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公开(公告)号：CN112255173A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011017062.5
申请日：2020-09-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种石墨烯非线性光学效应的全光调控方法及装置，所述装置包括依光路依次设置的振荡器、光学参量放大器、分束镜和镜头，所述装置还包括采集光路，所述采集光路收集所述石墨烯样品产生的三次谐波信号。采用上述装置进行全光调控的方法克服了电光调控、声光调控、热光调控等光调控方法响应速率过低的问题，同时实现了高达90%(10 dB)以上的相对调制深度和低于2.5皮秒（180 GHz）的响应时间，而且具有对泵浦光从可见到近红外波段的宽谱响应。同时，本发明提供的全光调控石墨烯的三次谐波产生方法调制效率高，能量损耗低，制作工艺简单，可以应用到其他二维材料体系里进行研究，在光开关和光通信等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN112255859B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202011071334.X
申请日：2020-10-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种调控过渡金属硫化物的二次谐波信号的方法，所述方法包含如下步骤：S1、提供过渡金属硫化物/二维介电材料异质结；S2、测量过渡金属硫化物/二维介电材料异质结的二次谐波信号；其中，在调谐的激发光波长范围1100nm‑1280nm和1325nm‑1350nm内的所述异质结的二次谐波信号小于所述过渡金属硫化物的本征二次谐波信号，当激发光波长在1280nm‑1325nm之间和位于1360nm情况下，所述异质结的二次谐波信号大于所述过渡金属硫化物的本征二次谐波信号。该方法通过将石墨烯或其它二维介电材料转移到单层过渡金属硫化物上来改变它们的非线性光学响应，在转移单层石墨烯或其它二维介电材料后，过渡金属硫化物的非线性信号会有0.5‑2倍的改变，且其影响随着二维材料的介电常数的减小而下降。
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公开(公告)号：CN112255173B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202011017062.5
申请日：2020-09-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种石墨烯非线性光学效应的全光调控方法及装置，所述装置包括依光路依次设置的振荡器、光学参量放大器、分束镜和镜头，所述装置还包括采集光路，所述采集光路收集所述石墨烯样品产生的三次谐波信号。采用上述装置进行全光调控的方法克服了电光调控、声光调控、热光调控等光调控方法响应速率过低的问题，同时实现了高达90%(10 dB)以上的相对调制深度和低于2.5皮秒（180 GHz）的响应时间，而且具有对泵浦光从可见到近红外波段的宽谱响应。同时，本发明提供的全光调控石墨烯的三次谐波产生方法调制效率高，能量损耗低，制作工艺简单，可以应用到其他二维材料体系里进行研究，在光开关和光通信等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN112255859A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011071334.X
申请日：2020-10-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种调控过渡金属硫化物的二次谐波信号的方法，所述方法包含如下步骤：S1、提供过渡金属硫化物/二维介电材料异质结；S2、测量过渡金属硫化物/二维介电材料异质结的二次谐波信号；其中，在调谐的激发光波长范围1100nm‑1280nm和1325nm‑1350nm内的所述异质结的二次谐波信号小于所述过渡金属硫化物的本征二次谐波信号，当激发光波长在1280nm‑1325nm之间和位于1360nm情况下，所述异质结的二次谐波信号大于所述过渡金属硫化物的本征二次谐波信号。该方法通过将石墨烯或其它二维介电材料转移到单层过渡金属硫化物上来改变它们的非线性光学响应，在转移单层石墨烯或其它二维介电材料后，过渡金属硫化物的非线性信号会有0.5‑2倍的改变，且其影响随着二维材料的介电常数的减小而下降。
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