公开(公告)号：CN113186595A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN202110372541.7

申请日：2021-04-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘开辉 ,  刘灿 ,  王卿赫 ,  龚德炜

IPC: C30B25/18 ,  C30B29/68 ,  C30B33/06 ,  C30B29/02 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明提供了一种大尺寸具有层间转角的二维单晶材料叠层的制备方法，涉及转角石墨烯及其它具有特定转角的二维单晶叠层制备方法。其主要特征为将单晶衬底进行堆叠并旋转特定角度，并在其表面外延二维单晶材料，随后将上下层二维单晶材料进行帖合，除去表面一层单晶衬底即可获得具有特定转角的二维单晶叠层。本发明提出的方法，解决了制备转角二维叠层时界面不洁净、叠层尺寸小、操作复杂等问题。通过非常简单的方法，实现了转角可控的大尺寸二维单晶叠层的快速制备。

公开(公告)号：CN113186595B

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202110372541.7

申请日：2021-04-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘开辉 ,  刘灿 ,  王卿赫 ,  龚德炜

IPC: C30B25/18 ,  C30B29/68 ,  C30B33/06 ,  C30B29/02 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明提供了一种大尺寸具有层间转角的二维单晶材料叠层的制备方法，涉及转角石墨烯及其它具有特定转角的二维单晶叠层制备方法。其主要特征为将单晶衬底进行堆叠并旋转特定角度，并在其表面外延二维单晶材料，随后将上下层二维单晶材料进行帖合，除去表面一层单晶衬底即可获得具有特定转角的二维单晶叠层。本发明提出的方法，解决了制备转角二维叠层时界面不洁净、叠层尺寸小、操作复杂等问题。通过非常简单的方法，实现了转角可控的大尺寸二维单晶叠层的快速制备。