均匀的问题；采取本申请的前驱体元素供应方法，能够大幅度扩展制备晶圆尺寸，扩展单片过渡金属硫族化合物晶圆尺寸至12英寸及以上，达到与当代半导体工艺兼容水平；且能够通过连续堆叠生长模块实现多片晶圆批量化生产。
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公开(公告)号：CN111188086B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202010123961.7
申请日：2020-02-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种超高导电多层单晶压合铜材料的制备方法，将多层单晶铜箔叠合在一起形成层叠体，采用在加压的同时高温退火的方式将所述层叠体加压退火成一体，或者是采用直接热轧的方式将所述层叠体压合成一体，制备出超高导电多层单晶压合铜材料。该方法用多层单晶铜箔作为原料，利用热轧或压合退火的方法制备出超高导电多层单晶压合铜材料，其电导率大于等于105％IACS。本发明提出的方法，解决了单晶铜材料制备成本高昂，技术复杂，价格昂贵，无法大规模生产等一系列问题，通过非常简单的方法，实现了超高导电多层单晶压合铜材料的制备。
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公开(公告)号：CN113511681B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202010273633.5
申请日：2020-04-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种硫族元素化合物晶片辅助局域生长过渡金属硫族化合物的方法，所述制备方法包括如下步骤：将预备好的衬底均匀涂一层过度金属源后反扣于硫族元素化合物晶片上，二者构建出局域空间置于管式炉中。在高温情况下，由硫族元素晶片释放的硫族元素与衬底上的过渡金属源直接发生反应在衬底上得到相应的过渡金属化合物。相比常规CVD方法，该方法完美解决了在生长过程中前驱体源扩散供应不足不均匀的问题。具有工艺简单，生长速度快，普适性强等特点，可用于制备不同种类的过渡金属硫族化合物(TMDC)材料，为二维材料的制备提供了一种新思路。
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公开(公告)号：CN113725704A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202010448548.8
申请日：2020-05-25
Abstract: 提供一种饱和吸收体，包括光纤和石墨烯薄膜，所述石墨烯薄膜通过生长形成于所述光纤表面。还提供一种包括上述饱和吸收体的全光纤锁模激光器。本发明在光纤上直接生长石墨烯薄膜，形成步骤简单、生长工艺可控性好、重复性高；形成的石墨烯薄膜质量高且均匀，可以控制石墨烯厚度和光纤长度，可实现同一批次多根光纤批量生长。本发明的包括上述光纤的饱和吸收体和全光纤锁模激光器，具有良好的饱和吸收性能、可重复制备的能力和优秀的激光输出参数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113186595A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110372541.7
申请日：2021-04-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种大尺寸具有层间转角的二维单晶材料叠层的制备方法，涉及转角石墨烯及其它具有特定转角的二维单晶叠层制备方法。其主要特征为将单晶衬底进行堆叠并旋转特定角度，并在其表面外延二维单晶材料，随后将上下层二维单晶材料进行帖合，除去表面一层单晶衬底即可获得具有特定转角的二维单晶叠层。本发明提出的方法，解决了制备转角二维叠层时界面不洁净、叠层尺寸小、操作复杂等问题。通过非常简单的方法，实现了转角可控的大尺寸二维单晶叠层的快速制备。
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公开(公告)号：CN112782122A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201911064950.X
申请日：2019-11-04
Applicant: 北京大学
IPC: G01N21/47
Abstract: 本发明提供了一种测量一维材料手性的装置及方法，所述装置及方法利用周期性交替变化的左右旋圆偏光激发一维材料的瑞利散射信号，通过测量样品在左旋圆偏振光与右旋圆偏振光激发下的瑞利散射光信号强度之差及强度之和，两者相比得到瑞利圆二色性谱。通过瑞利圆二色性谱中特定共振峰的符号，进而判定出单个一维材料的手性。所述装置及方法基于暗场无背景光的瑞利散射技术，首次实现了单个一维材料瑞利圆二色性谱的测量，成功的应用于单个一维材料的手性鉴别。
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公开(公告)号：CN112255173A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011017062.5
申请日：2020-09-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种石墨烯非线性光学效应的全光调控方法及装置，所述装置包括依光路依次设置的振荡器、光学参量放大器、分束镜和镜头，所述装置还包括采集光路，所述采集光路收集所述石墨烯样品产生的三次谐波信号。采用上述装置进行全光调控的方法克服了电光调控、声光调控、热光调控等光调控方法响应速率过低的问题，同时实现了高达90%(10 dB)以上的相对调制深度和低于2.5皮秒（180 GHz）的响应时间，而且具有对泵浦光从可见到近红外波段的宽谱响应。同时，本发明提供的全光调控石墨烯的三次谐波产生方法调制效率高，能量损耗低，制作工艺简单，可以应用到其他二维材料体系里进行研究，在光开关和光通信等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN111690983A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201910179992.1
申请日：2019-03-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种米级大单晶高指数面铜箔的制备方法，所述方法为商业多晶铜箔作为原料，利用预先氧化保护然后退火的工艺制备出Cu(112)、Cu(113)、Cu(122)、Cu(123)、Cu(133)、Cu(223)、Cu(233)、Cu(355)以及其他高指数面等一系列米级大单晶高指数面铜箔。本发明提出的方法，解决了Cu(112)、Cu(113)、Cu(122)、Cu(123)、Cu(133)、Cu(223)、Cu(233)、Cu(355)以及其他高指数面单晶铜箔价格和制备成本高昂且市场上没有产品供应的问题，通过非常简单的方法，实现了高质量米级大单晶Cu(112)、Cu(113)、Cu(122)、Cu(123)、Cu(133)、Cu(223)、Cu(233)、Cu(355)以及其他高指数面铜箔的宏量制备。
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公开(公告)号：CN111690982A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201910179967.3
申请日：2019-03-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明首次提出一种利用任意指数面的单晶铜箔生长单晶石墨烯的方法，所述方法包括如下步骤：S1，制备任意指数面的单晶铜箔；S2，选用所述单晶铜箔作为衬底，并在其上生长出高质量超大尺寸的单晶石墨烯。本发明首次在非Cu(111)、Cu(100)等常见晶面上生长大尺寸单晶石墨烯，在成功制备Cu(211)、Cu(323)、Cu(110)、Cu(236)、Cu(331)、Cu(256)、Cu(553)、Cu(659)、Cu(736)、Cu(748)、Cu(671)等晶面的单晶铜箔上均成功生长了连续的大尺寸的单晶石墨烯；在这些晶面上均长出了单层均匀且高质量的石墨烯。
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